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最新专利技术
  • 一种新型高功率密度NPN器件结构
    一种新型高功率密度NPN器件结构_杰平方半导体(上海)有限公司_202411512356.3
    本发明公开了一种新型高功率密度NPN器件结构，属于半导体器件技术领域，该新型高功率密度NPN器件结构，包括第一导电类型衬底和至少两个ZP埋层，所述ZP埋层设置在所述第一导电类型衬底中的预定深度处，所述ZP埋层之间设置有第一导电类型埋层，所述...
    2026-05-14
  • 多沟道功率二极管及其制备方法
    多沟道功率二极管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511855316.3
    本公开提供了一种多沟道功率二极管及其制备方法，属于电力电子领域。该多沟道功率二极管包括：外延层、阳极层和阴极层；所述外延层包括多个层叠的异质结，所述外延层的顶面具有间隔排布的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽均延伸至最远离所述外...
    2026-05-14
  • 氮化镓肖特基二极管及其制备方法
    氮化镓肖特基二极管及其制备方法_上海新微半导体有限公司_202610173824.1
    本发明提供一种氮化镓肖特基二极管及其制备方法，通过使用N型SiC衬底有效降低成本，并利用SiC材料的高热导率改善器件的散热性能。由于在P型GaN层中形成有Mg与H成键的Mg‑H结构，通过图案化的氢扩散阻挡层实现Mg的渐变激活，使得电场调控区...
    2026-05-14
  • 半导体装置
    半导体装置_三垦电气株式会社_202511520685.7
    本发明提供半导体装置。能够得到难以发生二次击穿的RFC二极管。在背面侧，n型阴极层(12)和p型阴极层(13)在俯视时交替地形成，n型阴极层(12)和p型阴极层(13)与阴极电极(21)连接。正面侧半导体区域具备：第一p型阳极层(15)，其...
    2026-05-14
  • 集成无源器件和电子设备
    集成无源器件和电子设备_北京京东方光电科技有限公司_202411545369.0
    提供一种集成无源器件包括：器件主体层，包括衬底基板和位于所述衬底基板上的电容功能层，所述电容功能层包括至少一个电容；第一导电层，位于所述器件主体层沿第一方向的一侧，所述衬底基板具有面向所述电容功能层的第一表面，所述第一方向垂直于所述第一表面...
    2026-05-14
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_格科微电子(上海)有限公司_202610031566.3
    本发明公开一种半导体结构及其形成方法。所述方法包括：提供衬底，在衬底第一面刻蚀形成多个沟槽；在所述沟槽内依次形成沟槽电容的下极板、介电层及上极板；在至少部分沟槽上方形成第一通孔导电结构，该第一通孔导电结构电连接于其下方沟槽内的下极板，并通过...
    2026-05-14
  • 一种形成半导体基体平滑立体表面的刻蚀方法及深沟槽电容的制造方法
    一种形成半导体基体平滑立体表面的刻蚀方法及深沟槽电容的制造方法_上海曜感科技有限公司_202512009499.3
    本发明提供了一种形成半导体基体平滑立体表面的刻蚀方法，及利用此方法得到的深沟槽电容，包括步骤：S10：在半导体基体上均匀涂覆光刻胶层，并通过掩模版光刻曝光得到均匀阵列分布的光刻胶图形；S20：对光刻胶图形阵列进行高温固化使其上表面呈曲面；S...
    2026-05-14
  • 半导体结构及其制备方法、电容结构
    半导体结构及其制备方法、电容结构_无锡华润上华科技有限公司_202411535146.6
    本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、电容结构。半导体结构包括：基底；阻挡层，设于所述基底的一侧；以及柱阵列，设于所述阻挡层远离所述基底的一侧；所述柱阵列包括间隔排布的多个柱体；其中，所述柱体包括沿远离所述基底方向排布的第一子柱体和第二子柱...
    2026-05-14
  • 一种悬浮电感结构及其制备方法、应用
    一种悬浮电感结构及其制备方法、应用_安徽先导极星科技有限公司_202610001776.8
    本发明属于半导体器件制造领域，具体公开了一种悬浮电感结构及其制备方法、应用。悬浮电感结构包括底座和弧形部，底座设置有两个，且两个底座沿水平方向设置；弧形部的两端分别和两个底座的上表面固定连接；芯片基底上表面设置有绝缘层，绝缘层中设有安装空间...
    2026-05-14
  • 芯片封装结构及其制备方法、存储系统
    芯片封装结构及其制备方法、存储系统_长江存储控股股份有限公司_202411474424.1
    本公开提供了一种芯片封装结构及其制备方法、存储系统，涉及半导体技术领域，旨在提高芯片封装结构的生产效率，以及芯片封装结构的良品率，提升芯片封装结构的稳定性，并减小芯片封装结构的尺寸。芯片封装结构包括堆叠结构和连接结构。堆叠结构包括沿第一方向...
