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最新专利技术
  • 一种具有复合强化传热结构的散热基板及其在电子器件散热装置中的应用
    一种具有复合强化传热结构的散热基板及其在电子器件散热装置中的应用_上海应用技术大学_202511942690.7
    本发明涉及一种具有复合强化传热结构的散热基板及其在电子器件散热装置中的应用，底板与微肋结构为一体结构，多孔骨架填充于各微肋结构之间；电子器件散热装置包括冷板式散热装置以及盖板式散热装置，冷板式散热装置基本组成结构为：散热器接头、散热盖板、分...
    2026-04-29
  • 一种基于相变传热机制的芯片顶盖式散热装置
    一种基于相变传热机制的芯片顶盖式散热装置_上海应用技术大学_202511927376.1
    本发明涉及一种基于相变传热机制的芯片顶盖式散热装置，包括由上至下依次叠置且密封连接的顶盖、射流板、相变底板和核心载板，核心载板上安装有芯片，相变底板的底部与芯片表面相贴合，相变底板的内部中空设有第一相变腔，射流板与相变底板之间合围形成有第二...
    2026-04-29
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202511402664.5
    本发明提供一种能够在抑制绝缘基板和散热板的翘曲的同时，抑制散热板的强度降低的散热板。本公开所涉及的半导体装置包括：绝缘基板；与所述绝缘基板的一侧表面接合的半导体元件；以及与所述绝缘基板的另一侧表面接合的散热板，在所述散热板的作为所述绝缘基板...
    2026-04-29
  • 仿叶脉分形结构铜热沉
    仿叶脉分形结构铜热沉_上海交通大学_202411420749.1
    一种仿叶脉分形结构铜热沉，通过导电胶设置于芯片封装体顶部，包括：中心对称设置的若干主干以及对称设置于主干末端的分支，其中：分支的末端进一步设有后级分形的主干，每级主干为六支。本发明通过仿叶脉分形结构的Cu板作为热沉，通过采用仿叶脉分形结构的...
    2026-04-29
  • 一种散热盖、封装芯片、电路板组件及电子设备
    一种散热盖、封装芯片、电路板组件及电子设备_华为技术有限公司_202411416190.5
    本申请实施例公开了一种散热盖、封装芯片、电路板组件及电子设备，涉及芯片散热技术领域，不仅能够给芯片提供良好的物理保护，而且在封装、装联、功能测试及后续使用中均具有良好的散热效果。该散热盖，用于盖设在芯片外。该散热盖包括盖体和散热结构，盖体设...
    2026-04-29
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_长电科技(江阴)有限公司_202610026114.6
    本发明提供一种封装结构及其形成方法，所述封装结构包括沿垂直所述引线框架的方向堆叠设置的多个芯片，至少部分所述芯片沿平行所述引线框架的方向错位设置，以形成悬设于所述基岛上方的悬空区域，导热柱设置在所述悬空区域与所述基岛之间。所述芯片工作时产生...
    2026-04-29
  • 一种基于增材制造的嵌入式微流道及其制备方法
    一种基于增材制造的嵌入式微流道及其制备方法_镇江晶鼎光电科技有限公司_202511977883.6
    本发明提供一种基于增材制造的嵌入式微流道及其制备方法，适用于高功率电子器件散热，方案一为单基板一体化电镀：在基板上依次形成种子层、图形化光刻胶，通过控制电镀使铜垂直和横向生长，自闭合形成顶部封闭的全铜微流道腔体，并一体成型微柱、波浪形或鳍片...
    2026-04-29
  • 一种散热片贴装芯片的方法
    一种散热片贴装芯片的方法_江苏凯嘉电子科技有限公司_202511889689.2
    本发明涉及芯片贴装技术领域，具体为一种散热片贴装芯片的方法，在芯片表面制备具有温度响应特性的智能界面层，该层由热致变色液晶聚合物与氮化硼纳米片复合而成，其导热系数随温度升高呈非线性增长；将带有微流体通道网络的散热片以超声辅助压合方式安装，压...
    2026-04-29
  • 具有电学非活性金属层的电容器
    具有电学非活性金属层的电容器_格芯新加坡私人有限公司_202511264585.2
    本公开涉及具有电学非活性金属层的电容器。所公开的主题一般地涉及半导体器件和集成电路(IC)芯片中的结构。更具体地说，本公开涉及一种金属‑电介质‑金属电容器，其具有布置在一个互连层级中的电学非活性金属层，该互连层级位于包含两组彼此交指的金属线...
    2026-04-29
  • 填充型硅通孔的缺陷检测与修复方法
    填充型硅通孔的缺陷检测与修复方法_厦门东微电子装备有限公司_202512023038.1
    本发明提供一种填充型硅通孔的缺陷检测与修复方法，包括：形成填充型硅通孔；利用激光共聚焦系统对填充型硅通孔的顶部表面进行分区扫描，获取各检测区域的三维表面高度分布图；利用太赫兹时域光谱系统从衬底的背面向上发射太赫兹波，使太赫兹波定向入射至填充...
