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最新专利技术
  • 一种无偏角(111)单晶金刚石衬底及其制备方法
    一种无偏角(111)单晶金刚石衬底及其制备方法_上海征世科技股份有限公司_202511944473.1
    本发明公开了一种无偏角(111)单晶金刚石衬底及其制备方法，该制备方法包括：选取偏角小于5°的(111)单晶金刚石衬底；在偏角小于5°的(111)单晶金刚石衬底的表面形成(111)晶面原子台阶；在具有(111) 晶面原子台阶的衬底表面自选择...
    2026-04-30
  • 一种高阻硅衬底上锗晶圆、成像芯片及制造方法
    一种高阻硅衬底上锗晶圆、成像芯片及制造方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202311805338.X
    本申请提供一种高阻硅衬底上锗晶圆、成像芯片及制造方法，施主衬底包括层叠的初始硅衬底、缓冲层、二极管结构和键合层；键合层为氧化铝层；形成受主衬底，受主衬底包括依次层叠的高阻硅衬底、富陷阱层和绝缘层；以键合层朝向绝缘层的方向键合施主衬底和受主衬...
    2026-04-30
  • 玻璃衬底上张应变射频锗晶圆、成像芯片及其形成方法
    玻璃衬底上张应变射频锗晶圆、成像芯片及其形成方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202311805330.3
    本申请提供一种玻璃衬底上张应变射频锗晶圆、成像芯片及其形成方法，形成施主衬底和受主衬底，受主衬底包括玻璃衬底，以及位于玻璃衬底上的富陷阱层、二氧化硅层和介质层，将施主衬底和受主衬底进行直接晶圆键合处理，得到键合结构，去除键合结构中的硅衬底，...
    2026-04-30
  • 氮化硅上锗晶圆及其制造方法、阵列芯片及其制造方法
    氮化硅上锗晶圆及其制造方法、阵列芯片及其制造方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202311805274.3
    本申请提供一种氮化硅上锗晶圆及其制造方法，一种阵列芯片及其制造方法，方法包括：在第一硅衬底上形成第1个目标层，刻蚀第1个目标层形成多个凹槽，形成第1个锗层，第1个锗层填充凹槽以及覆盖第1个目标层，通过第1个锗层的横向过生长，将硅/锗之间的异...
    2026-04-30
  • 一种玻璃衬底上张应变锗晶圆、成像芯片及其形成方法
    一种玻璃衬底上张应变锗晶圆、成像芯片及其形成方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202311805171.7
    本申请提供一种玻璃衬底上张应变锗晶圆、成像芯片及其形成方法，受主衬底包括透明玻璃衬底，短波红外波段的光透过率极高，使得短波红外波段的光能够到达张应变锗层，而且透明玻璃衬底还可以使可见光透过，可见光也可以到达张应变锗层。通过透明玻璃衬底使得更...
    2026-04-30
  • 图案对齐方法、设备和存储介质
    图案对齐方法、设备和存储介质_全芯智造技术股份有限公司_202610368672.0
    本公开的实施例涉及图案对齐方法、设备和存储介质。在此提出的方法包括：获取与晶圆有关的第一图像和第二图像，其中第一图像包括第一图案，第二图像包括第二图案，并且第二图案包括与第一图案对应的子图案；响应于确定第一图案的至少一部分具有周期性，基于第...
    2026-04-30
  • 一种半导体内引线键合质量检测方法
    一种半导体内引线键合质量检测方法_佛山市蓝箭电子股份有限公司_202610360270.6
    本发明公开了一种半导体内引线键合质量检测方法，涉及半导体封装测试技术领域，用于检测具有 PN 结的半导体封装器件的内引线键合质量。本方法通过搭建正向偏置测试回路，向被测半导体器件 PN 结施加 1.8V‑2.2V 的恒定直流正向偏置电压，通...
    2026-04-30
  • 一种改善化学机械抛光后膜层均匀性的方法及系统
    一种改善化学机械抛光后膜层均匀性的方法及系统_上海新微技术研发中心有限公司_202610077069.7
    本发明提供了一种改善化学机械抛光后膜层均匀性的方法及系统，其中方法包括，在沉积有器件结构的晶圆上，沉积一层抛光介质层，并测量所述抛光介质层上多个测量点的膜层厚度，基于多个所述测量点的厚度生成厚度分布图；在所述抛光介质层上方全局均匀的沉积一层...
    2026-04-30
  • 基于虚拟弧长主轴的晶圆检测螺旋扫描运动系统及方法
    基于虚拟弧长主轴的晶圆检测螺旋扫描运动系统及方法_太原理工大学_202610058985.6
    本发明涉及超精密运动控制及半导体检测装备技术领域，现有的螺旋扫描控制技术多基于“时间域”参数化，触发信号存在抖动或延迟，光谱采集点在物理空间上的分布不均匀，导致重构的晶圆Mapping图出现几何畸变，无法精确通过坐标回溯缺陷位置，本发明公开...
    2026-04-30
  • 半导体器件制备方法、中间导电层电导率测试结构及测试方法
    半导体器件制备方法、中间导电层电导率测试结构及测试方法_上海交通大学_202610020309.X
    本发明提供了一种半导体器件制备方法、中间导电层电导率测试结构及测试方法。所述测试结构包括：基板，其上划分有主体区和沿主体区外周均匀分布的多个形状相同的测试区，所述测试区的数量和圆心角能够使得测试结构整体中心对称；中间导电层沉积于基板上，中间...
