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最新专利技术
  • 半导体结构
    半导体结构_联发科技股份有限公司_202411821897.4
    本发明公开一种半导体结构，包括：基板；设置于该基板上的电子装置，其中该电子装置包括第一栅极结构；以及互连结构，包括位于该电子装置正上方的第一互连层导电迹线，其中该第一互连层导电迹线具有第一开口，用于暴露至少一个该第一栅极结构。以此方式，在制...
    2026-05-14
  • 嵌入式闪存结构及制造方法
    嵌入式闪存结构及制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610113574.2
    本发明提供了一种嵌入式闪存结构及制造方法，包括：在衬底上形成栅氧化层、浮栅材料层、第一氮化层、阻挡氧化层和具有第一开口的硬掩膜层；在第一开口内形成ONO层；刻蚀第一开口内的部分ONO层、阻挡氧化层和第一氮化层，剩余的ONO层组成第一侧墙；刻...
    2026-05-14
  • 嵌入式闪存结构及制造方法
    嵌入式闪存结构及制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610113542.2
    本发明提供了一种嵌入式闪存结构及制造方法，包括：在衬底的表面依次形成栅氧化层、浮栅材料层和具有凹槽的硬掩膜层；在凹槽内形成第一侧墙，第一侧墙覆盖凹槽的侧壁和部分底壁；刻蚀部分浮栅材料层，露出栅氧化层的表面；在浮栅材料的侧壁上形成第二侧墙，第...
    2026-05-14
  • 一种三元可寻址存储器阵列及其制备方法、测试方法
    一种三元可寻址存储器阵列及其制备方法、测试方法_上海大学_202610146998.9
    本发明公开了一种三元可寻址存储器阵列及其制备方法、测试方法，涉及晶体管制造技术领域。包括：多个以阵列式排布互连的三元可寻址存储器；每个三元可寻址存储器由两个可重构双栅场效应晶体管互连组成；多条匹配线与接地线；同一行的三元可寻址存储器的匹配线...
    2026-05-14
  • NORD闪存器件及其制作方法
    NORD闪存器件及其制作方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610113702.3
    本发明提供一种NORD闪存器件及其制作方法，对栅极叠层之上的硬掩膜层进行图案化处理时，保留部分厚度的硬掩膜层，并对第一侧墙进行减薄处理，这样在沉积、刻蚀形成第二侧墙和第三侧墙时，将刻蚀工艺第三侧墙易产生缺陷点(Weak Point)的位置转...
    2026-05-14
  • 存储单元及其制作方法、存储阵列
    存储单元及其制作方法、存储阵列_上海复旦微电子集团股份有限公司_202411549778.8
    一种存储单元及其制作方法、存储阵列，其中存储单元包括：衬底，衬底具有有源区，有源区内具有沟槽；位于沟槽内的第一浮栅结构和第二浮栅结构；位于第一浮栅结构表面和第二浮栅结构表面的阻挡层；位于有源区的第一区内的共源层、以及位于有源区的第二区内的第...
    2026-05-14
  • 半导体存储器装置的制造方法
    半导体存储器装置的制造方法_爱思开海力士有限公司_202510850101.6
    本申请涉及半导体存储器装置的制造方法。一种制造半导体存储器装置的方法包括以下步骤：形成绝缘层；通过在所述绝缘层的表面上方沿层叠方向交替层叠第一材料层和第二材料层来形成初步层叠件；在所述初步层叠件上方形成掩模图案，所述掩模图案包括第一开口、第...
    2026-05-14
  • 半导体结构及其制造方法、电子设备
    半导体结构及其制造方法、电子设备_长鑫科技集团股份有限公司_202610416387.1
    本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法、电子设备，用于解决如何简化位线结构的形成工艺的技术问题。该制造方法包括：提供基底，基底包括沿第一方向排布的多个半导体图案，半导体图案包括沿第二方向延伸的第一部分以及沿第二方向间隔排布且均连接第一...
    2026-05-14
  • 半导体存储器
    半导体存储器_福建省晋华集成电路有限公司_202610120843.8
    本申请涉及本半导体存储器技术领域，提供了一种半导体存储器。该半导体存储器包括：一衬底；多个连接垫，沿着一第一方向排列；第一延伸垫，沿着第一方向排列在多个连接垫一侧，第一延伸垫的长度大于连接垫的长度；以及多个底电极，设置在多个连接垫和第一延伸...
