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最新专利技术
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_杭州星原驰半导体有限公司_202610397216.9
    本发明提供的一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件包括衬底、垂直设置的有源柱体、栅介质层、栅极、漏极扩展衬垫层及网格支撑结构。其中，栅介质层仅形成于有源柱体的沟道区域；漏极扩展衬垫层形成于漏极区域侧壁以增大表面积；网格支撑结构形成于漏极...
    2026-05-10
  • RRAM存储器件结构及其制备方法
    RRAM存储器件结构及其制备方法_北京新忆科技有限公司_202610137739.X
    本申请提供了一种RRAM存储器件结构及其制备方法，通过提供连接层，并在连接层内设置具有预设表面曲率的导电通孔，以及将存储单元对应设置在导电通孔上，使得存储单元在形成过程能够与导电通孔的上凸面适配并形成凸起区。本申请提供的RRAM存储器件结构...
    2026-05-10
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储控股股份有限公司_202411499617.2
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、存储系统，涉及半导体技术领域，用于提高半导体器件的良率。半导体器件包括：层叠设置的多个第一半导体结构，及设置在相邻的两个所述第一半导体结构之间的键合层。第一半导体结构包括：介质部、引出导线，以及层叠设...
    2026-05-10
  • 电容结构及其制造方法
    电容结构及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610436485.1
    本申请涉及一种电容结构及其制造方法，包括：提供基底，于基底上形成底部金属层，并于底部金属层上形成图形化的第一掩膜层；对底部金属层进行图形化处理，以形成下极板和对准标记；去除第一掩膜层，于下极板、对准标记和基底上形成介质层；于介质层上依次形成...
    2026-05-10
  • MIM电容及MIM电容制备方法
    MIM电容及MIM电容制备方法_广州增芯科技有限公司_202610170500.2
    本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种MIM电容及MIM电容制备方法，MIM电容包括：基底结构、顶层金属、底层金属以及MIM结构；所述底层金属位于所述基底结构内且靠近所述基底结构的底面，所述顶层金属位于基底结构的表面；所述顶层金属具有镂空区...
    2026-05-10
  • 一种超顺电储能薄膜材料及其制备方法
    一种超顺电储能薄膜材料及其制备方法_湖南大学_202610446015.3
    本发明公开了一种超顺电储能薄膜材料及其制备方法，该超顺电储能薄膜材料包括依次堆叠的衬底层、底电极层和超晶格‑固溶介电层，所述超晶格‑固溶介电层包括超晶格层，所述超晶格层由BaTiO3层和SrTiO3层依次交替堆叠而成，超晶格层中分布有固溶体...
    2026-05-10
  • 一种柔性超顺电储能薄膜材料及其制备方法
    一种柔性超顺电储能薄膜材料及其制备方法_湖南大学_202610446029.5
    本发明公开了一种柔性超顺电储能薄膜材料及其制备方法，该柔性超顺电储能薄膜材料包括依次堆叠的柔性衬底层、缓冲层、底电极层和多相固溶‑超晶格层，多相固溶‑超晶格层包括超晶格层，超晶格层包括依次交替堆叠于底电极层上的BaTiO3层和SrTiO3层...
    2026-05-10
  • 电容器和显示面板
    电容器和显示面板_惠科股份有限公司_202610450516.9
    本申请提供了一种电容器和显示面板。通过在不同温度下使第三电极与第一电极或第二电极连接，可随温度动态改变电容器的电容值，从而改善不同温度下相同电容会导致像素充电程度差异的问题。
    2026-05-10
  • 一种采用斜场板和NiO异质结的Ga2O3二极管及其制备方法
    一种采用斜场板和NiO异质结的Ga2O3二极管及其制备方法_西安电子科技大学_202610127622.3
    本发明公开了一种采用斜场板和NiO异质结的Ga2O3二极管及其制备方法，该二极管自下而上依次包括：阴极欧姆接触电极、n型Ga2O3衬底、n型Ga2O3外延层、复合介质层、位于p型氧化物层以及部分斜场板表面的阳极欧姆接触电极，其中，复合介质层...
    2026-05-10
  • 一种低结电容对称型瞬态电压抑制二极管及其制备方法
    一种低结电容对称型瞬态电压抑制二极管及其制备方法_山东浪潮慧芯微电子科技有限公司_202610032520.3
    本发明涉及一种低结电容对称型瞬态电压抑制二极管及其制备方法，该制备方法包括硅片清洗、N型掺杂、氧化、光刻、去氧化层、开槽腐蚀、钝化、表面腐蚀、制作电极、金属剥离及切割步骤；其中，N型掺杂步骤是以POCl3作为气相磷源，对硅片进行双面同步扩散...
