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最新专利技术
  • 一种复合衬底、半导体晶圆及制备方法、半导体器件
    一种复合衬底、半导体晶圆及制备方法、半导体器件_福建晶安光电有限公司_202511762552.0
    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种复合衬底、半导体晶圆及制备方法、半导体器件。该复合衬底包括第一衬底，所述第一衬底包括氮化铝层；第二衬底，所述第二衬底为蓝宝石衬底；键合层，位于所述第一衬底和所述第二衬底之间；所述第一衬底的厚度h1大...
    2026-04-24
  • 一种基于元素梯度设计的分层结构自选通存储器件
    一种基于元素梯度设计的分层结构自选通存储器件_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202511920482.7
    本发明涉及一种基于元素梯度设计的分层结构自选通存储器件，所述自选通存储器件包括下电极、功能层和上电极，功能层包括A元素富集层、B元素富集层以及设于A元素富集层和B元素富集层之间的A元素和B元素构成的中间层；该元素梯度设计能使器件同时获得显著...
    2026-04-24
  • 一种微加热器包裹相变材料的相变开关及其加工工艺
    一种微加热器包裹相变材料的相变开关及其加工工艺_成都斯微奇微电子有限公司_202610065840.9
    本发明涉及相变开关领域，为解决现有相变电阻值波动大、开关比降低、高能耗、响应迟缓以及寿命缩短的问题，提供了一种微加热器包裹相变材料的相变开关，包括：微加热器和功能层，所述微加热包括：下底部、侧部以及上底部；所述下底部通过所述侧部连接所述上底...
    2026-04-24
  • 一种用于低温溶液加工柔性电解质栅晶体管的双层聚合物/金属氧化物杂化沟道制备方法
    一种用于低温溶液加工柔性电解质栅晶体管的双层聚合物/金属氧化物杂化沟道制备方法_南京邮电大学_202511990910.3
    本发明公开了一种用于低温溶液加工柔性电解质栅晶体管的双层聚合物/金属氧化物杂化沟道制备方法，包括制备柔性、低温工艺的单沟道聚合物EGT作为短时记忆参照，以及混合聚合物/In2O3 EGT作为长时记忆候选器件，包括固态电解质集成与电极沉积；测...
    2026-04-24
  • 兼容CMOS后端工艺的忆阻器及其制备方法
    兼容CMOS后端工艺的忆阻器及其制备方法_中国科学院深圳先进技术研究院_202511966991.3
    本申请提供了一种兼容CMOS后端工艺的忆阻器及其制备方法。所述制备方法包括：在衬底上制备形成底电极；在所述底电极上制备形成HfO2层；在所述HfO2层制备形成铝层，所述铝层在空气中进行自氧化生成Al2O3层；在所述Al2O3层上制备形成顶电...
    2026-04-24
  • 忆阻器及其制备方法
    忆阻器及其制备方法_中国科学院深圳先进技术研究院_202511963306.1
    本申请提供了一种忆阻器及其制备方法。制备方法包括：在衬底上制备形成底电极；在底电极上制备形成HfO2层，HfO2层的厚度为4nm至6nm；在HfO2层制备形成TaOx层，TaOx层的厚度为50nm；在TaOx层上制备形成顶电极，得到忆阻器半...
    2026-04-24
  • 一种量子芯片封装装置
    一种量子芯片封装装置_量子科技长三角产业创新中心_202411398231.2
    本公开提供了一种量子芯片封装装置，包括顶部密封件和下密封件；顶部密封件靠近下密封件的端面具有上空腔；下密封件靠近顶部密封件的端面具有下空腔，上空腔与下空腔相互连通，用于封装量子芯片；下空腔内设置有下隔离件，下隔离件将下空腔分隔成多个空腔，本...
    2026-04-24
  • 一种新型钽基约瑟夫森结及其制备方法
    一种新型钽基约瑟夫森结及其制备方法_南京大学_202610291915.5
    本发明属于超导电子器件技术领域，具体涉及一种新型钽基约瑟夫森结及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：在衬底上依次沉积形成Nb种子层以及Ta层，然后在同一设备腔内对所述Ta层进行原位氧等离子体氧化形成TaOx势垒层，在所述TaOx势垒层上沉积...
    2026-04-24
  • 超导量子芯片的引线键合方法、制造方法和超导量子芯片
    超导量子芯片的引线键合方法、制造方法和超导量子芯片_深圳量旋科技有限公司_202511984967.2
    本发明公开了一种超导量子芯片的引线键合方法、制造方法及超导量子芯片。所述引线键合方法包括：利用金属焊丝，在超导量子芯片封装用印刷电路板PCB上第一金属焊盘的不同位置形成多个相互接触的第一焊点；利用金属焊丝，依次在超导量子芯片本体的第二金属焊...
    2026-04-24
  • 一种可低电压驱动的高性能铁酸铋薄膜及其制备方法和应用
    一种可低电压驱动的高性能铁酸铋薄膜及其制备方法和应用_江苏理工学院_202511992808.7
    本发明公开了一种可低电压驱动的高性能铁酸铋薄膜，包括衬底以及旋涂于衬底表面的导电氧化物缓冲层和铁酸铋基薄膜层；导电氧化物缓冲层的厚度为100‑350 nm；铁酸铋基薄膜层由包含铋、铁及掺杂元素的前驱体溶胶涂覆于导电氧化物缓冲层上，并进行结晶...
