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最新专利技术
  • 一种功率模块控制系统及控制方法
    一种功率模块控制系统及控制方法_桂林电子科技大学_202610044701.8
    本申请属于功率模块控制技术领域，公开一种功率模块控制系统及控制方法，通过在功率模块中集成TEC散热器，由散热基板通过下表面对外散热，同时由TEC散热器通过上表面对外散热，提高散热效率；更关键在于，利用MCU模块控制TEC散热器先于每个MOS...
    2026-04-24
  • 一种基于界面纳米绒化的铜合金均热板及低温扩散焊方法
    一种基于界面纳米绒化的铜合金均热板及低温扩散焊方法_陕西斯瑞铜合金创新中心有限公司_202512017234.8
    本发明公开了一种基于界面纳米绒化的铜合金均热板及低温扩散焊方法，均热板包括通过低温扩散焊连接的上盖板和下盖板，二者围成内含毛细结构和工作流体的真空腔体，在焊接界面处具有一个纳米绒层经互嵌、扩散和再结晶形成的纳米互锁过渡区。方法包括以下步骤：...
    2026-04-24
  • 一种带有封装结构的石墨烯散热装置
    一种带有封装结构的石墨烯散热装置_深圳市光凡通讯技术有限公司_202610033253.1
    本发明公开了一种带有封装结构的石墨烯散热装置，涉及石墨烯散热领域，包括石墨烯散热层、封装结构、粘接层、热量导出路径、散热风扇和温度传感器，石墨烯散热层表面设有共掺杂区域，封装结构具有基面，基面上设有凹凸纹理区域，封装结构的翅片呈倾斜设置，粘...
    2026-04-24
  • 镶嵌式散热器
    镶嵌式散热器_上海航天科工电器研究院有限公司_202511998033.4
    本申请适用于散热器领域，提供了一种镶嵌式散热器，包括：散热底板，具有从其顶面向内凹陷的镶嵌槽，镶嵌槽的底面构造为吸热面；热管，呈扁平状，热管容置于镶嵌槽，热管包括相对设置的蒸发段和冷凝段，蒸发段连接于吸热面；散热翅片，通过表贴焊接连接于热管...
    2026-04-24
  • 一种氧化镓场效应管及其制造方法
    一种氧化镓场效应管及其制造方法_深圳市朗帅科技有限公司_202511895085.9
    本发明提供了一种氧化镓场效应管及其制造方法，涉及半导体技术领域，包括：铁掺杂氧化镓基板、无掺杂氧化镓层、硅掺杂氧化镓铝层、无掺杂氧化镓铝层、氧化铝绝缘层以及栅极依次叠层设置；无掺杂氧化镓层的上端两侧开设有矩形倒角；硅掺杂氧化镓铝层、无掺杂氧...
    2026-04-24
  • 具有按压元件的功率模块
    具有按压元件的功率模块_英飞凌科技股份有限公司_202511361149.7
    一种功率模块包括衬底、功率半导体管芯、外壳、第一类型的按压元件和第二类型的按压元件。衬底和外壳界定功率模块的内部空间。外壳包括第一紧固侧和第二紧固侧，各自包括紧固特征，以及各自与第一紧固侧和第二紧固侧相交的第一非紧固侧和第二非紧固侧。第一类...
    2026-04-24
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_瑞萨电子株式会社_202511372464.X
    本公开涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括绝缘膜、金属膜和布置在绝缘膜与金属膜之间的粘合中间膜，粘合中间膜包括在从绝缘膜到金属膜的方向上依次布置并且相互不同的第一粘合层、应力控制层、第二粘合层和阻挡金属层。绝缘膜可以包含氧化硅。
    2026-04-24
  • 晶体管、反相器及其制造方法以及内存单元
    晶体管、反相器及其制造方法以及内存单元_财团法人工业技术研究院_202510028264.6
    本发明提供一种晶体管、反相器及其制造方法以及内存单元。晶体管包括衬底、堆叠结构以及栅极结构。堆叠结构设置于衬底上，且包括漏极电极、源极电极、半导体层、第一缓冲层以及第二缓冲层。源极电极设置于漏极电极上。半导体层设置于漏极电极与源极电极之间。...
    2026-04-24
  • 积体芯片和其形成方法
    积体芯片和其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511930335.8
    本发明提供一种积体芯片和其形成方法。积体芯片包括第一导电内连线、介电结构和沟槽电容器。第一导电内连线在半导体衬底上方。介电结构包括多个介电层在第一导电内连线上方。沟槽电容器在介电结构上方并延伸于介电结构侧壁之间到第一导电内连线。沟槽电容器包...
    2026-04-24
  • 一种芯片及3D堆叠芯片结构
    一种芯片及3D堆叠芯片结构_智遨通(天津)信息技术有限公司_202511922715.7
    本申请实施例公开一种芯片及3D堆叠芯片结构，涉及半导体集成电路技术领域。能够有效抑制电压降问题，从而提升芯片电源完整性。包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的功能电路以及深槽电容结构，所述深槽电容结构形成于所述半导体衬底内，并与所述功能...
