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最新专利技术
  • 缺陷分类方法、分析方法、以及检查装置
    缺陷分类方法、分析方法、以及检查装置_雷射科技股份有限公司_202511435906.0
    本发明涉及一种缺陷分类方法，包括：向碳化硅基板投射照明光束，使照明光束照射碳化硅基板的位置进行扫描的工序；对从碳化硅基板射出的反射光以及包括可视区的光致发光进行检测的工序；以及基于反射光的检测结果和包括可视区的光致发光的检测结果，对缺陷进行...
    2026-04-24
  • 基底和检查基底的方法
    基底和检查基底的方法_三星显示有限公司_202511309954.5
    公开了一种基底和检查基底的方法，根据本公开的实施例的检查基底的方法可以包括：将包括多个单元、第一对准标记和在平面图中与第一对准标记间隔开的第二对准标记的基底放置在台上；执行使用第一对准标记校正第一相机的未对准的第一校正；通过使用第一相机捕获...
    2026-04-24
  • 基于常温下导通电阻的半导体器件分组方法及相关装置
    基于常温下导通电阻的半导体器件分组方法及相关装置_合肥工业大学_202511752792.2
    本发明公开了一种基于常温下导通电阻的半导体器件分组方法及相关装置，属于半导体制造技术领域。该方法包括在常温典型栅偏压和常温非典型栅偏压的情况下，分别对多个半导体器件的导通电阻进行测量，得到半导体器件的多组导通电阻的常温参数；若导通电阻在同样...
    2026-04-24
  • 半导体基板缺陷检测设备及方法
    半导体基板缺陷检测设备及方法_上海传芯半导体有限公司_202512019315.1
    一种装置及方法，该装置包括腔室主体、基板载台、翻转机械臂、聚光灯、图像采集装置和控制器，腔室主体具有上料口和下料口，且腔室主体内设置有安装板，基板载台设置在所述安装板上，且基板载台与上料口相邻设置，翻转机械臂设置在安装板上，翻转机械臂用于在...
    2026-04-24
  • 一种晶圆宏观和微观自动检测设备
    一种晶圆宏观和微观自动检测设备_苏州纬旭智能装备有限公司_202512026214.7
    本发明公开了一种晶圆宏观和微观自动检测设备，包括晶圆传输单元，晶圆传输单元包括晶圆传输机械手；晶圆装载料盒，设于晶圆传输单元沿X轴负方向的一侧，晶圆装载料盒用于存放晶圆；宏观检测单元，设于晶圆传输单元沿X轴正方向的一侧，宏观检测单元包括工作...
    2026-04-24
  • 一种分选机合图检查方法、系统、计算机及存储介质
    一种分选机合图检查方法、系统、计算机及存储介质_江西兆驰集成科技有限公司_202512028262.X
    本发明提供一种分选机合图检查方法、系统、计算机及存储介质，分选机合图检查方法包括：扫描晶圆，形成合成图档，设置若干个预设验证坐标，判断合成图档的坐标数据中是否包含全部预设验证坐标；若合成图档的坐标数据中不包含全部预设验证坐标，则将坐标数据中...
    2026-04-24
  • 一种基于气体放气速率监测的键合终点判断方法及系统
    一种基于气体放气速率监测的键合终点判断方法及系统_合肥工业大学_202512044925.7
    本发明公开了一种基于气体放气速率监测的键合终点判断方法及系统，本发明涉及微电子制造、半导体封装及MEMS制造技术领域，解决了终点判断主要依赖于诸如固定时间、特定温度或压力/位移参数等间接方法，存在判断不准确的技术问题，本发明通过摒弃了依赖固...
    2026-04-24
  • 外延缺陷检测方法及外延缺陷检测装置
    外延缺陷检测方法及外延缺陷检测装置_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202610039779.0
    本发明公开了一种外延缺陷检测方法及外延缺陷检测装置。外延缺陷检测方法包括：提供待检测的外延结构；基于所述待检测的外延结构形成肖特基二极管结构；使用电子束扫描所述肖特基二极管结构的待测区域并采集对应的电流；根据采集的电流确定所述外延结构的缺陷...
    2026-04-24
  • 晶圆检测设备及检测方法
    晶圆检测设备及检测方法_柯尔微电子装备(厦门)有限公司_202610049479.0
    本公开提供一种晶圆检测设备及检测方法，晶圆检测设备包括：晶圆载台，晶圆载台用于放置晶圆；检测镜组，检测镜组包括用于采集晶圆二维图像数据的二维图像采集装置和用于采集晶圆三维结构数据的三维图像采集装置；移动装置，移动装置与晶圆载台连接，用于调节...
    2026-04-24
  • 异常检测方法、设备和存储介质
    异常检测方法、设备和存储介质_全智芯(上海)技术有限公司_202610307625.5
    本公开的实施例涉及一种异常检测方法、设备和存储介质。该方法包括：基于与晶圆的生产有关的数据集确定一组曲线，一组曲线中的曲线表示生产晶圆的步骤中机台的传感器输出；对一组曲线中的各个曲线分类，以确定一组曲线中属于普通曲线类别的第一曲线，普通曲线...
