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最新专利技术
  • 一种基于元素梯度设计的分层结构自选通存储器件
    一种基于元素梯度设计的分层结构自选通存储器件_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202511920482.7
    本发明涉及一种基于元素梯度设计的分层结构自选通存储器件，所述自选通存储器件包括下电极、功能层和上电极，功能层包括A元素富集层、B元素富集层以及设于A元素富集层和B元素富集层之间的A元素和B元素构成的中间层；该元素梯度设计能使器件同时获得显著...
    2026-04-24
  • 一种复合衬底、半导体晶圆及制备方法、半导体器件
    一种复合衬底、半导体晶圆及制备方法、半导体器件_福建晶安光电有限公司_202511762552.0
    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种复合衬底、半导体晶圆及制备方法、半导体器件。该复合衬底包括第一衬底，所述第一衬底包括氮化铝层；第二衬底，所述第二衬底为蓝宝石衬底；键合层，位于所述第一衬底和所述第二衬底之间；所述第一衬底的厚度h1大...
    2026-04-24
  • 一种硅衬底表面的铝局部掺杂方法、掺杂铝的硅衬底及PN结
    一种硅衬底表面的铝局部掺杂方法、掺杂铝的硅衬底及PN结_株洲中车时代半导体股份有限公司_202411839211.4
    本发明涉及硅衬底表面的铝局部掺杂方法、掺杂铝的硅衬底及PN结。硅衬底表面的铝局部掺杂方法包括：(1)在硅衬底表面沉积氮化硅掩蔽膜；(2)刻蚀氮化硅掩蔽膜层，得到具有掺杂窗口的硅衬底；(3)将金属铝放置于反应管中，反应管升温至第一温度，金属铝...
    2026-04-24
  • 碳化硅半导体结构的制备方法和碳化硅半导体结构
    碳化硅半导体结构的制备方法和碳化硅半导体结构_株洲中车时代半导体股份有限公司_202510692702.9
    本发明公开一种碳化硅半导体结构的制备方法和碳化硅半导体结构。碳化硅半导体结构的制备方法包括：在碳化硅层表面形成的第一欧姆接触层和第二欧姆接触层；第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的厚度均为纳米级，第二欧姆接触层的熔点小于第一欧姆接触层的熔点；对...
    2026-04-24
  • 一种低温多晶硅薄膜制备方法及低温多晶硅薄膜
    一种低温多晶硅薄膜制备方法及低温多晶硅薄膜_中国移动通信集团设计院有限公司_202511780263.3
    本申请公开了一种低温多晶硅薄膜制备方法，用以解决采用现有的低温多晶硅薄膜制备方法制备得到的低温多晶硅薄膜钝化效果不稳定且易形成氢致缺陷的问题。方法包括：在衬底基板上形成缓冲层；在所述缓冲层远离所述衬底基板的表面形成非晶硅层，对所述非晶硅层进...
    2026-04-24
  • 一种晶圆级芯片P面电极前处理方法
    一种晶圆级芯片P面电极前处理方法_山东华光光电子股份有限公司_202511891023.0
    本发明涉及一种晶圆级芯片P面电极前处理方法，属于半导体器件的技术领域。所述方法包括如下步骤：(1)采用PECVD工艺，在晶圆级芯片P面制备Si3N4薄膜层；(2)在Si3N4薄膜上，磁控溅射Ti黏附层，然后高温热处理促进Ti黏附层与Si3N...
    2026-04-24
  • 半导体结构的制备方法及沉积设备
    半导体结构的制备方法及沉积设备_江苏首芯半导体科技有限公司_202512000489.3
    本公开涉及半导体制造领域，提供一种半导体结构的制备方法及沉积设备，至少可以改善膜层的良率以及节省工作时间。制备方法包括：对基底进行第一沉积步骤，第一沉积步骤包括通入第一气体以及第二气体，并检测等离子体负载阻抗虚部的第一变化量；若第一变化量到...
    2026-04-24
  • 一种改善介质层湿法刻蚀角度的方法、介质层及半导体器件
    一种改善介质层湿法刻蚀角度的方法、介质层及半导体器件_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202610038105.9
    本发明公开了一种改善介质层湿法刻蚀角度的方法、介质层及半导体器件，包括：在衬底的表面形成介质层；对所述介质层远离所述衬底一侧的表面进行等离子处理，以调控所述表面的致密性，获得改性表面；在所述改性表面上形成掩膜层，所述掩膜层设置有开口，并暴露...
    2026-04-24
  • 一种通过低温离子注入工艺选择性调控图案尺寸的方法
    一种通过低温离子注入工艺选择性调控图案尺寸的方法_腾云创芯半导体材料(上海)有限公司_202512007510.2
    本发明公开一种通过低温离子注入工艺选择性调控图案尺寸的方法，属于集成电路制造技术领域，包括：获得中间体材料；对中间体材料进行低温离子注入，以在中间膜层非镂空部分的竖向侧壁上生成改性层；通过原子层沉积进行选择性成长，形成覆盖中间体材料表面的沉...
    2026-04-24
  • 一种图案轮廓通过低温离子注入工艺的优化方法
    一种图案轮廓通过低温离子注入工艺的优化方法_腾云创芯半导体材料(上海)有限公司_202512007714.6
    本发明公开一种图案轮廓通过低温离子注入工艺的优化方法，其属于集成电路制造技术领域，其包括：获得待优化的材料；对待优化的材料进行低温离子注入，以在薄膜层非镂空部分的竖向侧壁上生成非晶层；通过湿法刻蚀将非晶层以及掩膜层清洗去除，获得薄膜层上优化...