    2026-04-30
  • 一种砷化镓电池焊后微损伤筛选方法
    一种砷化镓电池焊后微损伤筛选方法_北京星源空间技术有限公司_202610007855.X
    本发明公开了一种砷化镓电池焊后微损伤筛选方法，包括以下步骤：步骤一，测控装置部署；步骤二，测控装置初始化；步骤三，电路状态切换；步骤四，并联电阻计算；步骤五，损伤判定与分流；本发明利用电阻焊后的保压阶段同步开展检测，无需额外增加生产工序，避...
    2026-04-30
  • 绒面晶硅衬底的检测方法、绒面晶硅衬底和钙钛矿叠层电池
    绒面晶硅衬底的检测方法、绒面晶硅衬底和钙钛矿叠层电池_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202512033795.7
    本申请提供了一种绒面晶硅衬底的检测方法、绒面晶硅衬底和钙钛矿叠层电池，检测方法包括：提供具有绒面结构的晶硅衬底；在晶硅衬底具有绒面结构的一侧形成液膜，液膜由至少一种液体形成；对晶硅衬底的液膜进行光照，并检测绒面结构表面处的颗粒物数量，在颗粒...
    2026-04-30
  • 一种外延片SFQR改善的分析方法及平坦度测量设备
    一种外延片SFQR改善的分析方法及平坦度测量设备_上海晶盟硅材料有限公司_202512023056.X
    本发明属于外延片改善领域，具体的说是一种外延片SFQR改善的分析方法及平坦度测量设备，包括以下步骤：S1：使用平坦度机台量测外延片后，生成SFQR Map文件和Thickness Profile文件，S2：利用Thickness Profi...
    2026-04-30
  • 一种IGBT用硅单晶轻掺厚外延片的外延层厚度在线检测方法
    一种IGBT用硅单晶轻掺厚外延片的外延层厚度在线检测方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202512020699.9
    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是一种IGBT用硅单晶轻掺厚外延片的外延层厚度在线检测方法，包括：外延前先测量硅片的重量W前；外延后再次测量硅片的重量W后；计算外延层厚度，外延层厚度=外延前后重量差/硅的密度ρ/外延面面积S，即(W后‑W...
    2026-04-30
  • 一种晶圆的检测方法、系统及介质
    一种晶圆的检测方法、系统及介质_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511859289.7
    本公开提供了一种晶圆的检测方法、系统及介质；该检测方法包括：将单张待测晶圆划分出至少两个区域；在至少两个区域中的第一区域执行第一检测流程，以获取第一区域的第一检测数据；在至少两个区域中的第二区域执行第二检测流程，以获取第二区域的第二检测数据...
    2026-04-30
  • 一种单晶硅片notch部位边缘轮廓尺寸的测量方法
    一种单晶硅片notch部位边缘轮廓尺寸的测量方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202511831114.5
    本发明涉及硅片制造技术领域，尤其是一种单晶硅片notch部位边缘轮廓尺寸的测量方法，包括在硅片notch部位进行倒模，倒模完毕后剥离硅片，将notch对应的倒模部位割开，对割开处进行拍照后利用软件对图像进行分析得出结果，或者放置于显微镜下进...
    2026-04-30
  • 一种基于坐标转换的硅片切割方向形貌自动检测方法
    一种基于坐标转换的硅片切割方向形貌自动检测方法_浙江丽水中欣晶圆半导体材料有限公司_202511802328.X
    本发明涉及半导体硅片制造技术领域，尤其是一种基于坐标转换的硅片切割方向形貌自动检测方法，包括：S1、粘接设备自动测量并记录Notch标志相对于设定基准线的偏转角φ；将该偏转角φ及其对应的晶锭批次标识一同上传至MES系统数据库；S2、测试机台...
    2026-04-30
  • 基片处理装置和基片处理方法
    基片处理装置和基片处理方法_东京毅力科创株式会社_202511442244.X
    本发明提供基片处理装置和基片处理方法，能够高精度地获取被处理体的状态。基片处理装置包括：处理容器，其能够对被处理体一边加热一边供给处理气体来进行处理；载置台，其设置于处理容器内，在上表面具有载置上述被处理体的多个凹部；孔部，其形成于载置台，...
    2026-04-30
  • 一种基于绝热填充材料的无线晶圆温度测量装置
    一种基于绝热填充材料的无线晶圆温度测量装置_北京信息科技大学_202411448846.1
    一种基于绝热填充材料的无线晶圆温度测量装置，涉及半导体测试设备技术领域。本发明主要用于半导体设备加工过程中测量晶圆表面温度场的分布，包括晶圆外壳、温度测量电路和电子器件绝热部分；所述温度测量电路功能包括：温度测量数据采集、数据存储以及数据发...
    2026-04-30
  • 纳米压印半导体制造中的加工误差检测方法、装置及设备
    纳米压印半导体制造中的加工误差检测方法、装置及设备_香港城市大学_202411435431.0
    本说明书涉及纳米压印技术领域，提供了一种纳米压印半导体制造中的加工误差检测方法、装置及设备，该方法包括：获取半导体结构的相邻两个纳米柱阵列层的谐振参数；以所述谐振参数为输入，根据偏移距离与谐振参数的关系曲线确定所述相邻两个纳米柱阵列层的加工...
    2026-04-30
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