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最新专利技术
  • 一种硬盘散热结构及系统
    一种硬盘散热结构及系统_北京热数科技有限公司_202511832646.0
    本申请涉及一种硬盘散热结构及系统，其中硬盘散热结构安装在机箱中，并对设置在盘盒中的硬盘进行散热，所述硬盘插接布设在所述盘盒中；所述硬盘散热结构包括导热板、冷板以及介质管路；所述盘盒可抽插地层叠布设在所述导热板之间，所述导热板上设置有热管；所...
    2026-05-11
  • 基于SRAM闲置金属层的零面积开销的电荷泵系统
    基于SRAM闲置金属层的零面积开销的电荷泵系统_深圳市爱协生科技股份有限公司_202511966417.8
    本发明涉及一种基于SRAM闲置金属层的零面积开销的电荷泵系统，该电荷泵系统利用覆盖在SRAM宏单元上方的闲置金属层构建飞行电容阵列，将飞行电容的下级板按反相时钟Φ1/Φ2划分为两个导体集合，并采用正交布线、1 : 1数量比、最小间距交错排列...
    2026-05-11
  • 三维存储与近存计算架构
    三维存储与近存计算架构_中国科学院微电子研究所_202511877318.2
    本公开提供了一种三维存储与近存计算架构，可以应用于电路设计技术领域。该三维存储与近存计算架构包括：控制层，包括选通模块和驱动模块；多个存储层，多个存储层堆叠在控制层的表面，存储层包括多个存储单元；其中，选通模块用于在选通信号的控制下，控制多...
    2026-05-11
  • 存储器及包括存储器的存储系统的操作方法
    存储器及包括存储器的存储系统的操作方法_爱思开海力士有限公司_202510304490.2
    本公开涉及计算命令与数据之间的时序差的存储器及存储系统的操作方法。一种存储器可以包括：命令部件，其被配置为在从测量命令的接收时间点起的N个时钟周期之后激活内部时钟，其中N为等于或大于0的整数；以及数据部件，其被配置为通过对数据时钟进行计数而...
    2026-05-11
  • 非易失性存储器装置和存储器系统
    非易失性存储器装置和存储器系统_三星电子株式会社_202511371315.1
    提供非易失性存储器装置和存储器系统。第一组FIFO寄存器分别连接到页缓冲器电路。第二组FIFO寄存器连接到第一组FIFO寄存器。复用器选择从第二组FIFO寄存器输出的多个子数据中的一个。控制电路响应于第一读取命令，通过感测存储在第一存储器平...
    2026-05-11
  • 存储器的接口电路、存储器控制器、装置和非暂态存储介质
    存储器的接口电路、存储器控制器、装置和非暂态存储介质_海光信息技术股份有限公司_202511946827.6
    本申请涉及一种存储器的接口电路、存储器控制器、装置和非暂态存储介质，包括：第一存储模块、第二存储模块、延迟漂移更新模块、延迟调整模块和可调链路延迟器；延迟漂移更新模块分别与第二存储模块和延迟调整模块连接，延迟调整模块还分别与第一存储模块、第...
    2026-05-11
  • 存储器的接口电路、重训练方法、存储器控制器、装置和非暂态存储介质
    存储器的接口电路、重训练方法、存储器控制器、装置和非暂态存储介质_海光信息技术股份有限公司_202511947861.5
    本申请涉及一种存储器的接口电路、重训练方法、存储器控制器、装置和非暂态存储介质，该接口电路包括接收模块、可调延迟模块、采样模块和相位调整模块；接收模块分别与采样模块的第一输入端和可调延迟模块的第一端连接，可调延迟模块的第二端与采样模块的第二...
    2026-05-11
  • 内容可寻址存储器和半导体装置
    内容可寻址存储器和半导体装置_瑞萨电子株式会社_202511413246.6
    本公开涉及内容可寻址存储器和半导体装置。一种内容可寻址存储器包括单元阵列、多个有效单元、全无效检测电路、搜索单元和控制单元，单元阵列能够存储多个数据条目，多个有效单元是针对数据条目中的每个数据条目而提供的，并且被配置为存储指示数据条目有效或...
    2026-05-11
  • 基于冗余存储单元控制的SRAM抗老化方法
    基于冗余存储单元控制的SRAM抗老化方法_苏州大学_202511866075.2
    本发明公开了一种基于冗余存储单元控制的SRAM抗老化方法，将存储阵列中的存储单元分为处于工作状态的存储单元和处于休息状态的存储单元，控制所有存储单元轮流进入休息状态，包括如下步骤：步骤1、将即将进入休息状态的存储单元的数据读出，并写入即将进...
    2026-05-11
  • 一种低功耗高可靠MRAM-TCAM/RAM单元和电路
    一种低功耗高可靠MRAM-TCAM/RAM单元和电路_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511966103.8
    本发明属于三态寻址内容存储器/随机存储器技术领域，特别涉及一种低功耗高可靠MRAM‑TCAM/RAM单元和电路。包括：SOT的磁性隧道结MTJ1～MTJ2和NMOS管NM1～NM7；所述SOT的磁性隧道结MTJ1的第一端接入NMOS管NM1...
