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最新专利技术
  • 异质存储器堆叠
    异质存储器堆叠_补丁科技股份有限公司_202511425116.4
    本发明公开了一种异质存储器堆叠，堆叠式存储器装置包含：一第一存储器晶粒与一第二存储器晶粒。该第一存储器晶粒具有多层结构，每一层包含至少一存储器单元区与一硅通孔区，其中该第一存储器晶粒通过该硅通孔区内的多个垂直互连，电性连接至一集成电路装置。...
    2026-04-23
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_深圳市章阁仪器有限公司_202610015603.1
    一种半导体装置及其制造方法，提供的半导体装置的制造方法，通过在相邻位线结构之间设置了包含空气间隙的介电结构，利用了空气远低于传统固态绝缘材料的介电常数(k≈1)，从而能够极大地降低位线结构之间的寄生电容。寄生电容的有效降低，可降低位线结构间...
    2026-04-23
  • 半导体装置和制造该半导体装置的方法
    半导体装置和制造该半导体装置的方法_爱思开海力士有限公司_202510234085.8
    本申请涉及半导体装置和制造该半导体装置的方法。一种半导体装置包括：基板，其包括在第一方向上彼此间隔开的接触区域以及位于接触区域之间的保护区域；层叠物，其从保护区域延伸到接触区域，并且包括位于保护区域和接触区域之间的边界处的倾斜结构；贯通结构...
    2026-04-23
  • 快闪存储器装置及其形成方法
    快闪存储器装置及其形成方法_华邦电子股份有限公司_202411615334.X
    本发明提供一种快闪存储器装置及其形成方法，形成方法包括提供基底；于基底上形成穿隧介电层；于穿隧介电层上形成多个堆叠结构，各堆叠结构包括浮栅以及位于浮栅上的掩膜图案；进行第一刻蚀工艺，于基底中形成多个第一沟槽；进行第二刻蚀工艺，移除从第一沟槽...
    2026-04-23
  • 用于制造半导体装置的方法
    用于制造半导体装置的方法_北京磐芯微电子科技有限公司_202311281608.1
    本公开提供了一种用于制造半导体装置的方法。该半导体装置包括其中形成多个闪存单元的第一区域和其中形成金属氧化物半导体(MOS)晶体管的第二区域，每个闪存单元包括两个存储晶体管和设置在两个存储晶体管之间的一个选通晶体管。根据本公开的用于制造半导...
    2026-04-23
  • 半导体器件和包括半导体器件的数据存储系统
    半导体器件和包括半导体器件的数据存储系统_三星电子株式会社_202510918058.2
    提供了半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统。一种半导体器件包括：堆叠结构，包括栅电极，其中堆叠结构包括第一区域、第二区域以及其间的第三区域；绝缘层，在堆叠结构上；沟道结构，在第一区域中延伸到堆叠结构中；第一接触插塞，延伸到绝缘层中，其...
    2026-04-23
  • 半导体装置
    半导体装置_爱思开海力士有限公司_202610010893.0
    本公开提供一种半导体装置。一种半导体装置包括：基板；第一连接结构，其设置在基板上，第一连接结构包括第一连接导体；晶体管，其设置在基板和第一连接结构之间；第一接合结构，其包括连接至第一连接导体的第一接合焊盘；第二接合结构，其包括连接至第一接合...
    2026-04-23
  • 半导体结构、芯片封装结构和存储系统
    半导体结构、芯片封装结构和存储系统_长江存储控股股份有限公司_202411343938.3
    本公开提供了一种半导体结构、芯片封装结构和存储系统，涉及半导体技术领域，旨在提高半导体结构内的裸片在进行信号传输时的信号传输质量，并降低半导体结构的生产成本，减小半导体结构的尺寸。半导体结构包括堆叠设置的多个裸片、连接结构、键合层和第一键合...
    2026-04-23
  • 半导体封装
    半导体封装_三星电子株式会社_202510926708.8
    一种半导体封装包括：基板、基板上的逻辑管芯、逻辑管芯的侧表面和上表面上的基础绝缘层、在逻辑管芯的一侧处延伸穿过基础绝缘层的绝缘层贯穿通路、在基础绝缘层的上表面上的高带宽存储器、在基础绝缘层的上表面上的至少一个光学结构以及包括光纤的至少一个光...
    2026-04-23
  • 一种存算一体系统级封装的叠构和制造方法
    一种存算一体系统级封装的叠构和制造方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202512001530.9
    本发明涉及存储器封装技术领域，具体地说是一种存算一体系统级封装的叠构和制造方法，包括载体芯片、存储芯片LPDDR、辅助垫片、控制芯片CPU、垂直打线、塑封体、RDL布线层、植球，载体芯片上垂直堆叠有8颗存储芯片LPDDR，上下相邻的两颗存储...
    2026-04-23
  • 半导体器件中平坦化工艺与电阻集成的结构及方法
    半导体器件中平坦化工艺与电阻集成的结构及方法_重庆中科渝芯电子有限公司_202610009554.0
    本发明公开半导体器件中平坦化工艺与电阻集成的结构及方法，方法步骤为：对所述金属层间第二介质层进行全局平坦化刻蚀处理并保留厚度h，形成刻蚀保留的金属层间第二介质层。去除所述第二器件区刻蚀保留的金属层间第二介质层，并全局生长形成金属层间第三介质...
