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最新专利技术
  • 太阳能电池及其制造方法、光伏组件
    太阳能电池及其制造方法、光伏组件_天合光能股份有限公司_202610059738.8
    本申请提供一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件，涉及光伏技术领域。本申请先向工艺腔中通入笑气在硅基体表面形成氧化硅层，再向工艺腔中通入含氮特气，并使该含氮特气形成为等离子体以对氧化硅层进行等离子体处理，使得氧化硅层中的氮原子含量沿远离硅基体...
    2026-04-25
  • 一种兼容铜电镀金属化的免掺杂电子选择接触晶硅太阳电池的制备方法
    一种兼容铜电镀金属化的免掺杂电子选择接触晶硅太阳电池的制备方法_南开大学_202610085743.6
    本发明属于高效晶硅太阳电池技术领域，具体涉及一种兼容铜电镀金属化的免掺杂电子选择接触晶硅太阳电池的制备方法。该方法采用含钛氮化物(TiN或TiOxNy)薄膜作为正面电子选择性接触层，通过电子束蒸发、磁控溅射或原子层沉积等物理/化学气相沉积技...
    2026-04-25
  • 一种用于动态加密通信的宽带光探测器及其制备方法
    一种用于动态加密通信的宽带光探测器及其制备方法_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202610308118.3
    本申请属于光探测器技术领域。提供一种用于动态加密通信的宽带光探测器的制备方法，包括步骤S1：提供SiO2/Si衬底；步骤S2：在SiO2/Si衬底上通过定向转移的方式依次转移第一过渡金属硫化物和第二过渡金属硫化物，形成过渡金属硫化物层；步骤...
    2026-04-25
  • 一种异质结太阳能电池及其制备方法
    一种异质结太阳能电池及其制备方法_上海恒羲光伏科技有限公司_202511903010.0
    本申请提供一种异质结太阳能电池及其制备方法，涉及光伏电池技术领域，本申请的异质结太阳能电池能够有效的平衡TCO层与其分别相邻的掺杂晶硅层和金属电极层的界面间的功函数匹配和接触电阻之间的关系，以提高异质结太阳能电池的效率和性能。
    2026-04-25
  • 电池片及光伏组件
    电池片及光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202511787148.9
    本申请公开了一种电池片及光伏组件，属于电池片技术领域。包括基底和细栅线，多个细栅线在基底上阵列排布；细栅线包括基体层和反射层，反射层至少覆盖于部分基体层上。在本申请实施例中，通过设置光反射层使得短波长光通过反射层直接反射到基底，以及光通过反...
    2026-04-25
  • 一种防止铜扩散的柔性太阳能电池
    一种防止铜扩散的柔性太阳能电池_厦门银科启瑞半导体科技有限公司_202512004384.5
    本发明公开一种防止铜扩散的柔性太阳能电池，包括外延层、金属层和Cu层，所述外延层为多结电池的外延层；所述金属层位于外延层上，且金属层的结构为Cr/Ti/Pt/Pd/Ni/Au，其中，Cr/Ti/Pt/Pd/Ni为金属渐变缓冲层，Au为种子层...
    2026-04-25
  • 太阳能电池、光伏组件
    太阳能电池、光伏组件_晶科能源(上饶)有限公司_202610110417.6
    本公开涉及一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件，将太阳能电池的第一面的第一栅线电极、第二面第二栅线电极两者至少一者设置为包括银铜电极，并进一步设计银铜电极包括银接触层和银包铜层；一方面，银铜电极通过银接触层与基底连接，银接触层与基底具有良好...
    2026-04-25
  • 太阳电池及其制备方法和电池组件
    太阳电池及其制备方法和电池组件_通威太阳能(成都)有限公司_202411409108.6
    本申请公开了太阳电池及其制备方法和电池组件，太阳电池包括：电池片基体、第一电极层、第二电极层、第一感光胶层和第二感光胶层，第一电极层包括多个第一子电极层，第二电极层包括多个第二子电极层，第一感光胶层包括多个第一子感光胶层，第一子感光胶层设置...
    2026-04-25
  • 一种新型高效光转换光伏玻璃及其制备方法
    一种新型高效光转换光伏玻璃及其制备方法_远东绿能科技(广东)有限公司_202610292464.7
    本申请属于太阳能光伏技术领域，提供了一种新型高效光转换光伏玻璃及其制备方法，包括：制备新型高效光转换光伏玻璃对应的玻璃彩釉油墨，通过将玻璃粉、光转换材料、珠光粉、光扩散粒子和有机载体混合；光转换材料的含量大于5%且小于30%；珠光粉粒径大于...
    2026-04-25
  • 一种太阳能电池、组件及系统
    一种太阳能电池、组件及系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202610304227.8
    本发明属于太阳能电池技术领域，涉及一种太阳能电池、组件及系统，包括 : 硅衬底；以及设置在所述硅衬底表面的金字塔结构，所述金字塔结构的表面形成有凸起，所述凸起的平均高度为1nm~50nm。本发明通过在金字塔绒面上设置纳米尺寸的凸起，有效降低...