    2026-04-24
  • 激光退火的均匀化控制方法、系统、设备及存储介质
    激光退火的均匀化控制方法、系统、设备及存储介质_重庆芯联微电子有限公司_202511795362.9
    本申请提供一种激光退火的均匀化控制方法、系统、设备及存储介质，该方法包括：基于晶圆尺寸和激光参数，通过扫描路径算法动态计算生成非连续相邻扫描路径序列，并按照所述非相邻扫描路径序列进行跳跃式扫描；实时监控所述跳跃式扫描的扫描进度并重复执行所述...
    2026-04-24
  • 一种显示驱动半导体芯片的刻蚀装置
    一种显示驱动半导体芯片的刻蚀装置_深圳市科立迅电子有限公司_202610049818.5
    本发明涉及一种显示驱动半导体芯片的刻蚀装置，属于半导体制造技术领域。包括本体，所述本体前端设有吸附组件，所述吸附组件底部设有移动组件，所述吸附组件包括顶盖，所述顶盖顶部转动连接有转动盘，所述转动盘顶部中心位置固定安装有伺服电机一。本发明通过...
    2026-04-24
  • 蚀刻方法
    蚀刻方法_株式会社爱发科_202511400190.0
    本申请提供一种蚀刻方法，将形成于氮化硅膜的表面的自然氧化膜除去。包括：在向蚀刻对象供给氟化氢气体后供给自由基，由此蚀刻氮化硅膜的表面氧化物层(步骤S 13、步骤S 14)；和，多次重复向表面氧化物层已被蚀刻的蚀刻对象供给氟化氢气体后供给自由...
    2026-04-24
  • 一种极低功率干法刻蚀氮化硅的方法
    一种极低功率干法刻蚀氮化硅的方法_合肥芯谷微电子股份有限公司_202610314107.6
    本发明涉及氮化硅刻蚀技术领域，具体为一种极低功率干法刻蚀氮化硅的方法，包括以下步骤：S1.将待刻蚀工件固定于等离子体刻蚀机的卡盘上，关闭腔室后抽真空至腔室本底压力≤2mTorr；S2.向腔室通入复合刻蚀气体；S3.启动脉冲射频电源激励复合气...
    2026-04-24
  • 一种简易漂浮式湿法面刻蚀方法及装置
    一种简易漂浮式湿法面刻蚀方法及装置_西安电子科技大学芜湖研究院_202511878531.5
    本申请提供了一种简易漂浮式湿法面刻蚀方法及装置，该装置包括卡塞容器主体，在卡塞容器主体沿内壁一圈自上而下设置有多个槽位，每个槽位距离卡塞容器主体底面的高度不同，槽位上用于放置晶圆，卡塞容器主体内配备有湿法药液，使得晶圆的刻蚀面接触所述湿法药...
    2026-04-24
  • 一种外延片上残留铟球的处理方法
    一种外延片上残留铟球的处理方法_福建兆元光电有限公司_202610045193.5
    本发明公开了一种外延片上残留铟球的处理方法，包括以下步骤：S1、将表面带有铟球残留的外延片浸入BOE蚀刻液中进行处理；S2、将外延片充分冲洗并进行干燥处理；S3、将外延片浸入511清洗液中进行处理；S4、将外延片充分冲洗并进行干燥处理，得到...
    2026-04-24
  • 基板处理方法和基板处理装置
    基板处理方法和基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202511349711.4
    本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够利用药液高效地对基板进行处理。本公开的一个方式的基板处理方法包括保持工序、浸渍工序、加压工序以及照射工序。在保持工序中，将表面具有抗蚀膜的基板在能够密闭的处理空间内水平地保持。在浸渍工序中，向处...
    2026-04-24
  • 一种基于紫外光固化的晶圆切割胶带的制备方法
    一种基于紫外光固化的晶圆切割胶带的制备方法_上海精珅新材料有限公司_202610303657.8
    本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种基于紫外光固化的晶圆切割胶带的制备方法，包括获取当前基材厚度对应的基准拉伸率确定基膜延展风险系数，获取目标干胶层厚度确定胶层厚度系数，基于基膜延展风险系数和胶层厚度系数确定胶层动态粘性保持指数以确定...
    2026-04-24
  • 一种新型集成电路解键合工艺方法
    一种新型集成电路解键合工艺方法_日月新先进技术研究(昆山)有限公司_202511985502.9
    本发明公开了一种新型集成电路解键合工艺方法，属于集成电路技术领域。包括：准备玻璃基板；于所述玻璃基板上设置LAL层；于所述LAL层上涂布并固化第一层介质层；对所述第一层介质层进行曝光、显影，形成开窗部分；所述开窗部分保留部分第一介质层；构建...
    2026-04-24
  • 带多级喷淋清洗和真空红外干燥清洗机结构的单晶硅片超声清洗机
    带多级喷淋清洗和真空红外干燥清洗机结构的单晶硅片超声清洗机_大连理工大学滇西产业发展研究院_202512023093.0
    本发明涉及清洗机技术领域，具体为带多级喷淋清洗和真空红外干燥清洗机结构的单晶硅片超声清洗机，包括清洗座以及安装于清洗座顶端的托料装置，清洗座顶面沿圆周依次开设有超声清洗腔、臭氧水喷淋腔、氢氟酸喷淋腔、碱性喷淋腔、酸性喷淋腔以及真空红外干燥腔...
    2026-04-24
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