    2026-05-11
  • 包括多个串选择晶体管的非易失性存储器装置
    包括多个串选择晶体管的非易失性存储器装置_三星电子株式会社_202510730261.7
    一种非易失性存储器装置包括并联连接在位线与公共源极线之间的第一单元串至第n单元串。第一单元串至第n单元串中的每一者包括：分别连接到第一接地选择线至第n接地选择线的第一接地选择晶体管至第n接地选择晶体管中的相应的一个接地选择晶体管；以及分别连...
    2026-05-11
  • 铁电晶体管中间节点电势的计算方法
    铁电晶体管中间节点电势的计算方法_北京大学_202511913593.5
    本申请公开了一种铁电晶体管中间节点电势的计算方法。该方法包括：根据铁电晶体管中栅氧层与半导体部分的电荷守恒关系，在对沟道电势做平均化处理的情况下，确定中间节点电势与沟道平均表面势的第一函数关系；再结合铁电层电荷守恒关系，确定沟道平均表面势与...
    2026-05-11
  • 电可擦除可编程只读存储器控制方法、装置及电子设备
    电可擦除可编程只读存储器控制方法、装置及电子设备_奇瑞汽车股份有限公司_202511900756.6
    本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种电可擦除可编程只读存储器控制方法、装置及电子设备，其中，电可擦除可编程只读存储器包括加载状态机、编程状态机、擦除状态机和主控模块，方法包括：通过获取其主控信号、时钟信号与模式切换信号，先基于主控信号激活...
    2026-05-11
  • 存储单元擦写方法、装置、电子设备及存储介质
    存储单元擦写方法、装置、电子设备及存储介质_普冉半导体(上海)股份有限公司_202511909066.7
    本申请提供了一种存储单元擦写方法、装置、电子设备及存储介质，涉及存储技术领域，该方法包括：获取存储单元的擦写操作曲线。根据擦写操作曲线，确定使存储单元的阈值电压变化进入线性区所需的最小操作时间。对存储单元施加初始擦写电压，且初始擦写电压的操...
    2026-05-11
  • 存储器装置、存储器控制器和高速缓存锁存器初始化方法
    存储器装置、存储器控制器和高速缓存锁存器初始化方法_三星电子株式会社_202511302723.1
    公开存储器装置、存储器控制器和高速缓存锁存器初始化方法。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括第一平面和第二平面；页缓冲器电路，包括第一高速缓存锁存器和第二高速缓存锁存器，第一高速缓存锁存器用于存储将被存储在第一平面中的数据，第二高速缓存...
    2026-05-11
  • 一种应用于HBM的VrefDQ确定方法及装置、电子设备、存储介质和计算机程序产品
    一种应用于HBM的VrefDQ确定方法及装置、电子设备、存储介质和计算机程序产品_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202511958990.4
    本公开涉及一种应用于HBM的VrefDQ确定方法及装置、电子设备、存储介质和计算机程序产品，HBM包括多个物理通道，每个物理通道包括两个逻辑通道；所述方法包括：确定目标物理通道包括的两个逻辑通道，在每个候选VrefDQ值下的指标之差、指标之...
    2026-05-11
  • 存储设备纠错方法、系统、设备、介质和程序产品
    存储设备纠错方法、系统、设备、介质和程序产品_海光信息技术(成都)有限公司_202511908510.3
    本申请涉及一种存储设备纠错方法、系统、设备、介质和程序产品。所述方法包括：响应于多个存储颗粒中的第一存储颗粒存在故障的情况下，存储第一存储颗粒影响的码字中错误符号的目标错误位置；响应于码字中错误符号的数量大于两个，基于第一存储颗粒影响的码字...
    2026-05-11
  • 一种提高NOR Flash芯片数据保持力的方法、装置及存储介质
    一种提高NOR Flash芯片数据保持力的方法、装置及存储介质_芯天下技术股份有限公司_202610293444.1
    本申请提供了一种提高NOR Flash芯片数据保持力的方法、装置及存储介质，应用于半导体集成电路技术领域，通过在NOR Flash芯片的存储单元执行读取操作并进行校验计算，当检测到数据存在可纠正的单比特错误且错误类型为第一逻辑状态翻转为第二...
    2026-05-11
  • 一种面向多SRAM的分组测试方法及系统
    一种面向多SRAM的分组测试方法及系统_苇渡微电子(广东)有限公司_202512002240.6
    本发明属于芯片测试技术领域，具体公开了一种面向多SRAM的分组测试方法及系统，该方法包括，基于数字集成电路的功能数据流路径确定全部SRAM的逻辑顺序，再按同一测试组内SRAM在功能数据流路径上非连续的规则划分多个测试组；通过串行移位寄存器链...
    2026-05-11
  • 并行读操作速度测试电路、测试方法及芯片
    并行读操作速度测试电路、测试方法及芯片_南京优存科技有限公司_202512013373.3
    本公开提供了并行读操作速度测试电路、测试方法及芯片，将nor flash的SPI接口电路与待测eflash连接，基于所述SPI接口电路产生第一信号，对所述待测eflash的存储模块的预设地址执行读取操作；基于所述SPI接口电路产生的第二信号...
    2026-05-11
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