    2026-04-29
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202411426247.X
    本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供一基底，基底上形成有金属层；形成第一氧化硅层于金属层上；形成图形化的光刻胶层于第一氧化硅层上；以图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀第一氧化硅层，以形成暴露出金属层的第一沟槽，...
    2026-04-29
  • 掩模图案的生成方法及装置、半导体结构及其制备方法
    掩模图案的生成方法及装置、半导体结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610345242.7
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种掩模图案的生成方法及装置、半导体结构及其制备方法，掩模图案的生成方法包括：识别原始掩模图案中是否存在弯曲区域；如果原始掩模图案中存在弯曲区域，则对原始掩模图案中的弯曲区域进行标记，以得到第一掩模图案；对第...
    2026-04-29
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202610090903.6
    一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：形成衬底；在所述衬底内形成浅槽隔离结构和有源区，所述有源区与所述浅槽隔离结构相邻接；对所述浅槽隔离结构进行刻蚀，露出靠近浅槽隔离结构的有源区的部分顶部和侧壁；对露出的有源区进行圆角化处理，以使...
    2026-04-29
  • 深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件
    深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件_芯联集成电路制造股份有限公司_202610075516.5
    本申请实施例涉及一种深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件，包括：在半导体结构内形成深沟槽；其中，半导体结构内形成有待引出部，深沟槽从半导体结构的顶表面向待引出部延伸，以使待引出部位于深沟槽的底部；对半导体结构进行离子掺杂，以至少在深沟槽的...
    2026-04-29
  • 基于高温氧化消除碳化硅小型堆垛层错的方法
    基于高温氧化消除碳化硅小型堆垛层错的方法_山东大学_202610352119.8
    本发明属于第三代半导体材料缺陷控制技术领域。提出了一种基于高温氧化消除碳化硅小型堆垛层错的方法，采用光致发光方式扫描表征碳化硅衬底，精准识别并定位目标小型堆垛层错；随后对衬底进行清洗去除表面杂质，并在干燥氧气氛围下进行高温氧化处理，受控生长...
    2026-04-29
  • 一种用于半导体外延应力调控的硅基衬底结构及其制备方法
    一种用于半导体外延应力调控的硅基衬底结构及其制备方法_北京大学_202610093655.0
    本发明公开了一种用于半导体外延应力调控的硅基衬底结构及其制备方法，属于半导体材料技术领域。首先采用硅自离子或惰性重离子在硅体内预制空位梯度，再进行较低剂量的氦离子注入，使氦原子在已形成的空位梯度中选择性成核并经统一退火长大，获得随深度连续变...
    2026-04-29
  • 一种晶圆及其加工方法
    一种晶圆及其加工方法_中国科学院微电子研究所_202511870535.9
    本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆及其加工方法。解决三维集成电路制造中，难以在晶圆级大尺寸范围实现高精度整体平坦化的问题。一种晶圆，在整片晶圆范围内，所述晶圆的至少一个功能层经平坦化处理后，全局平整度PV值≤10nm，且表面粗糙...
    2026-04-29
  • 半导体互补图形化工艺的实现方法
    半导体互补图形化工艺的实现方法_格科半导体(上海)有限公司_202411435584.5
    本发明公开了一种半导体互补图形化工艺的实现方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成图形化的第一掩膜层；通过填充材料填充所述图形化的第一掩膜层的沟槽；移除所述图形化的第一掩膜层后，形成与所述图形化的第一掩膜层互补的图形化的第二掩膜层。
    2026-04-29
  • WAT探针台管控系统、方法、设备及存储介质
    WAT探针台管控系统、方法、设备及存储介质_上海喆塔信息科技有限公司_202610345400.9
    本发明属于半导体测试技术领域，公开了WAT探针台管控系统、方法、设备及存储介质。该方法通过全流程元数据采集与统一关联，实现了多源异构数据的高效整合与追溯；引入智能可信度判别机制，优先识别测试系统异常风险，避免误将测量问题归因为工艺缺陷；基于...
    2026-04-29
  • 一种测试SIC MOS沟道宽度及套刻偏移的测试方法及系统
    一种测试SIC MOS沟道宽度及套刻偏移的测试方法及系统_北京昕致科技有限责任公司_202610045175.7
    本发明涉及半导体加工技术领域，尤其是一种测试SIC MOS沟道宽度及套刻偏移的测试方法及系统，包括以下步骤：提供一测试结构，所述测试结构集成于一半导体晶圆上，所述测试结构包括：一参考MOS管，一第一测试MOS管，其栅极的一侧边缘与所述预定沟...
    2026-04-29
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