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最新专利技术
  • 超结集成方法及超结集成芯片
    超结集成方法及超结集成芯片_合肥托尔半导体有限公司_202610050193.4
    本申请公开了超结集成方法及超结集成芯片，属于超结半导体技术领域，所述方法包括，构建衬底层；衬底层上成型集成超结结构，其中，所述集成超结结构限定有外延层以及外延层内P柱与N柱交替，所述集成超结结构内具有至少一隔离结构，所述隔离结构限定有P梁，...
    2026-04-26
  • 一种结型晶体管器件
    一种结型晶体管器件_安建科技有限公司_202610021758.6
    一种结型晶体管器件，本发明涉及于功率半导体器件领域，为解决现有技术VJFET反向导通时的电流分布和热分布较集中于反并联漏极‑源极二极管单元，容易导致发热失效的问题，本发明在元胞沟槽内的第一内侧的底部转角设置栅极接触电极，第一外侧、和第一外侧...
    2026-04-26
  • 一种锗基台阶隧穿纳米管的TFET、CTFET及制备方法
    一种锗基台阶隧穿纳米管的TFET、CTFET及制备方法_西安电子科技大学_202511753696.X
    本发明公开了提供了一种锗基台阶隧穿纳米管的TFET、CTFET及制备方法，TFET的制备方法包括：在SOI层上制备第一掺杂类型的锗外延层；在锗外延层的第三上表面上制备介质层；在第一介质部分的部分表面上制备外栅极；在除第一中心区域外的本征锗层...
    2026-04-26
  • 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
    薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202610055702.2
    本公开提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置。在一具体实施方式中，该薄膜晶体管包括：层叠设置的有源区、栅极绝缘层和栅极，所述薄膜晶体管还包括：设置在所述有源区外围的有源扩展区，有源区的掺杂浓度小于有源扩展区的掺杂浓度，有源区在...
    2026-04-26
  • 薄膜晶体管、制备方法和显示面板
    薄膜晶体管、制备方法和显示面板_京东方科技集团股份有限公司_202610050256.6
    本发明涉及显示技术领域，具体提供一种薄膜晶体管、制备方法和显示面板。本发明薄膜晶体管包括：衬底；设置在所述衬底上的多晶硅有源区、与有源区交界的栅极绝缘层、栅极以及源漏电极，所述有源区包括：Ⅴ族掺杂元素层和Ⅲ族掺杂元素层，其中所述Ⅴ族掺杂元素...
    2026-04-26
  • 半导体器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路、车辆
    半导体器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路、车辆_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202610150055.3
    本发明公开了一种半导体器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路、车辆。半导体器件，包括：半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；半导体本体还包括第一区域、阱区、第二区域、第三区域和第四区域；第一区域设置为第一导电类型且位于第一表面；阱...
    2026-04-26
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202610038101.0
    本申请实施例公开一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括半导体本体，包括第一表面、第二表面、阱区、第一区域和沟道层，第一区域和沟道层相互接触；第一表面设置有沟槽；沟道层设置为第一导电类型，位于第一表面且沿沟槽...
    2026-04-26
  • 沟槽型碳化硅MOSFET器件结构
    沟槽型碳化硅MOSFET器件结构_上海积塔半导体有限公司_202610031256.1
    本发明提供了一种沟槽型碳化硅MOSFET器件结构，该器件结构包括：第一掺杂类型的碳化硅衬底；碳化硅衬底上表面的第一掺杂类型的碳化硅外延层；在第一方向上呈阵列排布的第二掺杂类型的沟槽保护区，设置于碳化硅外延层内，且沟槽保护区的顶部在第二方向上...
    2026-04-26
  • 基于场板辅助式碳化硅分裂栅场效应晶体管及其制备方法
    基于场板辅助式碳化硅分裂栅场效应晶体管及其制备方法_费米电气(舟山)有限公司_202511918220.7
    本发明提供了一种基于场板辅助式碳化硅分裂栅场效应晶体管及其制备方法，其包括：衬底、外延层、栅极氧化层、分裂栅、介电层以及多个源极场板，介电层沉积于栅极氧化层上，且覆盖分裂栅；多个源极场板均设置于介电层上，且对应分裂栅角部设置，以通过自身的电...
    2026-04-26
  • 改进的功率器件的设计和制造
    改进的功率器件的设计和制造_GENESIC半导体公司_202511829495.3
    本公开涉及改进的功率器件的设计和制造。本公开描述了一种器件及其形成方法。一种器件，包括至少部分形成于SiC基板内的单位单元，该单位单元包括：沟槽，其限定于SiC基板的上表面中；硅化物层，其设置于沟槽的至少一个表面上；第一导电类型漂移区，其形...
    2026-04-26
  • 具有周期性P岛屏蔽的沟槽MOSFET
    具有周期性P岛屏蔽的沟槽MOSFET_瑞萨电子株式会社_202511355784.4
    本公开的各实施例涉及具有周期性P岛屏蔽的沟槽MOSFET。一种半导体结构包括第一导电类型的碳化硅半导体衬底。半导体结构还包括位于半导体衬底上方的第一导电类型的漂移层、位于漂移层上方的第二导电类型的沟道层以及位于沟道层上方的第一导电类型的源极...
