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最新专利技术
  • 一种高电压的内置IC数字LED
    一种高电压的内置IC数字LED_东莞市华彩威科技有限公司_202511664360.6
    本申请涉及数字LED技术领域，尤其是涉及一种高电压的内置IC数字LED。其包括支架，支架上设置容置槽，容置槽底部槽壁设电路板，电路板安装控制IC和3个或3个以上工作电压≥6V的LED芯片，控制IC与LED芯片电连接，容置槽内有若干挡板分隔相...
    2026-05-10
  • 针刺式下针量位移补偿方法、装置、设备及存储介质
    针刺式下针量位移补偿方法、装置、设备及存储介质_迈为技术(珠海)有限公司_202511974456.2
    本申请公开针刺式下针量位移补偿方法、装置、设备及存储介质，涉及智能控制技术领域，该方法先基于芯片转移工艺需求设定针尖目标位移数据，驱动机构带动针尖向目标基板运动；通过电容式传感器组件利用电极面间距变化引发的电容值变化，实时检测转移针尖实时位...
    2026-05-10
  • 显示模组及其制作方法
    显示模组及其制作方法_惠州市聚飞光电有限公司_202610152654.9
    本申请提供一种显示模组及其制作方法，涉及显示器件技术领域，显示模组的制作方法通过将LED芯片阵列贴装在基板层的安装表面，并在LED芯片阵列的表面涂布液态透光层并在液态透光层的表面覆盖荧光层，接着将基板层、涂布液态透光层和荧光层压合热固，再对...
    2026-05-10
  • 光电固态阵列
    光电固态阵列_维耶尔公司_202511976399.1
    本申请涉及光电固态阵列。本发明公开用于制造光电固态阵列装置的结构和方法。在一种情况下，背板和微型装置的阵列是通过凸块对准并连接。
    2026-05-10
  • 一种半导体器件结构及其形成方法、半导体芯片
    一种半导体器件结构及其形成方法、半导体芯片_上海显耀显示科技股份有限公司_202411509611.9
    一种半导体器件结构及其形成方法、半导体芯片，所述半导体器件结构包括：基底，所述基底包括发光台面，所述发光台面的发光面上具有不透光的第一掺杂类型欧姆接触层；介质层，位于所述基底上；多个微透镜，位于所述介质层上；其中，所述发光台面上设置有多个微...
    2026-05-10
  • LED封装结构、LED背光模组和LED背光模组的制备方法
    LED封装结构、LED背光模组和LED背光模组的制备方法_江西省兆驰光电有限公司_202610459040.5
    本发明涉及LED封装的技术领域，公开了LED封装结构、LED背光模组和LED背光模组的制备方法。LED封装结构，包括：LED芯片、荧光胶膜和保护胶膜，所述荧光胶膜包覆所述LED芯片的侧面和上表面，所述保护胶膜包覆所述荧光胶膜的侧面和上表面，...
    2026-05-10
  • 一种牙科辅助照明灯及其生产装配加工工艺
    一种牙科辅助照明灯及其生产装配加工工艺_东莞市茂恩电子科技有限公司_202610118340.7
    本发明公开了一种牙科辅助照明灯及其生产装配加工工艺，包括以下制备步骤：S1、PCB预处理、S2、丝印锡膏、S3、芯片贴装、S4、回流焊固化、S5、芯片封装以及S6、胶层固化；其中S6、胶层固化步骤中，PCB板采用倒置的方式送入固化烤箱中，以...
    2026-05-10
  • 微型发光二极管及其制备方法
    微型发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511864991.2
    本公开提供了一种微型发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括外延层和位于所述外延层一侧的反射层，所述反射层的厚度为0.9μm至1.3μm，且所述反射层的中心波长反射率大于或者等于95%。本公开能改善微型发光二极管的反...
    2026-05-10
  • 一种发光芯片及其制备方法
    一种发光芯片及其制备方法_烟雨半导体(湖州)有限公司_202610145886.1
    本发明公开了一种发光芯片及其制备方法，发光芯片包括：驱动基板，包括相对设置的第一表面和第二表面；第一表面包括至少一个电极触点；至少一个发光单元，位于驱动基板的第一表面，每一发光单元能够被对应的电极触点单独驱动；其中，发光单元包括发光外延结构...
    2026-05-10
  • 发光二极管及其制作方法
    发光二极管及其制作方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511840333.X
    本公开提供了一种发光二极管及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括依次层叠在一起的n型半导体层、多量子阱层、插入层和p型半导体层；其中，所述n型半导体层以及所述p型半导体层均包括GaN层；所述插入层为掺C的GaN层。本公开可以削...
