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  • 本发明涉及化学刻蚀技术领域,提供一种用于消除化学刻蚀印的方法及装置,该方法包括将待刻蚀基材浸没于刻蚀液中,通过夹持机构对待刻蚀基材进行非固定夹持;对待刻蚀基材施加作用力,使待刻蚀基材上的夹持点处于动态变化状态。本发明提供的用于消除化学刻蚀印...
  • 本发明涉及半导体硅片制造技术领域,尤其是一种8吋硅片酸腐蚀加工工艺,包含以下步骤:S1、清洗待腐蚀的8吋硅片,去除表面的氧化层和杂质,之后干燥处理;S2、对硅片表面进行扫描,根据获取的硅片表面初始形貌数据建立初始形貌三维模型;S3、腐蚀槽内...
  • 本发明公开了一种应用于半导体键合片解除封装后的分离装置,涉及半导体键合片技术领域。具体公开了一种应用于半导体键合片解除封装后的分离装置,半导体键合片解封装后的晶圆、石墨环、石墨盘和石墨托片;分离装置包括壳体、旋转机构、定位机构、顶升机构和清...
  • 本申请涉及一种半导体器件解键合设备及解键合方法,设备包括:转盘组件,沿周向设置有多个载置台,转盘组件能够在外力作用下带动多个载置台转动;移载组件,能够将半导体器件移入或移出载置台;解键合组件,包括激光发生器和位于半导体器件上方的环形吸风件,...
  • 本公开提供了一种单片清洗装置及方法,属于半导体制造装备与工艺领域。该装置包括旋转承载单元、中心与边缘流体输送系统及控制单元,通过中心喷嘴供给第一处理液实现晶圆表面疏水化后,立即停止供液并禁止中心供液,边缘摇臂将喷嘴精准定位至晶圆边缘特定径向...
  • 本发明公开了一种IC载板图形转移清洗工艺优化方法,包括:对已完成显影处理的IC载板进行离子功能化水洗处理;其中所述离子功能化水洗处理采用含有Ca2+和SO42‑的水洗液;所述水洗液中Ca2+与SO42‑浓度为4‑6 ppm,pH值为6‑8,...
  • 本发明涉及一种用于清洁碳化硅晶圆表面金属残留、以及测量碳化硅晶圆表面金属残留的方法。该方法由处理装置执行,处理装置至少包括晶圆容纳空间、与晶圆容纳空间连通的导流通道和排出通道,包括:将酸性蒸汽输送至位于晶圆容纳空间内的碳化硅晶圆表面,以便蒸...
  • 本发明公开了一种半导体晶片的清洗方法,涉及半导体晶片加工技术领域。该方法包括三步核心工序,先通过气液双相冲击对晶片表面进行初步清洁,再将晶片置于复合清洗液中进行超声辅助清洗,最后经低频超声处理后,采用惰性气体吹扫结合真空干燥完成处理。复合清...
  • 本发明提供一种测试平台及吹扫测试系统,涉及半导体技术领域。该测试平台用于对晶圆传送盒进行吹扫测试,包括基台、吹扫连接结构、盖体和检测连接结构,其中,基台用于承载晶圆传送盒,吹扫连接结构设于基台,配置为:密封连接于吹扫组件和晶圆传送盒的吹扫气...
  • 本申请提供了一种单晶圆处理设备及其控制方法。单晶圆处理设备包括晶圆保持部、二流体喷嘴、压力校正装置以及移动装置。所述晶圆保持部配置用于承载晶圆。所述二流体喷嘴配置用于向所述晶圆提供由气体和工艺液体组成的混合流体。所述压力校正装置配置用于量测...
  • 本申请涉及一种气体检测曲线的平滑方法、清洁控制方法、电子设备及半导体工艺设备,气体检测曲线的平滑方法包括:获取终点检测装置输出的清洁输出气体的曲线;清洁输出气体的曲线包括清洁输出气体的首个清洁输出值至当前清洁输出值之间所有的清洁输出值;以首...
  • 本发明公开了一种环部件、处理腔体以及基板处理装置。根据本发明的一实施例的环部件的特征在于,作为在处理腔体内配置为围绕处理腔体的基板支承单元的环部件,包括:环形状的环主体;以及热传导调节涂层,在所述环主体的周向上形成于所述环主体的表面局部区域...
  • 本发明涉及一种多级装置及其控制方法以及裸片键合装置,多级装置可以包括:夹持部;第一容纳部,与所述第一半导体材料的至少一部分相对应地形成以使得能够从第一机械臂接收第一半导体材料;以及第二容纳部,与所述第二半导体材料的至少一部分相对应地形成以使...
  • 本发明涉及基板处理装置和锁定键的清洁方法。防止基板被源自锁定键和与锁定键接触的构件的微粒污染。将形成于基板的上表面的液膜置换为超临界流体来对所述基板进行干燥的基板处理装置具备:压力容器,其在内部具有进行所述基板的干燥的干燥室;盖体,其封堵所...
  • 本发明涉及一种大尺寸CCD贴装工艺优化方法,属于半导体封装技术领域。该方法包括:根据待贴装的CCD尺寸,选择合适的导电胶;基于幂律流变方程、接触压力和几何约束建立覆盖率溢胶耦合方程,并计算导电胶参数;结合CCD尺寸和求得的导电胶参数得到涂胶...
  • 本申请公开了一种集成磁器件封装成型装置及封装测试方法,涉及集成磁器件封装成型的技术领域。一种集成磁器件封装成型装置,包括输送机构、装配机构、第一点胶机构和第二点胶机构;所述装配机构用于将芯片放入凹槽内,所述第一点胶机构包括用于在凹槽内环绕芯...
  • 本申请涉及一种半导体存储设备控制方法、装置和设备。所述方法包括:接收半导体搬运任务,所述半导体搬运任务携带有起始地和目的地;在所述起始地和目的地中至少一个为目标半导体存储设备中的处于禁用状态的自动端口的情况下,确定所述目标半导体存储设备对应...
  • 本发明涉及半导体芯片加工技术领域,具体涉及一种半导体芯片加工用蚀刻装置;包括底板、废液箱和辅助组件,辅助组件包括放置构件、密封板、定位板、圆柱、超声波发生器、换能器和开闭构件,加工时先打开开闭构件将半导体芯片通过放置构件放置,然后注入蚀刻液...
  • 本申请提供一种贴膜设备及贴膜方法,贴膜设备包括贴膜室、贴膜装置、离子风机以及控制模块;贴膜室内用于放置待贴膜产品;待贴膜产品设置有背银层;贴膜装置设置在贴膜室内,贴膜装置用于在工作状态下对待贴膜产品进行贴膜;离子风机用于朝向贴膜室内输出离子...
  • 本发明涉及晶圆扩散技术领域,更具体地说,它涉及一种用于晶圆掺杂的扩散装置及工艺,包括机体,所述机体内部设置有扩散加热炉,且所述扩散加热炉一端设置有杂质进气管,所述杂质进气管贯穿机体延伸至其外部,且所述杂质进气管贯穿机体延伸至其外部的一端设置...
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