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最新专利技术
  • 一种芯片封装装置及芯片封装方法
    一种芯片封装装置及芯片封装方法_宏锐兴(湖北)电子有限责任公司_202610190923.0
    本发明涉及芯片封装技术领域，提出了一种芯片封装装置及芯片封装方法，包括底座和键合机，底座的外表面连接有三维移动模组，三维移动模组的输送物为点胶模组，底座的外表面连接有控热结构，点胶模组的外表面连接有防拉丝结构，键合机的输出端固定连接有键合头...
    2026-05-09
  • 一种晶圆映射机构及晶圆存储系统
    一种晶圆映射机构及晶圆存储系统_北京京仪自动化装备技术股份有限公司_202610167198.5
    本申请公开了一种晶圆映射机构及晶圆存储系统，包括：底板；顶板，包括第一连接部、发射部和接收部，第一连接部与底板相对设置；发射部和接收部相对设于第一连接部的同一侧，且两者相对的侧面内分别设有发射器和接收器；连杆组件，包括第一连杆和第二连杆；第...
    2026-05-09
  • 气压整平装置
    气压整平装置_上海世禹精密设备股份有限公司_202610145565.1
    本发明涉及半导体技术领域，提供了一种气压整平装置，包括：上料机构、检测载台、整平机构以及搬运机构，整平机构用于对不合格的产品进行整平；搬运机构将所述取料位上的所述产品搬运至所述检测载台检测，将所述检测载台检测出合格产品运送回所述取料位；将所...
    2026-05-09
  • 压合设备
    压合设备_万润科技股份有限公司_202610141647.9
    本发明提供一种压合设备，包括：设有配合下方下模共同压合受压物的上模装置，所述上模装置设有受驱动模块的驱力作用的压模单元，所述压模单元设有压模，所述压模设有气道，所述气道与所述压模下方的区域相通，能通入气体对所述压模下方进行气体吹抵；借此提升...
    2026-05-09
  • 压合方法及压合设备
    压合方法及压合设备_万润科技股份有限公司_202610140323.3
    本发明提供一种压合方法及压合设备。所述压合方法包括：提供基板上载有晶粒并覆有散热片的组件作为受压物；提供上模装置，所述上模装置配合下方的下模共同压合所述受压物；所述上模装置包括提供驱力的驱动模块与设有压模的压合模块，所述驱力使所述压模压抵所...
    2026-05-09
  • 氮化镓异质外延层生长工艺参数智能调控方法及系统
    氮化镓异质外延层生长工艺参数智能调控方法及系统_中科(合肥)微电子研究院有限公司_202610123134.5
    本发明提供氮化镓异质外延层生长工艺参数智能调控方法及系统，涉及半导体制造技术领域，包括采集腔室多层温度分布、气相组分浓度、压力波动及基片旋转速度数据；分解温度梯度分量，结合气相浓度和旋转速度，计算获得空间停留时间分布和局部反应速率分布；基于...
    2026-05-09
  • 一种双高度带片同步换位的晶圆清洗制造单元及调度方法
    一种双高度带片同步换位的晶圆清洗制造单元及调度方法_上海倍弗仑半导体设备有限公司_202610102439.8
    本发明涉及半导体芯片技术领域，具体公开了一种双高度带片同步换位的晶圆清洗制造单元及调度方法，包括设备外壳、设备框架、电气控制装置及安装于所述设备框架上的运动控制装置；所述设备外壳与设备框架通过多处活动连接固定；所述运动控制装置包括料盒升降台...
    2026-05-09
  • 基片处理装置和基片干燥方法
    基片处理装置和基片干燥方法_东京毅力科创株式会社_202610079001.2
    本发明提供基片处理装置和基片干燥方法。本发明的基片处理装置能够进行使用超临界状态的处理流体使在图案形成面形成有液膜的基片干燥的干燥处理，该基片处理装置包括处理容器、保持部和供给部。处理容器收纳基片。保持部在处理容器内保持基片。供给部对处理容...
    2026-05-09
  • 一种键合胶输送控制系统
    一种键合胶输送控制系统_吾拾微电子(苏州)有限公司_202511504805.4
    本申请涉及一种键合胶输送控制系统，包括：胶罐；缓存罐；涂胶模块；真空模块；出胶模块；稳压模块；缓存罐可选择性的与胶罐、涂胶模块、真空模块、出胶模块以及稳压模块中的至少一个连通，以具有第一状态、第二状态和第三状态；处于第一状态时，缓存罐的进液...
    2026-05-09
  • 一种用于晶圆键合机的控制方法及晶圆键合机
    一种用于晶圆键合机的控制方法及晶圆键合机_上海新微技术研发中心有限公司_202411515215.7
    本发明公开了一种用于晶圆键合机的控制方法及晶圆键合机，涉及晶圆键合工艺技术领域。晶圆键合机包括用于传送晶圆的真空传送手臂和用于吸附晶圆的吸附机构，其特征在于，控制方法包括如下步骤：获取转接位置处真空传送手臂处的晶圆的偏移高度；控制真空传送手...
