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  • 本公开实施例涉及一种用于定向自组装的组合物及图案化的方法,该定向自组装的组合物包括嵌段共聚物,光致酸发生剂以及溶剂,通过形成由嵌段共聚物、光致酸发生剂以及溶剂构成的组合物,由于形成嵌段共聚物的第一均聚物和第二均聚物之间通过可酸裂解的缩醛键合...
  • 提供一种核‑壳化合物、包含所述核‑壳化合物的感光性树脂组合物、使用所述感光性树脂组合物制造的感光性树脂层、包括所述感光性树脂层的滤色器、以及包括所述滤色器的互补金属氧化物半导体图像传感器,所述核‑壳化合物包括由化学式1表示的核和包围所述核的...
  • 本发明提供一种半导体光刻胶组成物及使用半导体光刻胶组成物形成图案的方法。半导体光刻胶组成物包括有机金属化合物、由化学式1表示的羧酸化合物;以及溶剂。化学式1
  • 公开一种半导体光刻胶组合物及利用所述半导体光刻胶组合物来形成或提供图案的方法。所述半导体光刻胶组合物可包含由化学式1表示的有机金属化合物、以及溶剂。
  • 提供一种半导体光刻胶组合物和使用其形成图案的方法。所述半导体光刻胶组合物包含:有机金属化合物;包括由化学式M‑1表示的第一结构单元和由化学式2或化学式3表示的第二结构单元的聚合物;以及溶剂。对化学式M‑1、化学式2和化学式3的说明如在说明书...
  • 本发明发明一种可膨胀负型光阻以及利用此可膨胀负型光阻调整间隔物氧化物剖面轮廓的方法。该可膨胀负型光阻包括一高分子材料、一悬浮材料及一光致酸产生剂。该悬浮材料包含多个可膨胀分子。
  • 本公开涉及一种光刻方法及光刻结构,该光刻方法包括:在基板的上方依次形成第一抗反射涂层、第二抗反射涂层和光刻胶层;其中,第一抗反射涂层为可显影的抗反射涂层;图形化光刻胶层,并利用图形化的光刻胶层刻蚀第二抗反射涂层;利用显影工艺和图形化的光刻胶...
  • 本申请公开了一种热板降温装置及基板热处理设备。热板降温装置用于降低热板的表面温度,包括:冷却板,冷却板具有与热板的表面相配合的冷却面;移动机构,用于移动冷却板;控制器,与移动机构通信连接;其中,控制器被配置为,控制移动机构将冷却板装载至热板...
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种涂布用光刻胶涂抹装置,包括有:箱体;用于将待涂布基板运送至涂布工位的输送组件,其设于箱体上;以及设于箱体上方的涂布与清洗一体式切换机构;涂布与清洗一体式切换机构包括:旋转切换组件,用于带动两个狭缝涂...
  • 本发明提供一种光刻胶供应系统及其控制方法、涂胶显影设备;涂胶显影设备包括光刻胶供应系统,光刻胶供应系统包括:经由光刻胶管路依次连接的光刻胶瓶、光刻胶供液罐、抽吸泵及涂胶喷嘴,光刻胶管路在光刻胶供液罐的出口与涂胶喷嘴的入口之间设有过滤器;以及...
  • 本申请公开了一种用于激光直写的光刻系统、微镜组件,该用于激光直写的光刻系统包括微反射镜阵列、透镜和塑形机构;微反射镜阵列包括基底、多个连接杆和多个反射镜;其中,每个反射镜仅通过一个连接杆与基底连接;基底可朝向反射镜弯曲;透镜设于反射镜背离基...
  • 本公开涉及一种图形量测方法、装置、半导体制造设备、存储介质及程序产品;图形量测方法,包括:对半导体硅片的第一结构层上的第一光阻图形进行刻蚀,得到刻蚀后图形;将所述半导体硅片的第二结构层上的第二光阻图形作为参考图形,对所述刻蚀后图形的目标参数...
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种涂布显影机中晶圆边缘曝光方法及装置。该方法通过光斑运动控制或过程控制,对晶圆矩形曝光区起止点的光强进行补偿,以获得矩形曝光区曝光能量一致;该装置包括光源组件、承片台、运动机构及对准模块,承片台设置于...
  • 本公开涉及一种控制方法、曝光装置和物品的制造方法。一种控制第1LED和第2LED的点亮的控制方法,包括取得所述第1LED和所述第2LED各自的照度的取得工序以及基于所述取得工序的测量结果来决定流到所述第1LED和所述第2LED的电流值的决定...
  • 本发明涉及PCB制造技术领域,且公开了一种无对位偏移的通孔露孔曝光对位制作方法,包括以下步骤:提供已完成电镀的PCB板,所述PCB板具有至少一个通孔;在所述PCB板的C/S面层压第一正性干膜,所述第一正性干膜的感光波长为365nm且对405...
  • 一种改善光刻胶的线条的侧壁的线边缘粗糙度的方法包括步骤:S1,提供两张光刻流程前的产品片;S2,涂胶,获得两张涂胶片,其中,涂胶的光刻胶为I线胶;S3,曝光,获得两张曝光片,其中,针对两张曝光片,设置两个PEB(曝光后烘焙)温度,两个PEB...
  • 本发明涉及一种基于自监督学习的计算光刻建模与热点检测方法及装置,包括:构建包含版图特征编码器、几何重构分支和光刻空间像预测分支的神经网络模型,所述光刻空间像预测分支内置一可微分光学仿真层以融入物理先验;基于无标签掩模版图数据,对输入版图进行...
  • 本申请涉及微纳加工制造技术领域,具体提供了一种光刻直写微纳加工设备及加工方法,包括电子束曝光组件、激光直写组件、连接腔和传送导轨,所述电子束曝光组件用于对样品上的第一图案进行电子束曝光,所述激光直写组件用于对样品上的第二图案进行激光直写曝光...
  • 本发明涉及一种光刻工艺模型的测试图案集的生成方法及其相关产品。其中光刻工艺模型的测试图案集的生成方法包括:获取工艺设计套件提供的标准单元设计版图。将标准单元设计版图中测试所需的图层分割成多个子区域。根据标准单元设计版图的拓扑结构分别在每个子...
  • 本发明提供了一种黄光制程曝光能量确定方法、电子设备和存储介质,该方法包括:确定新产品所涉及的所有黄光工艺层以及新产品所涉及的每一黄光工艺层所对应的目标关键尺寸值、目标制程机台和光阻类型;针对新产品所涉及的每一黄光工艺层,根据该黄光工艺层所对...
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