    2026-04-24
  • 装置封装
    装置封装_爱普科技股份有限公司_202510991652.4
    本申请提供一种装置封装，包括第一层级、堆叠在第一层级上的第二层级以及单一地贯穿第一和第二层级的层级穿孔。第一层级包括第一装置和电性耦合到第一装置的第一互连线结构，第一互连线结构包括第一金属层且第一金属层包括第一连接分支。第二层级包括第二装置...
    2026-04-24
  • 一种半导体结构的制作方法
    一种半导体结构的制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610303309.0
    本发明公开了一种半导体结构的制作方法，属于半导体技术领域，制作方法包括：提供一衬底，衬底上至少包括依次层叠的层间介质层、硬掩膜层、抗反射层和光刻胶层；图案化光刻胶层并刻蚀抗反射层，形成第一凹部；以光刻胶层和抗反射层为掩膜，第一次刻蚀第一凹部...
    2026-04-24
  • 半导体结构的制造方法
    半导体结构的制造方法_南亚科技股份有限公司_202610045162.X
    半导体结构的制造方法包括：在基板上形成介电层，其中介电层包括离散通孔区域与密集通孔区域，且离散通孔区域及密集通孔区域各自包括多个通孔；在通孔的各者的底部区域形成增塑剂；在介电层上及通孔内形成光阻层，其中光阻层接触增塑剂；以及加热光阻层及增塑...
    2026-04-24
  • 半导体结构制备方法及半导体结构
    半导体结构制备方法及半导体结构_上海积塔半导体有限公司_202610037685.X
    本公开涉及一种半导体结构制备方法及半导体结构，涉及半导体制造技术领域，该方法包括：提供衬底，衬底上包括层间介电层；于层间介电层上形成初始金属层；基于目标光罩采用负显影工艺，刻蚀初始金属层，得到金属柱，目标光罩包括用于限定互联结构的图案；基于...
    2026-04-24
  • 芯片结构、芯片及芯片结构的制备方法
    芯片结构、芯片及芯片结构的制备方法_上海积塔半导体有限公司_202610036659.5
    本申请提供了一种芯片结构、芯片及芯片结构的制备方法，制备方法包括：提供一衬底，于衬底的一侧沉积金属层；于金属层背离衬底的一侧沉积第一介质层；于第一介质层背离金属层的一侧沉积第二介质层；刻蚀第二介质层、第一介质层和金属层，形成金属反射部和金属...
    2026-04-24
  • 一种高良率低电容TVS二极管封装工艺
    一种高良率低电容TVS二极管封装工艺_江阴市州禾电子科技有限公司_202512040494.7
    本发明提供的一种高良率低电容TVS二极管封装工艺，包括如下步骤，S1、背面金属化：溅射台(Sputter)，Ti/Ni/Ag厚度50/200/800nm，背温<150℃，接触电阻≤0.05mΩ·mm2，电阻>0.08重新溅射；S2、晶圆减薄...
    2026-04-24
  • 一种TVS芯片结构及其制备方法、制备系统
    一种TVS芯片结构及其制备方法、制备系统_浙江里阳半导体有限公司_202511774435.6
    本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及一种TVS芯片结构及其制备方法、制备系统。本申请通过对目标TVS芯片的表面进行等离子清洗以及活化处理后，采用溅射技术在其表面沉积多层复合金属薄膜，其中，多层复合金属薄膜包括基础结合层、阻挡层、导电层...
    2026-04-24
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610296701.7
    本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，属于半导体技术领域，所述半导体器件包括：衬底；有源区，位于所述衬底中，沿第一方向延伸；栅极结构，位于所述衬底表面，且沿第二方向跨越所述有源区，所述第二方向与所述第一方向正交；沟槽隔离结构，位于所述衬底...
    2026-04-24
  • SOI晶体管结构及其制备方法、测试方法
    SOI晶体管结构及其制备方法、测试方法_广州增芯科技有限公司_202610043492.5
    本发明提供了一种SOI晶体管结构及其制备方法、测试方法，该结构包括在从下至上依次形成有底硅层、埋氧层以及顶硅层的SOI衬底上形成的SOI晶体管以及若干电阻器件，其中，若干电阻器件分别位于SOI晶体管的两侧；SOI晶体管与电阻器件之间以及相邻...
    2026-04-24
  • 孔槽、沟槽隔离结构及半导体制备方法
    孔槽、沟槽隔离结构及半导体制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610290291.5
    本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种孔槽、沟槽隔离结构及半导体制备方法。所述孔槽制备方法包括以下步骤：提供一层结构，所述层结构包括目标层及形成于目标层上的硬掩膜层；引入光刻技术，于所述硬掩膜层上形成窗口，所述窗口的顶部边缘形成有边缘缺陷...
    2026-04-24
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