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最新专利技术
  • SMT回流焊设备
    SMT回流焊设备_深圳市科莱昂科技有限公司_202610153440.3
    本发明公开了一种SMT回流焊设备，涉及电路板生产技术领域，所述SMT回流焊设备包括机架、输送带、四个升温模块、活动密封板，所述输送带设于所述机架上，所述输送带上设有治具；四个所述升温模块相互连接，所述升温模块包括底部固定架、顶部活动盖、两隔...
    2026-04-27
  • FPC板载具回流装置
    FPC板载具回流装置_深圳市鹏创鑫自动化设备有限公司_202610163874.1
    本发明公开了FPC板载具回流装置，包括载具单元、装载工作部、卸载工作部及回流工作部。载具单元用于对FPC板进行刚性夹持与定位。装载工作部将FPC板自动装载至载具单元并输送至加工设备A完成印刷与贴片。卸载工作部接收加工后组件，将FPC板与载具...
    2026-04-27
  • 调节方法、贴片方法及贴片机
    调节方法、贴片方法及贴片机_成都领益科技有限公司_202610118685.2
    本申请公开了一种调节方法、贴片方法及贴片机，调节方法包括如下步骤：获取料带的宽度尺寸；对比料带的宽度尺寸和原定位模块的第一限位通道的宽度尺寸；若料带的宽度尺寸和原定位模块的第一限位通道的宽度尺寸适配，则正常释放料带；若料带的宽度尺寸和原定位...
    2026-04-27
  • 一种印制电路板生产用高效贴片机
    一种印制电路板生产用高效贴片机_柯建全_202310977834.7
    本发明公开了一种印制电路板生产用高效贴片机，包括储纳机构、传导机构、回流机构和贴片机构，所述传导机构固定连接于储纳机构的侧面，所述回流机构固定连接于传导机构的底部，所述贴片机构活动连接于储纳机构的侧面，所述储纳机构由外壳、支撑腿、承载底板、...
    2026-04-27
  • 一种LED铝基线路板自动贴片加工装置
    一种LED铝基线路板自动贴片加工装置_安徽佳宸电子科技有限公司_202512001690.3
    本发明涉及LED铝基板贴片领域，尤其涉及一种LED铝基线路板自动贴片加工装置，包括上安装板，所述安装板上对称固定连接有两个气缸，所述气缸伸缩杆的底端固定连接有下安装板，所述下安装底端设置有数个吸附组件，所述吸附组件包括第一连接筒，所述第一连...
    2026-04-27
  • 一种多工位电子元件自动点胶焊接一体化设备
    一种多工位电子元件自动点胶焊接一体化设备_厦门久宏鑫光电有限公司_202610089296.1
    本申请涉及一种多工位电子元件自动点胶焊接一体化设备，涉及电子元件加工技术领域，其包括机体，所述机体下端四角均固定有支腿，所述机体上端固定有壳体，所述壳体两侧均转动连接有翻转门，所述壳体两侧开口处分别设置有进料输送机和出料输送机，所述壳体内壁...
    2026-04-27
  • 一种兼容卷料和片料的贴片机
    一种兼容卷料和片料的贴片机_深圳市领鹏智能科技有限公司_202610124583.1
    本发明实施方式提供了一种兼容卷料和片料的贴片机，贴片机包括：飞达拨料机构，用于供卷料上料，并将卷料上的第一贴片分离出来；叠料机构，用于承载层叠的片料；分离机构，用于接收叠料机构上的片料，并将片料上的第二贴片分离出来；平台机构，用于承载待贴合...
    2026-04-27
  • 兼容多角度贴装的芯片贴装设备
    兼容多角度贴装的芯片贴装设备_恩纳基智能装备(无锡)股份有限公司_202610245798.9
    本申请公开了一种兼容多角度贴装的芯片贴装设备，属于半导体器件贴装技术领域；其包括供料模组和输送模组，以及移动拾取并贴装电子元件的贴装模组，输送模组顶部设有贴装相机，能沿X轴方向移动获取基板上的贴装位置，并引导贴装模组贴装；供料模组顶部设有检...
    2026-04-27
  • 动态随机存储器及其制作方法
    动态随机存储器及其制作方法_长鑫科技集团股份有限公司_202411399641.9
    提供一种动态随机存储器及其制造方法，动态随机存储器包括：衬底，所述衬底包括阵列区和外围区；有源区，所述有源区阵列排布于所述阵列区；隔离沟槽，所述隔离沟槽设置于所述有源区之间；字线结构，所述字线结构穿过所述有源区；位线结构，所述位线结构与所述...