    2026-05-10
  • 一种外延结构、LED芯片及其制作方法
    一种外延结构、LED芯片及其制作方法_江西乾照半导体科技有限公司_202610249850.8
    一种外延结构、LED芯片及其制作方法，外延结构包括层叠的N个发光单元和位于相邻两发光单元间的隧穿结，N≥2，且N为正整数；发光单元包括第一型波导层、有源层和第二型波导层；隧穿结包括层叠设置的第一型材料层和第二型材料层；沿出光方向隧穿结的第一...
    2026-05-10
  • 发光二极管及其制备方法
    发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511931025.8
    本公开提供了一种发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括依次层叠的n型半导体层、多量子阱层和p型半导体层；所述多量子阱层包括至少一个超晶格结构和至少两个第一结构，所述超晶格结构的每一侧具有一个所述第一结构；每个所述第一...
    2026-05-10
  • 发光二极管及其制备方法
    发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511930849.3
    本公开提供了一种发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括依次层叠的第一半导体层、第一多量子阱层、第二多量子阱层和第二半导体层。所述第一多量子阱层包括交替层叠的多个第一量子阱层和多个第一量子垒层，所述第二多量子阱层包括交...
    2026-05-10
  • 一种发光二极管、其制备方法及通信系统
    一种发光二极管、其制备方法及通信系统_厦门大学_202511928559.5
    本发明涉及半导体技术领域，提供一种发光二极管、其制备方法及通信系统。发光二极管包括依次层叠的衬底、第一半导体层、有源层以及第二半导体层；有源层包括至少一组周期交替层叠的量子阱层和量子垒层；量子阱层包含In组分；有源层还包括至少一层覆盖层；覆...
    2026-05-10
  • 发光二极管芯片及其制备方法
    发光二极管芯片及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511872838.4
    本公开提供了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。发光二极管芯片包括依次叠设的N型半导体层、有源层和P型半导体层；P型半导体层包括叠设在一起的非掺杂子层和掺杂子层，掺杂子层包括依次叠设的第一高温相层、第二高温相层和第三高温相层...
    2026-05-10
  • 一种电极反射结构及其制备方法
    一种电极反射结构及其制备方法_福州华兆光电有限公司_202610163212.4
    本发明公开了一种电极反射结构及其制备方法，在透明导电层上制备光刻胶第一倒角和预设长度的底切，将操作环境抽真空至10‑6Torr以上，并在所述透明导电层上依次蒸镀金属粘附层及金属反射层；在金属反射层上先蒸镀Ti应力缓冲层，再在Ti应力缓冲层上...
    2026-05-10
  • 一种提升亮度的倒装LED芯片及其制备方法
    一种提升亮度的倒装LED芯片及其制备方法_福州华兆光电有限公司_202610094799.8
    本发明公开了一种提升亮度的倒装LED芯片及其制备方法，在P‑GaN层上制备生成透明导电层，并在透明导电层上依次沉积第一绝缘层和第二绝缘层，第二绝缘层覆盖在已制备透明导电层的LED芯片的表面；在第一绝缘层和第二绝缘层对应P‑GaN层的位置按照...
    2026-05-10
  • Micro-LED外延结构的形成方法、外延结构及芯片
    Micro-LED外延结构的形成方法、外延结构及芯片_厦门大学_202610062678.5
    本申请涉及半导体光电子器件技术领域，具体涉及一种Micro‑LED外延结构的形成方法、外延结构及芯片。Micro‑LED外延结构包括：n型GaN层和p型GaN层之间的多量子阱层；多量子阱层包括3~10个重复堆叠的基础单元，每一基础单元包括量...
    2026-05-10
  • 一种基于外延重构的MicroLED显示器件及其制备方法
    一种基于外延重构的MicroLED显示器件及其制备方法_苏州汉骅半导体有限公司_202512052972.6
    本发明公开了一种基于外延重构的MicroLED显示器件及其制备方法，器件包括若干组显示单元，每个显示单元具有垂直堆叠的三个独立LED子单元结构，每个子单元依次包括N‑GaN层、选择性光源层、SiN绝缘层、P‑GaN层，子单元之间设置高阻Al...
    2026-05-10
  • 一种基于外延重构的MicroLED显示器件及其制备方法
    一种基于外延重构的MicroLED显示器件及其制备方法_苏州汉骅半导体有限公司_202512052880.8
    本发明公开了一种基于外延重构的MicroLED显示器件及其制备方法，器件包括若干组显示单元，N‑GaN层；选择性光源层，覆盖所述N‑GaN层的部分上表面；SiN绝缘层，覆盖N‑GaN层其他部分上表面且位于选择性光源层的两侧；P‑GaN层，覆...
    2026-05-10
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