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最新专利技术
  • 包含取代的吡啶的杀真菌混合物
    包含取代的吡啶的杀真菌混合物_巴斯夫欧洲公司_202480064519.8
    包含取代的吡啶的杀真菌混合物本发明涉及杀真菌混合物，其包含重量比为15 : 1至1 : 15的至少一种取代的吡啶(化合物I)和至少一种活性化合物II。
    2026-05-09
  • 用于防治和监测昆虫的组合物、方法和装置
    用于防治和监测昆虫的组合物、方法和装置_维多利亚农业服务控股公司_202480049242.1
    本发明提供了一种用于引诱截尾露尾甲(Carpophilus truncatus)甲虫的组合物，其中所述组合物优选包括由物种截尾露尾甲的雄性甲虫产生的一种或多种信息素化合物。本发明还涉及用于引诱、捕获和监测截尾露尾甲甲虫的试剂盒、方法和设备。
    2026-05-09
  • 微囊化信息素制剂
    微囊化信息素制剂_富美实农业解决方案公司_202480050145.4
    本文描述包含微囊化信息素的组合物。本文还描述制备包含微囊化信息素的组合物的方法。本文还描述用所述组合物防治害虫的方法。
    2026-05-09
  • 一种具备闭环分层微流体温度控制结构的三维堆叠芯片及闭环温控方法
    一种具备闭环分层微流体温度控制结构的三维堆叠芯片及闭环温控方法_哈尔滨工业大学_202610094762.5
    本发明涉及一种具备闭环分层微流体温度控制结构的三维堆叠芯片及闭环温控方法，包括多层芯片堆叠结构、嵌入式微流道网络、分布式温度传感系统、混合硅通孔互联阵列及智能控制单元。通过采用感知‑散热‑互联一体化周期阵列架构，实现温度感知、流体散热与垂直...
    2026-05-09
  • 一种基于混合键合工艺的SiP封装结构
    一种基于混合键合工艺的SiP封装结构_北京计算机技术及应用研究所_202511998311.6
    本发明属于芯片封装技术领域，具体是一种基于混合键合工艺的SiP封装结构，包括：多个WB裸芯片、多个FC裸芯片和多个无源器件，其中，所述封装结构采用陶瓷柱栅阵列封装形式，所述WB裸芯片与FC裸芯片采用混合键合工艺互连。本发明通过将高速高频、功...
    2026-05-09
  • 一种有机介质的混合键合三维集成方法
    一种有机介质的混合键合三维集成方法_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202610126587.3
    本发明公开一种有机介质的混合键合三维集成方法，属于集成电路封装领域，通过晶圆级扇出型封装工艺将多颗异构芯片进行圆片重构，再使用晶圆级再布线工艺完成表面互连线的制备。在上层晶圆的焊盘处电镀金属焊料，形成凸型结构；在下层晶圆的焊盘处的有机介质层...
    2026-05-09
  • 一种用于混合键合的有机介质表面形貌控制方法
    一种用于混合键合的有机介质表面形貌控制方法_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202610126584.X
    本发明公开一种用于混合键合的有机介质表面形貌控制方法，属于集成电路封装领域。在完成晶圆表面再布线层和凸点焊盘制作，并旋涂覆盖有机介电层后，先通过化学机械抛光工艺使焊盘露出，再引入一步等离子刻蚀工艺，利用其对有机介质的高选择刻蚀性，使介电层表...
    2026-05-09
  • 用于芯片键合前的定位装置及定位方法
    用于芯片键合前的定位装置及定位方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511840228.6
    本公开提供了一种用于芯片键合前的定位装置及定位方法，属于半导体封装技术领域。所述定位装置包括两个定位单元；每个所述定位单元均包括工作台和视觉识别系统；所述视觉识别系统与所述工作台电连接，且被配置为识别所述工作台所连接的对象的位置，一个所述定...
    2026-05-09
  • 一种预封装式面板级封装
    一种预封装式面板级封装_赵振涛_202511888302.1
    本发明公开了一种预封装式面板级封装，属于半导体封装领域。所述方法包括：先将晶圆与带有过孔的电路板基板焊接，形成预封装单体；再将多个预封装单体以封装焊盘向下的方式阵列固定于晶圆载板；随后进行整体环氧树脂塑封、固化，可选地进行顶面研磨以暴露晶圆...
    2026-05-09
  • 功率模块
    功率模块_现代自动车株式会社_202510737913.X
    本发明公开了一种功率模块。功率模块包括：基板，其设置有安装于其上的芯片；模制部，其设置成围绕基板和芯片；引线部，其具有在模制部内部电连接到芯片的一端和暴露于模制部的外部的另一端；以及绝缘肋部，其从模制部的设置有引线部的外表面突出。
    2026-05-09
  • 电子装置
    电子装置_南亚科技股份有限公司_202510417558.8
    本公开提供一种电子装置。电子装置包括一基座部分、一电路结构、一绝缘结构、一第一导电层、一贯孔结构、一第一外层和一第二外层。该电路结构配置在该基座部分的一第一表面上。该绝缘结构配置在该电路结构上。该第一导电层配置在该绝缘结构上。该贯孔结构延伸...
