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最新专利技术
  • 一种基于ANXA2和NOTCH2/NOTCH4的计算机辅助药物筛选方法
    一种基于ANXA2和NOTCH2/NOTCH4的计算机辅助药物筛选方法_北京大学第一医院(北京大学第一临床医学院)_202512053869.3
    本发明公开了一种基于ANXA2和NOTCH2/NOTCH4的计算机辅助药物筛选方法。本发明提供了一种全新的基于ANXA2和NOTCH2/NOTCH4筛选药物的方法、系统或设备，为NOTCH信号通路相关疾病提供了新药开发和临床应用的工具，具有...
    2026-05-13
  • 基于自适应图扩散与细粒度融合的药物靶标作用预测方法
    基于自适应图扩散与细粒度融合的药物靶标作用预测方法_重庆邮电大学_202511952085.8
    本发明涉及药物相关的分子作用预测技术领域，特别涉及一种基于自适应图扩散与细粒度融合的药物靶标作用预测方法，包括：获取药物‑靶标异构图数据，将药物‑靶标异构图数据输入到经过预训练的药物‑靶标预测模型中，得到所输入的药物‑靶标的相互作用预测结果...
    2026-05-13
  • 基于混合专家和不平衡优化的药物靶标相互作用预测方法
    基于混合专家和不平衡优化的药物靶标相互作用预测方法_重庆邮电大学_202511951864.6
    本发明涉及药物相关的分子作用预测技术领域，特别涉及一种基于混合专家和不平衡优化的药物靶标相互作用预测方法，包括：获取药物‑靶标异构图数据，将药物‑靶标异构图数据输入到经过预训练的药物‑靶标预测模型中，得到所输入的药物‑靶标的相互作用预测结果...
    2026-05-13
  • 基于符号回归和蒙特卡洛采样的中药材功效物质发现及其质量一致性控制方法
    基于符号回归和蒙特卡洛采样的中药材功效物质发现及其质量一致性控制方法_烟台大学_202511904109.2
    本发明属于中药多组分均化的质量控制技术领域，具体涉及一种基于符号回归和蒙特卡洛采样的中药材功效物质发现及其质量一致性控制方法。本发明在细胞水平评价不同浓度中药提取物的生物活性；通过非靶向代谢组学技术获取相应提取物的化学轮廓，并建立其与生物活...
    2026-05-13
  • 幽门螺杆菌对甲硝唑耐药表型的预测模型构建方法及装置
    幽门螺杆菌对甲硝唑耐药表型的预测模型构建方法及装置_中国医科大学附属第一医院_202311117253.2
    本申请公开了一种幽门螺杆菌对甲硝唑耐药表型的预测模型构建方法及装置，涉及耐药性预测技术领域，通过获取幽门螺杆菌全基因组测序数据，并进行预处理，得到附属基因及SNP矩阵，将附属基因、SNP矩阵以及附属基因和SNP矩阵分别输入到多种机器学习模型...
    2026-05-13
  • 一种基于扩散模型的蛋白质绑定RNA序列生成方法与系统
    一种基于扩散模型的蛋白质绑定RNA序列生成方法与系统_上海交通大学_202610026620.5
    本发明公开了一种基于扩散模型的蛋白质绑定RNA序列生成方法：在离线训练阶段，利用蛋白质结合RNA序列数据库，对构建得到的混合生成式框架进行两阶段训练，混合生成式框架耦合了变分自编码器单元与条件潜在扩散模型单元；在线推理阶段，将待生成的蛋白质...
    2026-05-13
  • 一种蛋白质变构位点的识别确定方法及装置
    一种蛋白质变构位点的识别确定方法及装置_重庆康洲智通医药科技有限公司_202512055850.2
    本发明公开了一种蛋白质变构位点的识别确定方法及装置，所述方法包括：获取蛋白质的变构位点数据，其中所述变构位点数据包括蛋白质3D结构数据和蛋白质氨基酸特征数据；将所述变构位点数据输入经过训练的集成学习模型，为所述变构位点数据打分并排序；以及将...
    2026-05-13
  • 基于深度学习的从头酶设计与催化活性预测系统
    基于深度学习的从头酶设计与催化活性预测系统_艾比欧义(杭州)生物科技有限公司_202511918631.6
    本发明公开了一种基于深度学习的从头酶设计与催化活性预测系统，包括序列生成模块、三维结构构建模块、分子特征编码模块、催化活性预测模块、迭代优化模块、数据增强模块、结构稳定性校正模块和实验验证反馈模块；序列生成模块输出氨基酸序列，构建模块生成三...
    2026-05-13
  • 一种不平衡数据重采样的否定选择自适应优化方法及系统
    一种不平衡数据重采样的否定选择自适应优化方法及系统_台州渊统智能科技有限公司_202511863259.3
    本发明公开了一种不平衡数据重采样的否定选择自适应优化方法，包括：构建参数自适应优化模型，动态计算并优化检测器的半径r和邻域k值；构建过采样否定选择多点交叉进化模型，通过稳态进化策略、多点交叉进化和否定选择生成高质量少数类样本；构建欠采样否定...