    2026-04-26
  • 碳化硅沟槽式栅极功率器件及其制备方法、芯片
    碳化硅沟槽式栅极功率器件及其制备方法、芯片_深圳方正微电子有限公司_202511958244.5
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种具有浮空P型环的碳化硅沟槽式栅极功率器件及其制备方法、芯片，P型屏蔽区形成于N型漂移区的凹槽底部，栅介质层形成于P型屏蔽区上的凹槽内壁，通过在N型漂移区内设置多个P型浮空环区，多个P型浮空环区的宽度沿P...
    2026-04-26
  • 一种碳化硅沟槽式栅极功率器件及其制备方法、芯片
    一种碳化硅沟槽式栅极功率器件及其制备方法、芯片_深圳方正微电子有限公司_202511958235.6
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种碳化硅沟槽式栅极功率器件及其制备方法、芯片，P型屏蔽区形成于N型漂移区的凹槽底部，栅介质层形成于P型屏蔽区上的凹槽内壁，通过在N型漂移区的中央区域设置多个宽度相同的P型浮空环区，多个P型浮空环区沿P型屏...
    2026-04-26
  • 碳化硅沟槽式栅极功率器件及其制备方法、芯片
    碳化硅沟槽式栅极功率器件及其制备方法、芯片_深圳方正微电子有限公司_202511958224.8
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种具有浮空P型环的碳化硅沟槽式栅极功率器件及其制备方法、芯片，P型屏蔽区形成于N型漂移区的凹槽底部，栅介质层形成于P型屏蔽区上的凹槽内壁，通过在N型漂移区的两侧区域设置多个宽度相同的P型浮空环区，同一侧的...
    2026-04-26
  • 一种基于自对准图案化工艺的器件制备方法和芯片
    一种基于自对准图案化工艺的器件制备方法和芯片_深圳方正微电子有限公司_202511958209.3
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种基于自对准图案化工艺的器件制备方法和芯片，通过不同的选择比控制自对准材料的生长形貌，并通过刻蚀的方式调整P型掺杂离子的注入范围，在N型漂移区的凹槽底部形成P型屏蔽区，并通过不同的自对准材料的选择比控制硬...
    2026-04-26
  • 具有线性浮空环区的碳化硅超结器件的制备方法和芯片
    具有线性浮空环区的碳化硅超结器件的制备方法和芯片_深圳方正微电子有限公司_202511956686.6
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种具有线性浮空环区的碳化硅超结器件的制备方法和芯片，通过将多个第一子P柱和第二子P柱层叠设置于N型漂移区的两侧，且每个第一子P柱和每个第二子P柱的部分区域延伸至N型漂移区内，并在N型漂移区内引入线性宽度的...
    2026-04-26
  • 基于双重图案光刻工艺的碳化硅器件制备方法和器件
    基于双重图案光刻工艺的碳化硅器件制备方法和器件_深圳方正微电子有限公司_202511956678.1
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种基于双重图案光刻工艺的碳化硅器件制备方法和器件，本申请通过在N型漂移区的凹槽底部形成P型屏蔽区，在N型漂移区的凹槽拐角区域设置边角介质层，降低栅极底部中央氧化层的高电场，使得场强向下延伸，提高器件的击穿...
    2026-04-26
  • 碳化硅超结单沟槽栅功率器件及其制备方法、芯片
    碳化硅超结单沟槽栅功率器件及其制备方法、芯片_深圳方正微电子有限公司_202511956658.4
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种碳化硅超结单沟槽栅功率器件及其制备方法、芯片，通过在N型漂移区内引入线性的P型浮空环区，P型浮空环区与栅极介质层之间的距离至少大于N型漂移区的厚度的二分之一，以将栅极沟槽氧化层拐角处的电场向下延伸，可以...
    2026-04-26
  • 具有P型浮空环的碳化硅超结器件及其制备方法、芯片
    具有P型浮空环的碳化硅超结器件及其制备方法、芯片_深圳方正微电子有限公司_202511955107.6
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种具有P型浮空环的碳化硅超结器件及其制备方法、芯片，通过在N型漂移区内引入宽度一致的P型浮空环区，降低栅极沟槽氧化层下方P型屏蔽区附近的碳化硅表面电场强度，可以有效降低栅极沟槽底部的栅介质层的表面电场，扩...
    2026-04-26
  • 具有P柱的碳化硅超结器件的制备方法、器件和芯片
    具有P柱的碳化硅超结器件的制备方法、器件和芯片_深圳方正微电子有限公司_202511955086.8
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种具有P柱的碳化硅超结器件的制备方法、器件和芯片，通过将多个第一子P柱和第二子P柱层叠设置于N型漂移区的两侧，且每个第一子P柱和每个第二子P柱的部分区域延伸至N型漂移区内，并在N型漂移区内引入宽度相同的P...
    2026-04-26
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