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最新专利技术
  • 屏蔽罩及电子设备
    屏蔽罩及电子设备_荣耀终端股份有限公司_202411525280.8
    本申请公开了一种屏蔽罩及电子设备。该屏蔽罩包括底座和盖体。底座的底面的第一开口与顶面的第二开口相通。底座的吸取部的吸取面背向底面所在的第一参考平面。盖体用于可拆卸地盖设在底座上并覆盖第二开口。在盖体盖设在底座上的情况下，吸取面沿吸取面的垂向...
    2026-05-14
  • 一种氮耦合后处理提升碳材料电磁防护性能的设计方法
    一种氮耦合后处理提升碳材料电磁防护性能的设计方法_西南技术物理研究所_202511981389.7
    本发明涉及一种氮耦合后处理提升碳材料电磁防护性能的设计方法，属于电磁兼容与吸波材料技术领域。所述方法首先制备氮掺杂多孔碳材料，利用氮元素对铁离子的增强吸附作用，将材料浸渍于铁盐溶液中以均匀负载铁离子，再经煅烧使铁离子原位转化为磁性纳米颗粒，...
    2026-05-14
  • 一种高选择性宽带光学透明能量选择表面及控制方法
    一种高选择性宽带光学透明能量选择表面及控制方法_大连海事大学_202610082103.X
    本发明公开了一种高选择性宽带光学透明能量选择表面及控制方法，包括单层光学透明基材以及并联电路结构；LC串联谐振支路，用于在常规工作状态下形成固定阻带且能够在强电磁攻击下，与阻抗变化后的场致非线性器件串联支路，形成双阻带耦合结构以扩展防护带宽...
    2026-05-14
  • 小型化原子自旋陀螺的异形被动磁屏蔽系统
    小型化原子自旋陀螺的异形被动磁屏蔽系统_北京航空航天大学_202610128615.5
    小型化原子自旋陀螺的异形被动磁屏蔽系统，通过异型高屏蔽因子屏蔽层设计，有利于提高磁屏蔽效果和内部磁场的均匀性，为高精度陀螺仪的实现提供了可靠的技术保障，其特征在于，包括在异形高屏蔽因子屏蔽层定义一个异形空间，所述异形空间包括柱状空腔、从柱状...
    2026-05-14
  • 一种解决磁吸背夹对穿戴终端天性性能影响的磁屏蔽结构
    一种解决磁吸背夹对穿戴终端天性性能影响的磁屏蔽结构_陕西银河景天电子有限责任公司_202610180932.1
    本发明公开了一种解决磁吸背夹对穿戴终端天性性能影响的磁屏蔽结构，具体涉及穿戴设备技术领域，包括磁吸底座和磁吸夹盖，还包括：固定组件，所述固定组件安装在磁吸底座靠近磁吸夹盖的一面上部；背盖，所述背盖安装在磁吸夹盖背面，所述磁吸夹盖中部设有第一...
    2026-05-14
  • 耐腐蚀电磁屏蔽材料及其制备方法
    耐腐蚀电磁屏蔽材料及其制备方法_深圳鼎信德新材料科创有限公司_202610257691.6
    本申请实施例提供一种耐腐蚀电磁屏蔽材料及其制备方法，耐腐蚀电磁屏蔽材料为层状结构，所述耐腐蚀电磁屏蔽材料依次包括导电层、环氧吸波层和第一耐腐蚀层。所述第一耐腐蚀层包括聚苯硫醚树脂、环氧氟硅烷改性石墨烯、聚醚醚酮树脂和分散剂。本申请提供的耐腐...
    2026-05-14
  • 基于非周期排布双菱形的电磁屏蔽光窗结构及设计方法
    基于非周期排布双菱形的电磁屏蔽光窗结构及设计方法_哈尔滨工业大学_202610320945.4
    基于非周期排布双菱形的电磁屏蔽光窗结构及设计方法属于光学透明件电磁屏蔽领域，该电磁屏蔽光窗结构由边长相同的第一菱形结构(内角分别为72°和108°)和第二菱形结构(内角分别为36°和144°)在满足内角闭合约束条件下随机排布构成，且相邻节点...
    2026-05-14
  • 一种分体式片料飞达
    一种分体式片料飞达_惠州市远澳智能科技有限公司_202610173398.1
    本发明涉及片料飞达技术领域，公开了一种分体式片料飞达，包括机架，所述机架的外壁上设置有用于供料的料仓供料机构，所述料仓供料机构的上方设置有送料机构，所述机架上设置有传动机构、压紧机构及支撑机构，所述机架上安装有剥料板，所述料仓供料机构包括料...
    2026-05-14
  • 一种无线充组装用贴纸抓取机构
    一种无线充组装用贴纸抓取机构_广东久久磁业有限公司_202311014934.6
    本发明公开了一种无线充组装用贴纸抓取机构，包括机架，机架的顶板的后壁面中部成型有向前延伸的下料通槽，机架的顶板的后部的左部顶面安装有底部粘纸放置板，机架的顶板的后部的右部顶面安装有上部粘纸放置板，所述机架的顶板的中部顶面固定有放置安装板，放...