    2026-05-14
  • 具有可调阈值电压的存储器件
    具有可调阈值电压的存储器件_IMEC非营利协会_202511549363.5
    一种器件，包括：第一电极，该第一电极包括如果被氧化剂氧化则是电绝缘的类型的第一电极材料，第二电极，该第二电极包括如果被所述氧化剂氧化则是导电的类型的第二电极材料，在第一电极和第二电极之间的阈值开关层，阈值开关层包括可通过在所述第一电极和所述...
    2026-05-14
  • 一种三维堆叠RRAM存储器及其制备方法
    一种三维堆叠RRAM存储器及其制备方法_物元半导体技术(青岛)有限公司_202610102950.8
    本发明提供一种三维堆叠RRAM存储器及其制备方法，本发明的三维堆叠RRAM存储器制备方法包括：提供RRAM存储晶圆的版图，版图沿Y方向呈轴对称布局；根据版图制备一套掩膜版，掩膜版的图形沿Y方向呈轴对称；利用同一套掩膜版，制备多个RRAM存储...
    2026-05-14
  • 一种基于铁磁/半导体/铁磁范德华异质结的室温多阻态磁存储器
    一种基于铁磁/半导体/铁磁范德华异质结的室温多阻态磁存储器_厦门大学_202610088336.0
    一种基于铁磁/半导体/铁磁范德华异质结的室温多阻态磁存储器，属于磁存储领域。旨在解决二维磁阻器件工作温度低、阻态数目有限及工艺复杂可控性差的难题。Fe3GaTe2作为上下电极，InSe为中间隧道势垒层，构建三明治范德华异质结。调控电极磁化方...
    2026-05-14
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统、电子设备
    半导体器件及其制备方法、存储系统、电子设备_长江存储控股股份有限公司_202411476976.6
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在改善焊盘结构给外围电路的路径较远导致的信号延时问题。该半导体器件包括：阵列结构、半导体层和焊盘结构。阵列结构包括沿第一方向层叠设置的第一晶体管和铁电电容...
    2026-05-14
  • 半导体结构及其制备方法、存储系统和电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储系统和电子设备_长江存储控股股份有限公司_202411474450.4
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统和电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在改善铁电层中多物相共存导致的沟道结构的电势分布不均匀的问题。该半导体结构包括：堆叠结构、沟道结构、铁电层和导电层。其中，堆叠结构包括沿第一方向交替层叠设...
    2026-05-14
  • SONOS存储器的存储单元及其制造方法
    SONOS存储器的存储单元及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610113739.6
    本发明提供一种SONOS存储器的存储单元及其制造方法，所述存储单元包括一个选择管和平均分布在所述选择管两侧的四个存储管，四个存储管呈分栅结构分布在选择管两侧，可大幅缩减存储面积，提高存储密度。进一步的，所述存储单元制造方法中四个存储管靠自对...
    2026-05-14
  • 垂直NAND闪存器件、其制造方法以及电子设备
    垂直NAND闪存器件、其制造方法以及电子设备_三星电子株式会社_202511363873.3
    提供了一种垂直NAND闪存器件、制造该垂直NAND闪存器件的方法以及包括该垂直NAND闪存器件的电子设备。垂直NAND闪存器件包括多个单元串，每个单元串在垂直于衬底的方向上延伸。多个单元串中的每个包括沟道层、提供在沟道层上并且包括非晶氧化物...
    2026-05-14
  • 半导体器件及其制备方法、半导体设备
    半导体器件及其制备方法、半导体设备_长江存储科技有限责任公司_202411547497.9
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、半导体设备，涉及半导体芯片技术领域。该半导体器件包括：第一半导体结构和第二半导体结构，第一半导体结构包括堆叠结构、晶体管和连接结构。堆叠结构包括核心区，晶体管位于核心区的一侧，连接结构沿层叠方向贯穿核...
    2026-05-14
  • 半导体器件及其制备方法、半导体设备
    半导体器件及其制备方法、半导体设备_长江存储科技有限责任公司_202411546169.7
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、半导体设备，涉及半导体芯片技术领域。该半导体器件包括：第一半导体结构和第二半导体结构。第一半导体结构包括堆叠结构、晶体管和连接结构。堆叠结构包括核心区，核心区包括交替层叠设置的第一介质层和栅极层。晶体...
    2026-05-14
  • 半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法
    半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法_爱思开海力士有限公司_202510875621.2
    本申请涉及半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法。提供了一种半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括单元柱结构和围绕所述单元柱结构的外表面的导电层。所述单元柱结构的外表面的一部分在从中心点径向延伸的多个第...
    2026-05-14
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