    2026-04-23
  • 适用于CrSi电阻激光修调的集成平坦化方法及结构
    适用于CrSi电阻激光修调的集成平坦化方法及结构_重庆中科渝芯电子有限公司_202610009595.X
    本发明公开适用于CrSi电阻激光修调的集成平坦化方法及结构，方法步骤包括：对所述金属层间第二介质层进行全局平坦化刻蚀处理，并保留厚度h，形成表面粗糙度较大的金属层间第二介质层。减小表面粗糙度较大的金属层间第二介质层表面粗糙度，形成表面粗糙度...
    2026-04-23
  • 叠层电容、其制备方法、高压产生电路及半导体存储器件
    叠层电容、其制备方法、高压产生电路及半导体存储器件_普冉半导体(上海)股份有限公司_202511949727.9
    叠层电容、其制备方法、高压产生电路及半导体存储器件，现有 SONOS 等工艺中高压电容直接利用薄隧穿氧作为底部介质，耐压不足且需大面积串并联电容堆叠，本发明通过在叠层电容区域中保留原本用于刻蚀辅助的牺牲氧化层，使牺牲氧化层与其上的下氧化层共...
    2026-04-23
  • 基于同质变k介质终端的纵向二极管及其制备方法
    基于同质变k介质终端的纵向二极管及其制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511886050.9
    本发明提供了一种基于同质变k介质终端的纵向二极管及其制备方法，包括衬底以及两个第一终端结构，衬底上方设有外延层，衬底的底部设有阴极；外延层的上方设有阳极；两个第一终端结构间隔设于外延层上，两个第一终端结构分别与阳极的两个端部上下对应且部分重...
    2026-04-23
  • 基于化学机械抛光的结势垒肖特基二极管制备方法
    基于化学机械抛光的结势垒肖特基二极管制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511887810.8
    本申请提供了一种基于化学机械抛光的结势垒肖特基二极管制备方法，属于肖特基二极管制造技术领域，包括步骤：在氧化镓晶片的外延层侧制备阳极层，阳极层外侧的硬度高于氧化镓晶片的外延层的硬度；使阳极层的表面与柔性的抛光垫紧密贴合接触，抛光垫挤入阳极层...
    2026-04-23
  • 纵向功率器件制备方法和纵向功率器件
    纵向功率器件制备方法和纵向功率器件_中国电子科技集团公司第十三研究所_202512030519.5
    本申请提供了一种纵向功率器件制备方法和纵向功率器件，属于功率半导体二极管技术领域，在Ga2O3基体的上表面制备基层NiO薄膜；在最上层的NiO薄膜上依次制备第一光刻胶层和第二光刻胶层，并进行烘烤处理，且第一光刻胶层的烘烤温度低于第二光刻胶层...
    2026-04-23
  • 纵向功率器件制备方法和纵向功率器件
    纵向功率器件制备方法和纵向功率器件_中国电子科技集团公司第十三研究所_202512030710.X
    本申请提供了一种纵向功率器件制备方法和纵向功率器件，属于功率半导体二极管技术领域，包括以下步骤：制备基层NiO薄膜；在最上层的NiO薄膜层上制备多层均可被第一腐蚀液腐蚀的介质层，使多层介质层的腐蚀速率向远离Ga2O3基体的方向逐渐减小；在最...
    2026-04-23
  • 一种具有p-GaN层的AlGaN/GaN多沟道混合阳极二极管及其制作方法
    一种具有p-GaN层的AlGaN/GaN多沟道混合阳极二极管及其制作方法_江苏芯港半导体有限公司_202610035695.X
    本发明公开了一种具有p‑GaN层的AlGaN/GaN多沟道混合阳极二极管及其制作方法，主要解决现有二极管因刻蚀损伤导致性能不佳的问题。方案包括：1)在衬底上生长Al(Ga)N/GaN异质结层、SiN钝化层；2)在外延层结构上设置用于形成阴极...
    2026-04-23
  • 续流器件和功率半导体器件
    续流器件和功率半导体器件_株洲中车时代半导体股份有限公司_202411782156.X
    本公开涉及一种续流器件和功率半导体器件，续流器件，包括有效区和位于有效区外围的终端区，续流器件包括：阳极，位于有效区，阳极包括多个第一P+型掺杂结构，沿与有效区表面平行并且远离有效区中心的方向上，多个第一P+型掺杂结构的宽度呈递减趋势。
    2026-04-23
  • 一种碳化硅二极管结构、芯片结构及其制备方法
    一种碳化硅二极管结构、芯片结构及其制备方法_西安龙威半导体有限公司_202511967817.0
    本发明公开了一种碳化硅二极管结构、芯片结构及其制备方法。二极管结构和芯片结构均包括阴极金属及阴极金属上方的N+型碳化硅衬底，在N+型碳化硅衬底上方依次为第一N‑型碳化硅外延层、第二N‑型碳化硅外延层、P+型屏蔽区；在第二N‑型碳化硅外延层远...
    2026-04-23
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