    2026-05-09
  • 一种便于调节的芯片湿法刻蚀机
    一种便于调节的芯片湿法刻蚀机_上海玄新生物科技有限公司_202311748258.5
    本发明公开了一种便于调节的芯片湿法刻蚀机，包括安装座、承重板和湿法刻蚀机本体，安装座的一端设有空腔，空腔内转动连接有丝杠，丝杠上固定套接有第一齿轮，空腔内设有与第一齿轮相啮合的第二齿轮，第二齿轮和空腔的内壁通过转杆转动连接，转杆的一端贯穿空...
    2026-05-09
  • 一种去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法
    一种去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法_晶芯成(北京)科技有限公司_202610458132.1
    本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法，包括以下步骤：a)提供表面具有金属层的晶圆；所述金属层包括镍铂合金；b)在所述金属层表面形成多孔二氧化钛层；c)采用光催化反应在常温下去除金属层；d)采用过氧...
    2026-05-09
  • 半导体装置的制造方法、热固性树脂组合物及切晶粘晶一体型膜
    半导体装置的制造方法、热固性树脂组合物及切晶粘晶一体型膜_株式会社力森诺科_202610134298.8
    本发明涉及半导体装置的制造方法、热固性树脂组合物及切晶粘晶一体型膜。本发明的一方面所涉及的半导体装置的制造方法包括：准备切晶粘晶一体型膜的工序，所述切晶粘晶一体型膜具备黏合层、压敏胶黏层及基材膜，所述黏合层由120℃下的熔融粘度为3100P...
    2026-05-09
  • 半导体装置的制造方法、热固性树脂组合物及切晶粘晶一体型膜
    半导体装置的制造方法、热固性树脂组合物及切晶粘晶一体型膜_株式会社力森诺科_202610134296.9
    本发明涉及半导体装置的制造方法、热固性树脂组合物及切晶粘晶一体型膜。本发明的一方面所涉及的半导体装置的制造方法包括：准备切晶粘晶一体型膜的工序，所述切晶粘晶一体型膜具备黏合层、压敏胶黏层及基材膜，所述黏合层由120℃下的熔融粘度为3100P...
    2026-05-09
  • 用于形成翘曲减少的电子器件的方法
    用于形成翘曲减少的电子器件的方法_JCET星科金朋韩国有限公司_202411521986.7
    本申请提供一种用于形成电子器件的方法。所述方法包括：将衬底放置于模制模具的模制空腔内，所述衬底上安装有至少一个电子元件；将模制材料放置于所述模制模具内；通过微波辐射熔融所述模制材料且向所述模制材料施加压强，从而用所述熔融模制材料填充所述模制...
    2026-05-09
  • 半导体结构的制作方法
    半导体结构的制作方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202610149763.5
    本发明提供一种半导体结构的制作方法。所述半导体结构的制作方法中，提供的中间结构的顶面具有沟槽，在中间结构上生成隔离材料层，隔离材料层覆盖中间结构的顶面且填满沟槽，隔离材料层包括位于沟槽正上方的第一部分以及位于沟槽侧边的第二部分；对第一部分进...
    2026-05-09
  • 改善气泡缺陷的膜层图形化方法
    改善气泡缺陷的膜层图形化方法_上海华力集成电路制造有限公司_202610077701.8
    本发明公开了一种改善气泡缺陷的膜层图形化方法，包括：在底层结构上生长第一膜层，第一膜层中具有水汽。对第一膜层进行表面处理并形成一层水汽阻挡层。依次形成SOC层、硅基抗反射层和光刻胶；在形成SOC层的过程中，水汽阻挡层防止水汽传递到SOC层中...
    2026-05-09
  • 一种实现图形化的方法及装置
    一种实现图形化的方法及装置_帝尔激光科技(无锡)有限公司_202411979810.6
    本申请提出一种实现图形化的方法及装置，待加工产品包括图形区域和非图形区域，图形区域和非图形区域均包括图形化层和在图形化层表面形成的掩膜保护层，图形化步骤包括：通过摩擦机构或者轰击机构破坏非图形区域的掩膜保护层，在非图形区域的掩膜保护层上形成...
    2026-05-09
  • 半导体器件的形成方法
    半导体器件的形成方法_重庆芯联微电子有限公司_202511993094.1
    本发明提供一种半导体器件的形成方法，先获取半导体衬底与栅介质层之间的界面态禁带宽度；然后，根据界面态禁带宽度预设入射光的波长；根据预设的入射光的波长对MOS器件进行紫外光照射处理，使入射光穿透金属栅极和栅介质层，以调整MOS器件的阈值电压。...
    2026-05-09
  • 一种用于半导体局部改性的辐照处理系统
    一种用于半导体局部改性的辐照处理系统_成都中核高通同位素股份有限公司_202610445532.9
    本申请涉及一种用于半导体局部改性的辐照处理系统，属于半导体加工技术领域。用于半导体局部改性的辐照处理系统包括承载台、遮挡机构、定位检测组件和控制模块，承载台用于承载并固定半导体晶圆；遮挡机构包括遮挡板及驱动组件，遮挡板上设有辐射口；晶圆朝向...
    2026-05-09
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