    2026-04-24
  • EUV掩模板及其制造方法
    EUV掩模板及其制造方法_上海传芯半导体有限公司_202511946901.4
    一种EUV掩模板及其制造方法，该方法包括以下步骤：提供透明基板；在透明基板的一侧表面上沉积钼硅交替层，形成反射膜；在反射膜上沉积保护层，保护层由钌元素形成；对保护层和反射膜进行图案化的钼/硅聚焦离子束扫描，使保护层中的钌原子、反射膜中部分钼...
    2026-04-24
  • 一种掩模结构、制备方法及半导体器件的制备方法
    一种掩模结构、制备方法及半导体器件的制备方法_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202610037745.8
    本发明公开了一种掩模结构、制备方法及半导体器件的制备方法，其中，掩模结构，包括：缓冲层，设置在衬底的一侧；第一硬掩模层和第二硬掩模层，依次层叠在所述缓冲层远离所述衬底的表面；其中，所述第二硬掩模层远离所述衬底的表面设置有凹槽，所述凹槽沿所述...
    2026-04-24
  • 一种掩模结构的制备方法
    一种掩模结构的制备方法_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202610037751.3
    本发明公开了一种掩模结构的制备方法，包括：提供基板；在所述基板表面形成第一硬掩模层；在所述第一硬掩模层形成第一开口图形；所述第一开口图形漏出所述基板表面；在所述第一硬掩模层远离所述基板的一侧形成第二硬掩模层；所述第二硬掩模层至少覆盖所述第一...
    2026-04-24
  • 晶圆处理方法、装置、设备及存储介质
    晶圆处理方法、装置、设备及存储介质_广州增芯科技有限公司_202610043534.5
    本申请提供一种晶圆处理方法、装置、设备及存储介质，涉及半导体制造技术领域。该晶圆处理方法包括：获取刻蚀机台的机台状态数据；基于机台状态数据，确定待工作的目标刻蚀反应腔和目标光刻机；根据目标刻蚀反应腔和目标光刻机，从多个预设补偿参数中确定目标...
    2026-04-24
  • 一种改善硅片边抛吸盘印的复合工艺方法
    一种改善硅片边抛吸盘印的复合工艺方法_山东有研艾斯半导体材料有限公司_202512019209.3
    本发明公开了一种改善硅片边抛吸盘印的复合工艺方法，该加工工艺包括以下步骤：(1)使用双面抛光机对碱腐蚀后的硅片进行双面抛光；(2)使用清洗机对双面抛光后的硅片进行清洗；(3)对已完成双面抛光及清洗的硅片进行热氧化，在其正面生长一层兼具应力缓...
    2026-04-24
  • 用于悬空剥离的图形化复合衬底、其制备方法及应用
    用于悬空剥离的图形化复合衬底、其制备方法及应用_苏州纳维科技有限公司_202512024779.1
    本发明公开了一种用于悬空剥离的图形化复合衬底、其制备方法及应用，属于半导体材料制备技术领域。该图形化复合衬底包括原始衬底及周期性排布于其表面的多个图形化单元，每个单元由可选择性去除的牺牲柱体和设于其顶部的成核帽体构成；通过协同配置牺牲柱体高...
    2026-04-24
  • 一种双面减薄硅片纳米形貌的控制方法和装置
    一种双面减薄硅片纳米形貌的控制方法和装置_金瑞泓微电子(嘉兴)有限公司_202512024909.1
    本发明涉及一种双面减薄硅片纳米形貌的控制方法和装置，其中，方法包括：获取双面减薄后的硅片上每个位置的翘曲度数据，得到翘曲度数据曲线；对所述翘曲度数据曲线进行多级微分平滑处理，得到所述双面减薄后的硅片的形貌参数；将所述双面减薄后的硅片的形貌参...
    2026-04-24
  • 一种退火炉温度监控方法及装置
    一种退火炉温度监控方法及装置_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202610038103.X
    本申请实施例公开一种退火炉温度监控方法及装置。该退火炉温度监控方法包括：提供样品；将相同数量的样品设置于退火炉中；控制退火炉内的温度升高；根据样品的形貌变化确定退火炉内的温度。本申请实施例的技术方案，通过设置退火炉温度监控方法，实现对退火炉...
    2026-04-24
  • 孔槽、沟槽隔离结构及半导体制备方法
    孔槽、沟槽隔离结构及半导体制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610290291.5
    本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种孔槽、沟槽隔离结构及半导体制备方法。所述孔槽制备方法包括以下步骤：提供一层结构，所述层结构包括目标层及形成于目标层上的硬掩膜层；引入光刻技术，于所述硬掩膜层上形成窗口，所述窗口的顶部边缘形成有边缘缺陷...
    2026-04-24
  • SOI晶体管结构及其制备方法、测试方法
    SOI晶体管结构及其制备方法、测试方法_广州增芯科技有限公司_202610043492.5
    本发明提供了一种SOI晶体管结构及其制备方法、测试方法，该结构包括在从下至上依次形成有底硅层、埋氧层以及顶硅层的SOI衬底上形成的SOI晶体管以及若干电阻器件，其中，若干电阻器件分别位于SOI晶体管的两侧；SOI晶体管与电阻器件之间以及相邻...
    2026-04-24
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