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  • 本发明涉及红外光的强度、光谱含量的测量,具体涉及到一种适用于近红外波段的多波段吸收器和一种光电探测器。其中的吸收器包括依次堆叠的基底层、过渡金属氮化物层和分布式布拉格反射镜。本发明可实现近红外多波段高效吸收,每个吸收峰效率高,可覆盖近红外波...
  • 本申请涉及一种背接触太阳能电池,包括半导体基体和钝化减反膜,半导体基体的背光面具有掺杂区域,掺杂区域设有隧穿氧化层以及设于隧穿氧化层远离半导体基体一侧的掺杂层,钝化减反膜包括设于掺杂层远离隧穿氧化层一侧的第一钝化减反膜,掺杂区域具有塔基状纹...
  • 本申请涉及光伏技术领域,具体涉及一种光伏组件及其制备方法、光伏组件的制造设备,光伏组件包括背接触电池片、绝缘条、导电件以及电连接件,背接触电池片包括第一表面,第一表面上设置有沿第一方向延伸的细栅,绝缘条在第一表面上沿第一方向间隔排布,绝缘条...
  • 本发明公开一种背接触太阳能电池及光伏组件,涉及光伏技术领域,用于提高绝缘结构的绝缘特性,降低背接触太阳能电池的漏电风险。背接触太阳能电池包括电池本体,以及设置在电池本体的背面上的第一集电电极、第二集电电极和绝缘结构。第一集电电极和第二集电电...
  • 本申请公开了一种背接触电池及光伏组件,背接触电池包括:电池本体,电池本体具有相对设置的第一表面和第二表面;第一集电电极和第二集电电极设置于第一表面上,第一集电电极具有第一断开部;第一连接导体设置于第一表面上,第一连接导体在第一表面上的正投影...
  • 本申请公开了一种背接触电池及其制备方法、光伏组件,背接触电池包括:电池本体具有相对设置的第一表面和第二表面;第一集电电极和第二集电电极设置于第一表面,第一集电电极与第二集电电极沿第一方向交替间隔排布,且均沿第二方向延伸,第一集电电极上设有第...
  • 本公开涉及一种太阳能电池及其制备方法,所述太阳能电池包括硅基衬底和设于该硅基衬底上的栅线电极,所述栅线电极包括主栅线和副栅线,所述硅基衬底表面包括栅线区域和非栅线区域,所述栅线区域为所述主栅线和所述副栅线覆盖的区域,其余为所述非栅线区域;所...
  • 本发明提供一种背接触太阳能电池及其制备方法和应用。该背接触太阳能电池包括硅衬底,硅衬底包括相对的正面和背面,正面为绒面结构;在第一方向上,背面包括交替排布的第一型区域和第二型区域,且相邻的第一型区域和第二型区域之间通过间隔区进行间隔;第一型...
  • 本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件,涉及光伏技术领域,以解决N型掺杂层和P型掺杂层靠近电池片边缘的部分缺陷隐患较大,漏电风险较高的问题。该太阳能电池包括:基底和电流收集层。电流收集层设置于基底的第一表面上,包括多个沿第一方向间...
  • 本申请涉及光伏技术领域,特别是一种太阳能电池及制备方法、叠层电池、光伏组件和加工设备。本申请多提供的制备方法能够利用对太阳能电池进行印刷和烧结之间的工艺窗口期对其进行光热协同处理,以激活太阳能电池膜层中的氢原子,并引导其朝向基底的方向进行迁...
  • 本公开涉及光伏领域,提供一种光伏电池的制造方法及其装置、光伏电池、光伏组件,制造方法包括:提供初始电池片,初始电池片包括:电池基片;位于电池基片上的第一导电部;钝化层,至少位于部分数量的第一导电部上或位于第一导电部的部分区域上;在钝化层远离...
  • 本发明涉及光伏技术领域,尤其涉及一种电池串制备方法及光伏组件。该电池串制备方法主要包括以下步骤:电池串排版。在相邻两个电池片上敷设互联焊带。将端部焊带弯折形成相互连接的第一连接部和第二连接部,将第一连接部与第一电池片进行电连接,第二连接部与...
  • 本发明提供了一种氮化镓/钙钛矿异质结材料及其制备方法和应用。包括以下步骤:(a)钙钛矿粉末合成:将卤化铯和卤化铅以一定的摩尔比完全溶于二甲基亚砜,随后加入反溶剂,析出黄色沉淀,将黄色沉淀离心、真空干燥,获得钙钛矿粉末;(b)异质结复合材料制...
  • 本发明公开了一种太阳能组件封装设备及其工艺,属于太阳能组件封装领域。该太阳能组件封装设备,包括用于输送盖板的第一输送线,沿第一输送线的输送方向依次设置有清洗组件与干燥组件,干燥组件末端设置第三输送线,第三输送线上设置两组封边胶贴附组件,位于...
  • 本发明公开一种晶硅太阳能电池的制绒方法、太阳能电池及花篮。制绒方法包括:提供晶硅基体,所述晶硅基体包括相对的第一主表面和第二主表面;将所述晶硅基体浸入制绒溶液中,使所述制绒溶液与所述晶硅基体反应并在所述晶硅基体的第一主表面和第二主表面均产生...
  • 本发明公开了一种太阳能电池金属电极的制备方法及太阳能电池,涉及太阳能电池技术领域。该方法包括:提供电池基体,所述电池基体包括沉积区域,所述沉积区域的表面为硅表面;采用含有氟的镀层沉积溶液在所述沉积区域的表面形成Si‑F键以及沉积种子层;在所...
  • 本发明公开了一种划片装置、划片方法及钝化设备。该划片装置包括转动座和多个划片机构,所述转动座设有放置部,所述放置部适用于放置工件。所述多个划片机构沿所述转动座的周向间隔设置,所述放置部能够在多个所述划片机构之间转动。多个划片机构沿转动座的周...
  • 本发明属于光电器件领域,具体公开了一种TCO薄膜及其制备工艺,所述制备工艺包括:基底预处理后沉积TCO层,得到中间产物,三阶段退火处理中间产物,第一阶段于氢气‑氩气混合气氛下退火;第二阶段于金属离子蒸汽环境下退火;第三阶段于真空氛围下退火;...
  • 本发明涉及半导体技术领域,尤其是指一种光耦高压隔离器的制造方法及光耦高压隔离器,包括:提供预设厚度的第一玻璃基板,在其相对两表面分别制作第一电路布线及第一焊垫;将光发射元件及第一功能芯片固晶贴装于其第一表面(发射端),将第二功能芯片固晶贴装...
  • 本申请的实施例公开了一种芯片及芯片的制造方法。芯片包括光波导,上述方法包括:提供待刻蚀层;在所述待刻蚀层上形成掩膜层;形成光阻图案,所述光阻图案包括顶面和侧壁;在所述光阻图案的侧壁上形成吸附物;以附着有吸附物的光阻图案为遮罩,刻蚀所述掩膜层...
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