    2026-05-14
  • 一种DRAM存储单元结构及其制备方法
    一种DRAM存储单元结构及其制备方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202512014023.9
    本发明提供了一种DRAM存储单元结构及其制备方法，该DRAM存储单元结构包括：衬底、字线、位线、多个垂直通道晶体管及位于垂直通道晶体管下方的电容器单元；电容器单元位于衬底上且垂直延伸至衬底内部；垂直通道晶体管的源极区、栅极区和漏极区自上而下...
    2026-05-14
  • 半导体器件的制备方法及半导体工艺设备
    半导体器件的制备方法及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202511871145.3
    本申请提供了一种半导体器件的制备方法及半导体工艺设备，属于半导体技术领域，该半导体器件的制备方法包括形成堆叠结构，堆叠结构包括交替堆叠的至少一层功能层及至少一层牺牲层；沿堆叠结构的侧壁横向刻蚀牺牲层，以使功能层的部分宽度裸露；循环执行氧化步...
    2026-05-14
  • 包括有源部分和位线的半导体器件
    包括有源部分和位线的半导体器件_三星电子株式会社_202511559265.X
    提供了一种半导体器件，包括：第一有源部分；第一有源部分的侧表面上的隔离区域；以及连接到第一有源部分的位线，其中第一有源部分包括与隔离区域接触的第一区域及以从第一区域向上延伸的第二区域，其中第二区域与隔离区域间隔开，并且其中位线包括：线部分，...
    2026-05-14
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511501625.0
    一种半导体器件可以包括在垂直方向上堆叠的多个管芯，其中所述多个管芯中的每个包括：第一基板；单元电容器，在第一基板上；单元晶体管，在单元电容器上；第二基板，其中第二基板的垂直高度高于单元晶体管的垂直高度；外围电路晶体管，在第二基板上；以及贯穿...
    2026-05-14
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202511442232.7
    半导体存储器装置包括：包含有源区的衬底；在衬底上的位线结构，位线结构包括单元导电线和单元线盖膜；存储接触，设置在位线结构的相对侧，并连接到有源区；存储焊盘，在存储接触中的一个存储接触上并且连接到存储接触中的所述一个存储接触；以及数据存储图案...
    2026-05-14
  • 三维半导体装置及其制造方法
    三维半导体装置及其制造方法_三星电子株式会社_202511423073.6
    一种三维半导体装置，包括：位线，其与衬底间隔开并且在垂直于衬底的下表面的方向上延伸；第一半导体图案，其在位线的第一侧表面上，第一半导体图案包括作为第一半导体图案中的最上面的第一半导体图案的第一最上图案；以及字线，其围绕第一半导体图案。第一最...
    2026-05-14
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511304192.X
    半导体器件包括包括NMOS区域和PMOS区域的衬底、第一栅极堆叠和与第一栅极堆叠相邻的第一源极/漏极区以及PMOS区域中的晶体管，晶体管包括第二栅极堆叠和与第二栅极堆叠相邻的第二源极/漏极区，其中, 第一栅极堆叠包括顺序堆叠的第一高介电常数...
    2026-05-14
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202511077852.5
    一种半导体装置包括：第一结构，其包括衬底；以及第二结构，其与第一结构重叠并且包括外围电路。第一结构包括：器件隔离结构，其位于衬底中；彼此间隔开的沟道结构；绝缘图案，其位于沟道结构之间；位线，其在竖直方向上延伸并且接触沟道结构；栅电极，其围绕...
    2026-05-14
  • 存储器及存储器的制备方法
    存储器及存储器的制备方法_华为技术有限公司_202411549052.4
    本申请提供了一种存储器及存储器的制备方法，其中，该存储器包括：堆叠设置的多个存储阵列晶圆，所述多个存储阵列晶圆中相邻的两个存储阵列晶圆键合设置，每个存储阵列晶圆包括存储阵列和感测放大器电路，所述存储阵列包括多个存储单元，每个存储单元包括第一...
    2026-05-14
  • 半导体结构、半导体结构的制备方法及电子设备
    半导体结构、半导体结构的制备方法及电子设备_北京超弦存储器研究院_202411546202.6
    本申请提供一种半导体结构、半导体结构的制备方法及电子设备，该半导体结构包括衬底、多层存储阵列、多条字线和多条位线，多层存储阵列沿垂直于衬底的方向堆叠；各层存储阵列均包括多个存储单元，多个存储单元沿行方向和列方向阵列排布；各存储单元均包括晶体...
    2026-05-14
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411546089.1
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。半导体器件包括外围电路结构、第一半导体结构和第二半导体结构，第一半导体结构在第一方向上位于外围电路结构的一侧并与外围电路结构耦接，第二半导体结构在第一方向上位于外围电路结构背离第一半导体结构...
    2026-05-14
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