    2026-04-27
  • 半导体结构以及半导体结构的制作方法
    半导体结构以及半导体结构的制作方法_长鑫科技集团股份有限公司_202411399653.1
    一种半导体结构以及半导体结构的制作方法，该半导体结构包括：衬底；电容结构，位于所述衬底上，所述电容结构包括依次层叠的第一电极层、电容介质层以及第二电极层；导电极板，位于所述第二电极层表面，所述导电极板至少包括基础层和位于所述基础层表面的第一...
    2026-04-27
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411411706.7
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。半导体器件包括半导体柱、接触结构和电容器，半导体柱沿第一方向延伸，接触结构沿第一方向位于半导体柱的一侧，电容器沿第一方向位于接触结构背离半导体柱的一侧，其中，接触结构包括单晶半导体层。
    2026-04-27
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511376657.2
    一种半导体器件，包括：在衬底上沿竖直方向延伸的位线；晶体管主体，电连接到位线并包括在第一水平方向上的第一源极/漏极区、沟道区和第二源极/漏极区；在与第一水平方向相交的第二水平方向上延伸并在沟道区上的栅电极，其中栅电介质层在栅电极和沟道区之间...
    2026-04-27
  • 三维半导体装置
    三维半导体装置_华邦电子股份有限公司_202511434418.8
    一种三维半导体装置，包括多个存储单元层与多个绝缘层交替地位于衬底上，以及多条位线位于衬底上且彼此相距。位线与存储单元层定义出一堆叠存储单元阵列。存储单元阵列包含多个存储单元。各存储单元包含基体、栅极结构和导电部。位于衬底上方的基体具有相对的...
    2026-04-27
  • 有限次可编程的非易失性存储器及其制备与操作方法
    有限次可编程的非易失性存储器及其制备与操作方法_行至存储科技(苏州)有限公司_202511932134.1
    本发明提供一种有限次可编程的非易失性存储器及其制备与操作方法，通过在漏极区域设置P型口袋区及N型漏掺杂区，且使两者在侧墙叠层结构的下方具有纵向交界面，从而当在N型存储晶体管正向导通时实现电子的写入，另外，当在N型存储晶体管未正向导通时，实现...
    2026-04-27
  • 双反熔丝器件和包括双反熔丝器件的存储器结构
    双反熔丝器件和包括双反熔丝器件的存储器结构_格芯(美国)集成电路科技有限公司_202511224918.9
    本公开涉及双反熔丝器件和包括双反熔丝器件的存储器结构。公开了一种具有两个电隔离的反熔丝的双反熔丝(DAF)器件。DAF器件包括栅极结构，栅极结构包括对位于第一导电区和第二导电区之间的半导体层中的凹部进行加衬的电介质层，以及位于电介质层上的导...
    2026-04-27
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511942290.6
    本申请的实施例涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括在半导体前侧上的有源区。有源区包括反熔丝控制单元，其包括多个第一晶体管。半导体器件包括与多个第一晶体管耦合的前侧金属化层。半导体器件包括位于半导体器件背侧的一次性可编程电路。一次性可编...
    2026-04-27
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_爱思开海力士有限公司_202510333663.3
    本申请涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：栅极结构，其包括层叠的本地线；第一接触插塞，其延伸穿过栅极结构并且分别连接到本地线；沟道图案，其位于栅极结构上方并且分别连接到第一接触插塞；背栅极线，其位于栅极结构和沟道图案之...
    2026-04-27
  • FLASH器件的形成方法
    FLASH器件的形成方法_上海积塔半导体有限公司_202610064975.3
    本发明涉及一种FLASH器件的形成方法。所述FLASH器件的形成方法包括如下步骤：形成基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的选择栅极、覆盖于所述选择栅极的侧壁上的选择隔离层、以及位于所述选择隔离层背离所述选择栅极一侧的浮置栅极；形成覆盖所...
    2026-04-27
  • 用于制造半导体装置的方法
    用于制造半导体装置的方法_北京磐芯微电子科技有限公司_202311285222.8
    本公开提供了一种用于制造半导体装置的方法。该半导体装置包括形成多个闪存单元的第一区域和形成金属氧化物半导体(MOS)晶体管的第二区域，每个闪存单元包括两个存储晶体管和置于其间的一个选通晶体管。根据本公开的用于制造半导体装置的方法包括：提供半...
    2026-04-27
  • 利用硅/硅锗堆叠替换提高3D NAND刻蚀效率的方法及系统
    利用硅/硅锗堆叠替换提高3D NAND刻蚀效率的方法及系统_启迪原子私人有限公司_202511391188.1
    本发明涉及一种利用硅/硅锗堆叠替换提高3D NAND刻蚀效率的方法及系统。该方法采用硅(Si)和硅锗(SiGe)堆叠替代传统的ONON堆叠。由于硅和硅锗具有较低的键合能和较高的反应活性，该方法可简化并加快刻蚀工艺，同时还能实现有效的层替换，...
    2026-04-27
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