    2026-05-14
  • 工件吸取方法及装置
    工件吸取方法及装置_东莞高伟光学电子有限公司_202411518617.2
    本申请实施例公开了一种工件吸取方法及装置，该工件吸取方法应用于贴片设备，包括：获取目标托盘对应的目标地图数据，目标托盘包括单板托盘或至少两个托盘组成的拼板托盘，目标地图数据包括各个托盘对应的至少一个地址矩阵，各个地址矩阵中元素的取值是根据待...
    2026-05-14
  • 提高VCM底座生产良率的立体电路集成制造工艺及系统
    提高VCM底座生产良率的立体电路集成制造工艺及系统_苏州和林微纳科技股份有限公司_202511727634.1
    本发明公开了一种提高VCM底座生产良率的立体电路集成制造工艺及系统，包括：S1、对VCM底座的塑件本体表面清洗；S2、在预处理后的塑件本体表面上贴装IC器件、电容器件及空心线圈；S3、构建有效训练数据集；S4、采用DE‑SVR模型优化贴装参...
    2026-05-14
  • 一种SMT兼容的DIP元器件安装焊接方法
    一种SMT兼容的DIP元器件安装焊接方法_重庆胜普电子有限公司_202610123840.X
    本发明涉及DIP元器件安装技术领域，具体涉及一种SMT兼容的DIP元器件安装焊接方法，包括采用引脚成型模具对DIP元器件引脚进行处理，使DIP元器件引脚向外弯折，然后对DIP元器件引脚的弯折段进行裁剪；在印制电路板焊盘表面涂覆焊锡膏，并将D...
    2026-05-14
  • 半导体器件及其制造方法、存储器件
    半导体器件及其制造方法、存储器件_长江存储控股股份有限公司_202411476821.2
    本公开提供了一种半导体器件及其制造方法、存储器件，该半导体器件包括：字线；字线沿第一方向延伸；位线；位线沿第二方向延伸；第二方向与所述第一方向相交；第一导电连接结构；第一导电连接结构位于第一表面和字线之间；第一导电连接结构的一端与字线连接；...
    2026-05-14
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411523958.9
    一种半导体器件及其制备方法、电子设备。半导体器件包括多条位线、多个存储单元列和第一导电层；第一电极通过第一导电层连接位线，和/或第二电极通过第一导电层连接所述电容器；所述有源层和所述第一导电层之间的接触电阻设置为小于所述有源层和所述电容器之...
    2026-05-14
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411523970.X
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。半导体器件包括半导体主体和位线，半导体主体沿第一方向延伸，位线在第一方向上位于半导体主体的一侧，位线包括金属硅化物层和位线金属层，金属硅化物层与半导体主体接触，金属硅化物层在第一方向上背离半...
    2026-05-14
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411523985.6
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。半导体器件包括第一半导体结构，第一半导体结构包括半导体主体、电容结构和连接结构，半导体主体沿第一方向延伸，电容结构在第一方向上位于半导体主体的一侧并包括第一电极层，连接结构在第一方向上的一端...
    2026-05-14
  • 存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备
    存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备_华为技术有限公司_202411530492.5
    本申请实施例提供了一种存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备，涉及电子设备技术领域。存储阵列包括堆叠结构、多个沟道层、间隔部和支撑部。堆叠结构包括层叠的多层第一电极层；堆叠结构设有开槽，开槽包括开孔和多个子槽，开孔贯穿多层第一电极层，多个子...
    2026-05-14
  • 一种半导体结构及其制造方法
    一种半导体结构及其制造方法_长鑫科技集团股份有限公司_202411538538.8
    本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其形成方法，至少可以包括：基底；位线结构，位于基底上，多条位线结构沿第一方向延伸且沿第二方向间隔设置，第一方向与第二方向垂直；第一介质层，位于相邻位线结构之间且沿第一方向间隔设置；接触结构，位...
    2026-05-14
  • 半导体器件及其制作方法和电子装置
    半导体器件及其制作方法和电子装置_北京超弦存储器研究院_202411545113.X
    一种半导体器件及其制作方法和电子装置。在所述半导体器件中，位线沿与衬底垂直的第一方向延伸；字线沿与衬底平行的第二方向延伸；各存储结构层包括至少一个存储结构，各存储结构包括沿第二方向依次设置的多个存储单元，各存储单元包括电容器和晶体管，晶体管...
    2026-05-14
  • 半导体结构及其制造方法、电子设备
    半导体结构及其制造方法、电子设备_长鑫科技集团股份有限公司_202411545203.9
    一种半导体结构及其制造方法、电子设备。半导体结构包括：有源柱，沿垂直方向延伸；字线，沿第一水平方向延伸，且与有源柱耦合以形成晶体管；位线，沿第二水平方向延伸，且与有源柱耦接，其中，第二水平方向与第一水平方向相交；其中，字线包括覆盖有源柱的侧...
    2026-05-14
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