    2026-05-09
  • 一种半导体管芯的封装体及其制造方法
    一种半导体管芯的封装体及其制造方法_日月新半导体(威海)有限公司_202610450344.5
    本发明涉及一种半导体管芯的封装体及其制造方法，在本发明的半导体管芯的封装体的制造方法中，在制备初始封装基板的过程中，通过在两个所述第一导电线路层上分别层叠设置第二绝缘层和第二金属层，对下层所述第二金属层进行图案化处理，形成第一屏蔽层，所述第...
    2026-05-09
  • 一种射频芯片晶圆级扇出型封装方法及其结构
    一种射频芯片晶圆级扇出型封装方法及其结构_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202610135599.2
    本发明属于集成电路封装技术领域，特别涉及一种射频芯片晶圆级扇出型封装方法及其结构。包括：通过临时键合、芯片贴装以及塑封的方式完成圆片重构；通过在芯片的焊盘上制作铜柱牺牲层；通过光刻、研磨整平芯片表面，形成空腔结构，以提升射频性能以及消除芯片...
    2026-05-09
  • 一种基于RFID芯片的注塑封装工艺
    一种基于RFID芯片的注塑封装工艺_广州芯伟达智能科技有限公司_202511989389.1
    本发明涉及塑料制品成型技术领域，公开了一种基于RFID芯片的注塑封装工艺、中间封装体及塑料制品。所述工艺包括：提供带有通孔及耐高温保护层的RFID芯片；进行第一道注塑，使第一塑料材料包覆芯片并填充通孔，形成中间封装体；进行第二道注塑，用第二...
    2026-05-09
  • 一种垂直型功率器件的面板级封装方法
    一种垂直型功率器件的面板级封装方法_赵振涛_202511763197.9
    一种垂直型功率器件的面板级封装方法，包括垂直型功率器件晶圆，垂直型功率器件晶圆的底面布设有单一电气网络焊盘，顶面也布设有焊盘；还包括L型金属基板，L型金属基板的一侧厚度较小，另一侧厚度较大；垂直型功率器件晶圆通过底面焊盘焊接于L型金属基板的...
    2026-05-09
  • 半导体封装结构及其制备方法
    半导体封装结构及其制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202411549426.2
    本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法，通过在第一封装芯片的上表面形成扩散阻挡层，且在研磨减薄第一封装层的过程中仅研磨至扩散阻挡层，避免了Cu金属柱及第一封装芯片同时研磨，因此可以避免Cu金属残留至第一封装芯片上，进而避免Cu金属扩散污染...
    2026-05-09
  • 半导体封装方法及半导体封装结构
    半导体封装方法及半导体封装结构_武汉新芯集成电路股份有限公司_202411524027.0
    本发明提供了一种半导体封装方法及半导体封装结构，在将第二半导体结构和第三半导体结构键合到第一半导体结构上后，在相邻所述第二半导体结构和所述第三半导体结构之间的间隔填充绝缘层，所述绝缘层具有流动性，由此在形成绝缘层时就能够得到平坦的表面，从而...
    2026-05-09
  • 半导体封装件和其形成方法
    半导体封装件和其形成方法_星科金朋管理私人有限公司_202411521766.4
    本申请提供了一种半导体封装件和其形成方法。所述方法包括：提供基底；将半导体裸片安装在所述基底的顶表面上；在所述半导体裸片的顶表面的外围区域上形成阻挡壁；在所述半导体裸片的顶表面上分配第一流体材料，其中所述阻挡壁防止所述第一流体材料跨越其流动...
    2026-05-09
  • 互连体、封装模组及其制备方法
    互连体、封装模组及其制备方法_长电科技(江阴)有限公司_202610028342.7
    本发明涉及电子设备技术领域，尤其是涉及一种互连体、封装模组及其制备方法。所述互连体中封装有芯片，且第一互连结构位于所述互连体第一侧端面，第二互连结构位于所述互连体第二侧端面，当采用所述互连体制备堆叠结构的封装模组时，确保所述互连体通过现有的...
    2026-05-09
  • 层叠接合材料、半导体封装体和功率模块
    层叠接合材料、半导体封装体和功率模块_千住金属工业株式会社_202512026458.5
    本发明提供层叠接合材料、半导体封装体和功率模块。层叠接合材料(10)具有基材(11)、层叠于基材(11)的第一面的第一焊料部(12a)和层叠于基材(11)的第二面的第二焊料部(12b)，基材(11)的线膨胀系数为5.5～15.5ppm/K，...
    2026-05-09
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