    2026-05-10
  • 一种具有复合沟槽终端结构的双向可控硅及其制备方法
    一种具有复合沟槽终端结构的双向可控硅及其制备方法_江苏捷捷微电子股份有限公司_202610445047.1
    本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种具有复合沟槽终端结构的双向可控硅及其制备方法，该双向可控硅包括：N‑型硅衬底；两个P型基区，用于与N‑型硅衬底共同形成器件内的平面PN结；N+型发射区，开设于P型基区远离N‑型硅衬底的一侧；若干复合沟...
    2026-05-10
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202610135553.0
    本申请公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该制造方法包括：提供半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；在半导体本体形成阱区和第一区域，第一区域位于第一表面，阱区位于第一区域远离第一表面的一侧；在第一表面形成栅...
    2026-05-10
  • GaN基HEMT器件及其制备方法
    GaN基HEMT器件及其制备方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202610234521.6
    本发明公开了一种GaN基HEMT器件及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：提供生长衬底；在生长衬底上制备二维绝缘材料层；在二维绝缘材料层上基于范德华外延生长制备GaN基外延结构，所述GaN基外延结构包括依次层叠于二维绝缘材料层上的沟道层和...
    2026-05-10
  • 一种HEMT器件的钝化层刻蚀方法及HEMT器件
    一种HEMT器件的钝化层刻蚀方法及HEMT器件_上海邦芯半导体科技有限公司_202610433859.4
    本申请实施例公开了一种HEMT器件的钝化层刻蚀方法及HEMT器件，方法包括：提供具有钝化层的功能层；在钝化层表面上形成牺牲层，在牺牲层表面上形成开口；在逐渐升高的第一温度下，对在开口中露出的钝化层表面进行等离子体干法刻蚀，形成底部位于钝化层...
    2026-05-10
  • 晶体管及其制备方法
    晶体管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511809003.4
    本公开提供了一种晶体管及其制备方法，属于电力电子领域。该晶体管包括：衬底、硅缓冲层和外延层，所述硅缓冲层和所述外延层依次层叠在所述衬底上，所述硅缓冲层具有点缺陷。本公开实施例能改善衬底与外延层之间因为晶格失配或热失配而导致的位错缺陷，提升晶...
    2026-05-10
  • 改善电流坍塌的晶体管及其制备方法
    改善电流坍塌的晶体管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511843101.X
    本公开提供了一种改善电流坍塌的晶体管及其制备方法，属于电力电子领域。该晶体管包括：衬底、缓冲层、阻漏层和异质结，所述缓冲层、所述阻漏层和所述异质结依次层叠在所述衬底上；所述阻漏层包括掺杂铁性材料的半导体层。本公开实施例能改善缓冲层捕获电子形...
    2026-05-10
  • 多沟道晶体管及其制备方法
    多沟道晶体管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511868301.0
    本公开提供了一种多沟道晶体管及其制备方法，属于电力电子领域。该多沟道晶体管包括：外延层、绝缘层、栅电极、源电极和漏电极；所述外延层包括多个层叠的异质结，所述外延层的顶面具有至少贯穿一个所述异质结的凹槽；所述源电极和所述漏电极位于所述外延层上...
    2026-05-10
  • 肖特基和欧姆混合漏极增强型GaN高电子迁移率晶体管
    肖特基和欧姆混合漏极增强型GaN高电子迁移率晶体管_桂林电子科技大学_202610060145.3
    本发明涉及半导体技术领域，具体涉及肖特基和欧姆混合漏极增强型GaN高电子迁移率晶体管，金属源极、金属栅极、P‑GaN区、第一肖特基漏极、欧姆漏极、第二肖特基漏极、AlGaN势垒层、GaN沟道层、AlGaN缓冲层、AlN成核层和衬底层，第一肖...
    2026-05-10
  • 一种深源极刻蚀宽禁带晶体管及其制造方法
    一种深源极刻蚀宽禁带晶体管及其制造方法_西安电子科技大学_202610079416.X
    本发明属于半导体器件技术领域，针对现有的宽禁带晶体管容易发生单粒子烧毁的问题，本发明公开了一种深源极刻蚀宽禁带晶体管及其制备方法，该深源极刻蚀宽禁带晶体管包括基础组件，基础组件的上表面两端分别设置有源极和漏极，源极和漏极之间设置有栅极，源极...
    2026-05-10
  • 一种具有PIN结控制栅源桥的GaN HEMT器件及其制备方法
    一种具有PIN结控制栅源桥的GaN HEMT器件及其制备方法_电子科技大学_202610131065.2
    本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有PIN结控制栅源桥的GaN HEMT器件及其制备方法。本发明主要特征为，相比传统肖特基p‑GaN栅，PIN结栅降低栅极表面电场，抑制栅极泄漏电流，大大提升器件的栅极击穿电压。同时，引入PIN结控制栅...
    2026-05-10
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