    2026-04-24
  • 一种新型压电薄膜结构
    一种新型压电薄膜结构_电子科技大学中山学院_202610059970.1
    本发明公开了一种新型压电薄膜结构，涉及微电子传感技术领域，该结构包括：半导体衬底；设置在半导体衬底上的栅极结构，栅极结构由共面电极构成；沉积于栅极结构上方的沟道层；位于沟道层之上的绝缘夹心层；设置于绝缘夹心层中心位置的漏极；以及覆盖于漏极顶...
    2026-04-24
  • 用于压力感应和能量收集的离子压电装置
    用于压力感应和能量收集的离子压电装置_香港城市大学_202510597041.1
    一种用于提供电信号的离子压电装置，该装置包括：(i)包含多个可移动阳离子和阴离子的基质；(ii)与基质接触的两个或多个电极，根据阳离子和阴离子之间的迁移率差，响应施加到基质上的外部压力提供电信号。离子压电装置含有选择性离子迁移率放大结构，用...
    2026-04-24
  • 提升压电复合薄膜黑化效果的方法
    提升压电复合薄膜黑化效果的方法_济南晶正电子科技有限公司_202512013827.7
    本申请提供一种提升压电复合薄膜黑化效果的方法，通过先对至少包括依次层叠的衬底层和薄膜层的压电复合薄膜的薄膜层表面进行粗糙化处理，增加其表面有效反应面积，再将薄膜置于还原介质中进行黑化还原热处理，以得到黑化压电复合薄膜。粗糙化后的表面能够提供...
    2026-04-24
  • 一种晶圆级PVDF类薄膜的极化工艺
    一种晶圆级PVDF类薄膜的极化工艺_杭州美迪凯光电科技股份有限公司_202511978606.7
    本申请涉及超声波指纹芯片技术领域，具体提供了一种晶圆级PVDF类薄膜的极化工艺。在硅晶圆上以旋涂法成型PVDF类薄膜，将PVDF类薄膜固定在腔室内的样品载台上，腔室内抽真空，将PVDF类薄膜加热，启动样品载台，同时施加直流电场进行旋转极化，...
    2026-04-24
  • 体声波滤波器晶圆级封装的制备方法及电子设备
    体声波滤波器晶圆级封装的制备方法及电子设备_云际芯光(珠海)微电子有限公司_202610228073.9
    本公开实施例公开了一种体声波滤波器晶圆级封装的制备方法及电子设备，通过采用深硅刻蚀工艺对盖帽晶圆进行建构，执行两次光刻及对应的深硅刻蚀，形成空腔、通孔、芯片墙体环，将盖帽晶圆的通孔与产品晶圆的芯片电极对位重合，使盖帽晶圆的芯片墙体环外侧与产...
    2026-04-24
  • 一种微机械超声波换能器及其制造工艺
    一种微机械超声波换能器及其制造工艺_轻舟微电子(常州)有限公司_202511975386.2
    本发明涉及超声波换能器制造领域，具体涉及一种微机械超声波换能器及其制造工艺，包括如下步骤：步骤S1，在单晶硅衬底处刻蚀出预设空腔的刻蚀边界；步骤S2，对已完成刻蚀边界预设的单晶硅衬底进行氧化处理形成氧化层；步骤S3，在所述氧化层上方生长单晶...
    2026-04-24
  • 一种基于温等静压烧结制备的热电纤维材料及其应用
    一种基于温等静压烧结制备的热电纤维材料及其应用_东华大学_202511701433.4
    本发明涉及一种基于温等静压烧结制备的热电纤维材料及其应用，利用温等静压烧结对核壳结构纤维进行致密化，得到所述热电纤维材料；其中，所述核壳结构纤维以热电粉体为内芯、可溶胶凝胶化组分为外壳，利用同轴湿法纺丝技术制得。本发明方法具备普适性，适用于...
    2026-04-24
  • 一种p型铜掺杂锑铋碲热电材料、制备方法、模块及系统
    一种p型铜掺杂锑铋碲热电材料、制备方法、模块及系统_全球能源互联网欧洲研究院_202511735211.4
    本发明公开了一种p型铜掺杂锑铋碲热电材料、制备方法、模块及系统，属于热电材料技术领域。所述材料化学式为Bi0.5Sb1.5Te3Cux，其中x=0.0025。通过在Bi0.5Sb1.5Te3基体中精确掺入微量铜元素，显著提升载流子浓度并抑制...
    2026-04-24
  • 一种具有相变自修复热界面功能的热器件及其制备方法
    一种具有相变自修复热界面功能的热器件及其制备方法_北京航空航天大学杭州创新研究院_202511991442.1
    本发明属于热管理与电子封装技术领域，具体涉及一种具有相变自修复热界面功能的热器件及其制备方法。所述热器件包含带沟槽和贯穿孔的上下基板、电极层、热电单元及相变介质层。所述制备方法包含基板加工、电极刻蚀、热电单元焊接及相变介质层成型步骤。在热器...
    2026-04-24
  • 热电器件的制备方法和热电器件
    热电器件的制备方法和热电器件_中国原子能科学研究院_202512016939.8
    本申请提供一种热电器件的制备方法和热电器件。本申请的方法包括将Fe粉、Ni粉和Mo粉按照(30%‑39%)：(20%‑26%)：(35%‑50%)的原子比例混合后，通过第一热机械加工制备得到N型FeNiMo合金，将Fe粉、Ni粉和Mo粉按照...
    2026-04-24
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