    2026-04-25
  • 太阳能电池、叠层电池及光伏组件
    太阳能电池、叠层电池及光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202610304278.0
    本申请提供了一种太阳能电池、叠层电池及光伏组件，太阳能电池包括：硅衬底，硅衬底包括相对设置的两个表面；至少一个表面上设有多个第一纹理结构，第一纹理结构的侧壁上具有多个第二纹理结构，第二纹理结构凹陷设于第一纹理结构的侧壁，沿硅衬底的厚度方向，...
    2026-04-25
  • 光电探测器及光电探测器的制备方法
    光电探测器及光电探测器的制备方法_上海奇算光启信息技术有限公司_202610304918.8
    本发明提供一种光电探测器及光电探测器的制备方法，包括：光电功能区位于输入波导一侧，光电功能区包括慢光吸收区和分别位于慢光吸收区两侧的P型掺杂区、N型掺杂区；慢光吸收区与输入波导的输出口连接，慢光吸收区包括沿光波的传输方向延伸的线缺陷波导区和...
    2026-04-25
  • 一种适应多电流密度的Micro LED外延生长方法及外延结构
    一种适应多电流密度的Micro LED外延生长方法及外延结构_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202512001994.X
    本发明公开了一种适应多电流密度的Micro LED外延生长方法及外延结构。该方法包括在衬底上依次生长n型GaN层、V形坑形成层、多量子阱发光层、低温p‑GaN层、电子阻挡层及高温p‑GaN层。本发明的核心在于根据Micro LED器件的目标...
    2026-04-25
  • 一种紫外发光二极管用AlN衬底的V型坑开槽方法、AlN衬底及紫外发光二极管
    一种紫外发光二极管用AlN衬底的V型坑开槽方法、AlN衬底及紫外发光二极管_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202512009702.7
    本发明公开了一种紫外发光二极管用AlN衬底的V型坑开槽方法、AlN衬底及紫外发光二极管。该方法具体包括：将AlN籽晶固定于耐高温托盘上并置于物理气相传输生长炉的坩埚内；在抽真空并充入保护气体后，对生长炉进行变温循环退火处理，控制温度在第一高...
    2026-04-25
  • 一种LED封装工艺及封装陶瓷基板
    一种LED封装工艺及封装陶瓷基板_深圳市源科光电有限公司_202512039294.X
    本发明涉及LED封装技术领域，具体的说是一种LED封装工艺及封装陶瓷基板，在第一导热陶瓷层和第二导热陶瓷层之间形成匹配LED芯片安装方向的沟槽，并将热管弯曲成匹配沟槽的形状，从而配合LED芯片发热位置，保证对LED芯片的散热效果，减少热管的...
    2026-04-25
  • 一种半导体结构的制备方法、器件结构及发光器件
    一种半导体结构的制备方法、器件结构及发光器件_苏州纳维科技有限公司_202610047934.3
    本发明公开了一种半导体结构的制备方法、器件结构及发光器件，该制备方法包括：制备发光外延结构，发光外延结构的顶面或底面作为出光面；于发光外延结构的侧壁多周期由内向外依次形成第一结构层、第二结构层和第三结构层。第一结构层为半绝缘层，第二结构层为...
    2026-04-25
  • 发光二极管及其制备方法
    发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511751240.X
    本公开公开了发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括第一半导体层、第二半导体层以及位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的多量子阱层；所述第一半导体层包括多个周期交替层叠的N型掺杂AlxGa(1‑x)N层和C掺杂A...
    2026-04-25
  • 一种提升Micro LED抗静电能力的外延结构及生长方法
    一种提升Micro LED抗静电能力的外延结构及生长方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202512007455.7
    本发明公开了一种提升Micro LED抗静电能力的外延结构及生长方法。该外延结构沿生长方向依次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、应力释放层、多量子井发光层、低温p型GaN层、电子阻挡层及P型GaN层。其中，晶岛生长层采用三段式...
    2026-04-25
  • 一种LED芯片及其制备方法
    一种LED芯片及其制备方法_深圳市聚飞光电股份有限公司_202511911062.2
    本申请属于半导体技术领域，尤其涉及一种LED芯片及其制备方法，LED 芯片包括衬底和设置于所述衬底的外延层，所述外延层包括依次设置的成核层、缓冲层、超晶格插入层、N电极层和P电极层，所述超晶格插入层包括交替设置的第一金属氮化物层和第二金属氮...
    2026-04-25
  • 一种具有三有源区双波长发光二极管外延结构
    一种具有三有源区双波长发光二极管外延结构_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202512030079.3
    本发明公开了一种具有三有源区双波长发光二极管外延结构及其生长方法。该结构自下而上依次包括衬底、缓冲层、第一n型层、第一应力释放层、光致发绿光的第一量子阱层、作为中间接触层的第二n型层、第二应力释放层、电致发蓝光第二光量子阱层、以及混合发光的...
    2026-04-25
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