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最新专利技术
  • 一种基于界面纳米绒化的铜合金均热板及低温扩散焊方法
    一种基于界面纳米绒化的铜合金均热板及低温扩散焊方法_陕西斯瑞铜合金创新中心有限公司_202512017234.8
    本发明公开了一种基于界面纳米绒化的铜合金均热板及低温扩散焊方法，均热板包括通过低温扩散焊连接的上盖板和下盖板，二者围成内含毛细结构和工作流体的真空腔体，在焊接界面处具有一个纳米绒层经互嵌、扩散和再结晶形成的纳米互锁过渡区。方法包括以下步骤：...
    2026-04-24
  • 一种功率模块控制系统及控制方法
    一种功率模块控制系统及控制方法_桂林电子科技大学_202610044701.8
    本申请属于功率模块控制技术领域，公开一种功率模块控制系统及控制方法，通过在功率模块中集成TEC散热器，由散热基板通过下表面对外散热，同时由TEC散热器通过上表面对外散热，提高散热效率；更关键在于，利用MCU模块控制TEC散热器先于每个MOS...
    2026-04-24
  • 一种高集成电子器件微通道散热器
    一种高集成电子器件微通道散热器_南京工业大学_202511838746.4
    本发明提供一种高集成电子器件微通道散热器，包括仿生鱼鳞型微通道结构、气液分离膜、微通道散热装置保护壳、插入式液体挡板、丝杠控制插销和支撑插销；所述仿生鱼鳞型微通道结构采用半包覆式结构贴附于芯片上侧；所述气液分离膜设置于微通道结构顶部，并与微...
    2026-04-24
  • 一种芯片冷却装置
    一种芯片冷却装置_中国第一汽车股份有限公司_202512014195.6
    本发明涉及车辆芯片制造技术领域，尤其涉及一种芯片冷却装置，芯片冷却装置的结构包括箱体；多个波浪板，设置在所述箱体内，多个所述波浪板在竖直方向上分层设置，相邻的两层所述波浪板之间夹设形成有进水流道或出水流道，所述进水流道与所述出水流道位于不同...
    2026-04-24
  • 一种基于液态金属的多层梯度阵列射流微通道结构
    一种基于液态金属的多层梯度阵列射流微通道结构_桂林电子科技大学_202610044172.1
    本发明涉及到了一种基于液态金属的射流微通道多层阵列梯度结构，主要是使用多层梯度阵列结构改善射流散热器散热的温度均匀性。结构包括流质进出口，流质腔室，射流孔，圆柱形针鳍，矩形肋片，陶瓷基底。射流孔层布置有密集的射流孔梯度阵列，从里向外射流孔的...
    2026-04-24
  • 芯片封装结构及晶圆
    芯片封装结构及晶圆_上海芯联芯智能科技有限公司_202610303437.5
    本申请涉及一种芯片封装结构及晶圆；该芯片封装结构包括堆叠设置的第一芯片单元和第二芯片单元；第一芯片单元接触第二芯片单元的一面开设有第一沟槽，第二芯片单元接触第一芯片单元的一面开设有第二沟槽；第一沟槽与第二沟槽配合形成散热液体流通道，散热液体...
    2026-04-24
  • 一种具有新型高效回水结构的芯片散热均热板
    一种具有新型高效回水结构的芯片散热均热板_华南理工大学_202610256440.6
    本发明公开了一种具有新型高效回水结构的芯片散热均热板，属于散热设备技术领域，该均热板包括受热板、散热板和复合吸液芯，受热板中心设有用于接触热源的下沉式凹槽；散热板为与受热板焊接连接的平板状散热板；受热板与散热板正对设置，共同形成一密闭腔室，...
    2026-04-24
  • 半导体元件
    半导体元件_福建省晋华集成电路有限公司_202511743024.0
    本发明公开了一种半导体元件，包括衬底；第一介质层，位于衬底上；第一互连结构及对准结构，位于第一介质层中；第二介质层，位于第一介质层上，物理性接触对准结构的顶面及部分侧壁和第一介质层的顶面；以及第二互连结构，位于第二介质层中并直接接触第一互连...
    2026-04-24
  • 半导体结构的制造方法及半导体结构
    半导体结构的制造方法及半导体结构_华润润安科技(重庆)有限公司_202411389195.3
    本申请提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构。所述制造方法包括：形成第一中间结构和第二中间结构；第一中间结构包括第一载板、位于第一载板一侧的第一电气元件、包封第一电气元件的第一塑封层及导电柱；第二中间结构包括第二载板及贴装在第二载板一侧的...
    2026-04-24
  • 一种转接板及其制备方法、处理器及其制备方法
    一种转接板及其制备方法、处理器及其制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511718763.4
    本发明提供一种转接板及其制备方法、处理器及其制备方法，所述转接板的制备方法包括：基于第一基片制备第一组件，所述第一组件包括微流道结构和填充在所述微流道结构中的超导金属；基于第二基片制备第二组件，第二组件包括盲孔；在真空环境下基于微流道结构与...