    2026-05-13
  • 一种基于AI大模型的自适应磁盘智能运维与自愈方法及系统
    一种基于AI大模型的自适应磁盘智能运维与自愈方法及系统_简单汇信息科技(广州)有限公司_202610335487.1
    本发明属于智能运维技术领域，提出一种基于AI大模型的自适应磁盘智能运维与自愈方法及系统，包括：采集目标磁盘的多源运行数据，并对所述多源运行数据注入磁盘领域的语义标签，得到语义化数据；将所述语义化数据输入大语言模型，并由大语言模型基于预设的磁...
    2026-05-13
  • 非易失存储芯片宽温测试方法和系统
    非易失存储芯片宽温测试方法和系统_深圳市数合泰科技有限公司_202511754910.3
    本发明涉及芯片测试技术领域，提供一种非易失存储芯片宽温测试方法和系统，方法包括：首先选取被测非易失存储芯片的特征存储单元，然后在常温下执行编程/擦除循环后按照温度变化函数改变非易失存储芯片的工作环境温度，并依据温度生成相应的测试图形，执行读...
    2026-05-13
  • 存储装置
    存储装置_三星电子株式会社_202510642492.2
    存储装置可以包括存储器装置、存储控制器、对数似然比(LLR)优化电路和LLR集寄存器，该LLR集寄存器被配置为存储对称LLR集以及非对称LLR集。存储器装置可以包括连接到目标字线的第一存储器页的第一存储器单元。LLR优化电路可被配置为产生针...
    2026-05-13
  • 存储器控制方法及存储装置
    存储器控制方法及存储装置_深圳星火半导体科技有限公司_202610321010.8
    本申请属于存储器控制领域，其提供一种存储器控制方法及存储装置，所述方法包括：接收来自主机系统的维护策略设置命令，该命令用于为指定的逻辑区域配置维护策略数据；根据该命令更新关键数据维护表中的维护记录，维护记录包含逻辑区域的维护策略数据和动态元...
    2026-05-13
  • 故障自检修的2T-2M存储电路、存算电路及其芯片
    故障自检修的2T-2M存储电路、存算电路及其芯片_安徽大学_202610313458.5
    本发明涉及磁芯随机存储器领域，特别是一种故障自检修的2T‑2M存储电路、存算电路及其芯片。其包括单元阵列、多个检修电路以及一个故障分析电路。单元阵列由2T‑2M存储单元阵列排布而成；部分列作为存储列，其余列作为检修列；每若干个存储列与其中1...
    2026-05-13
  • 存储器的测试装置、测试方法、处理芯片和计算机可读存储介质
    存储器的测试装置、测试方法、处理芯片和计算机可读存储介质_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202511835559.0
    本申请提供一种存储器的测试装置、测试方法、处理芯片和计算机可读存储介质，该测试装置包括：地址发生器，其生成存储器中待测试单元的地址信息；数据发生器，其采用从两种以上数据生成模式中选择的数据生成模式，生成用于测试的数据；系统控制器，其控制测试...
    2026-05-13
  • 一种存储器的测试文件的生成方法、装置、设备及介质
    一种存储器的测试文件的生成方法、装置、设备及介质_合肥康芯威存储技术有限公司_202610321693.7
    本发明提供了一种存储器的测试文件的生成方法、装置、设备及介质，生成方法包括：获取并解析存储器的操作序列文件，得到所述存储器的器件型号以及至少一个功能测试操作；依据所述器件型号以及每个功能测试操作，在预设的数据库中确定每个功能测试操作对应的寄...
    2026-05-13
  • 一种基于扫描链架构的存内计算芯片测试装置及方法
    一种基于扫描链架构的存内计算芯片测试装置及方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202610024290.6
    本发明属于集成电路测试技术领域，并公开了一种基于扫描链架构的存内计算芯片测试装置及方法，包括：利用三组独立的扫描链(输入、权重、部分和)配合片上可配置控制器(Config Regs+FSM)，实现对存内计算宏单元(CIM Macro)的存储...
    2026-05-13
  • 非易失性存储器装置和存储装置
    非易失性存储器装置和存储装置_三星电子株式会社_202511024161.9
    提供了一种非易失性存储器装置和存储装置。所述存储装置包括：非易失性存储器芯片，包括第一非易失性存储器芯片和第二非易失性存储器芯片；以及存储控制器。第一非易失性存储器芯片包括：第一芯片启用接口电路；以及第一芯片接口引脚，连接到第一芯片启用接口...
    2026-05-13
  • 存储器件中的读取操作
    存储器件中的读取操作_长江存储科技有限责任公司_202411427878.3
    公开了用于在存储器件中执行读取操作的示例存储器件、系统以及方法。一种示例方法包括将多个电压中的第一电压施加到耦合到存储单元阵列中的存储单元的字线。在多个时刻处感测耦合到存储单元的位线的电压。基于位线的电压来获得存储单元的与多个时刻相对应的多...
    2026-05-13
  • NAND Flash芯片写入脉冲强度的调整方法
    NAND Flash芯片写入脉冲强度的调整方法_东芯半导体股份有限公司_202512046596.X
    本发明提供一种NAND Flash芯片写入脉冲强度的调整方法，在擦除过程中监测NAND Flash芯片的擦写循环次数，基于检测到的擦写循环次数的范围来确定NAND Flash芯片的目标存储块的存储单元物理特性开始出现劣化的节点、已出现劣化且...
    2026-05-13
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