    2026-04-24
  • 一种铜系LTCC基板的高平整度围框焊接区的制作方法
    一种铜系LTCC基板的高平整度围框焊接区的制作方法_西安空间无线电技术研究所_202511977498.1
    本发明提供了一种铜系LTCC基板的高平整度围框焊接区的制作方法，包括：步骤一，内嵌铜浆料：在生瓷带叠层中的预定围框焊接区域位置，内嵌铜浆料，形成与围框焊接区域形状一致的嵌入式铜结构。步骤二，层压与低温共烧：将经过步骤一内嵌铜浆料的生瓷带叠层...
    2026-04-24
  • 一种集成电路通孔的垂直互连工艺
    一种集成电路通孔的垂直互连工艺_广东工业大学_202511995835.X
    本发明公开了一种集成电路通孔的垂直互连工艺，步骤包括制备导电浆料、填充贯穿孔、通电致密化、干燥和保温。所述集成电路通孔的垂直互连工艺采用导电探针通电的方式，使导电浆料在低温条件下同时受到电水力空泡效应与脉冲焦耳热作用，实现了在较低温度条件下...
    2026-04-24
  • 一种互连结构中微孔的填充工艺及其填充设备
    一种互连结构中微孔的填充工艺及其填充设备_广东工业大学_202511995837.9
    本发明属于电子材料与微电子封装技术领域，尤其涉及一种互连结构中微孔的填充工艺及其填充设备，包括以下步骤：A.制备核壳微胶囊；其中，所述核壳微胶囊包括由内至外依次设置的液态金属内核和导电外壳层，且所述液态金属内核的原料包括熔点小于30℃的液态...
    2026-04-24
  • 一种基于ETS流程引线回蚀的制作方法及封装基板
    一种基于ETS流程引线回蚀的制作方法及封装基板_武汉新创元半导体有限公司_202512036578.3
    本发明公开了一种基于ETS流程引线回蚀的制作方法及封装基板，其中方法包括：在可分离芯板的金属底面上形成金属合金层；在所述金属合金层上制作嵌入式迹线层图形，所述嵌入式迹线层图形包含功能图形和引线图形；对所述引线图形进行蚀刻，使其厚度低于功能图...
    2026-04-24
  • 一种DPC陶瓷基板通孔填孔的方法
    一种DPC陶瓷基板通孔填孔的方法_黄山芯微电子股份有限公司_202512048024.5
    本发明公开了一种DPC陶瓷基板通孔填孔的方法，包括以下步骤：S1. 激光钻孔：采用激光在陶瓷基板上钻取通孔，所述激光的参数被配置为使所述通孔的内壁形成微观粗糙面；S2. 清洗：对带有通孔的陶瓷基板进行清洗；S3. 活化与形成金属过渡层：对清...
    2026-04-24
  • 一种半导体芯片制造基板处理设备
    一种半导体芯片制造基板处理设备_苏州中瑞宏芯半导体有限公司_202610045763.0
    本发明公开了一种半导体芯片制造基板处理设备，包括清洗箱，和位于清洗箱内的芯板承载机构，所述芯板承载机构包括托板，和与托板滑动连接的第一固定板，所述第一固定板顶面与第二固定板固定粘接，所述第二固定板顶面铰接有承载板，所述第一固定板和第二固定板...
    2026-04-24
  • 一种供电基板结构及其制备方法
    一种供电基板结构及其制备方法_合肥沛顿存储科技有限公司_202610289050.9
    本发明提供一种供电基板结构及其制备方法，包括在第一载体表面涂覆剥离层；制作呈蛇形布置的第一塑封体；在第一塑封体上开孔形成贯穿第一塑封体的模塑通孔并填充导电材料；在第一载体上的预留区域贴装功能器件；第二次封装模塑形成第二塑封体，第二塑封体覆盖...
    2026-04-24
  • 半导体封装及方法
    半导体封装及方法_半导体元件工业有限责任公司_202411742068.7
    本公开涉及半导体封装及方法。一种封装包括半导体管芯，该半导体管芯设置在引线框架上。源极接触焊盘设置在半导体管芯上。该封装还包括引线柱，该引线柱由形成封装的外部端子的多根引线共享。引线柱具有线夹锁定特征部。线夹将源极接触焊盘连接到引线柱。线夹...
    2026-04-24
  • 瞬态电压抑制器件
    瞬态电压抑制器件_苏州锝耀电子有限公司_202511240749.8
    本发明公开一种瞬态电压抑制器件，包括：位于环氧封装体内的第一引线条、第二引线条和2个在竖直方向上叠置的瞬态二极管芯片，位于上方的瞬态二极管芯片的负极与位于下方的瞬态二极管芯片的负极之间设置有一铜片，此铜片上间隔地开有若干个通孔，所述铜片的2...
    2026-04-24
  • 半导体器件和引线框
    半导体器件和引线框_罗姆股份有限公司_202511978280.8
    本发明提供一种半导体器件和引线框，能够实现半导体器件的适当的动作，并且提高树脂部与引线的密接性。包括半导体元件(1)、具有第1焊盘部(21)的第1引线(2)、具有第2焊盘部(31)的第2引线(3)、导通部件(61)和树脂部(8)，第1焊盘部...
    2026-04-24
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