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最新专利技术
  • 显示装置及其制造方法
    显示装置及其制造方法_三星电子株式会社_202511159388.4
    本公开提供一种显示装置及其制造方法。该显示装置包括：发光结构，包括第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件；第一电极图案，电连接到第一发光元件的p型半导体层、第二发光元件的p型半导体层和第三发光元件的p型半导体层；以及第二电极图案，电连接到...
    2026-04-25
  • 发光模组
    发光模组_鸿利智汇集团股份有限公司_202511919213.9
    本申请提供了一种发光模组，包括基板、芯片、电路板，其中，基板包括基体、至少两个正面焊盘组和至少两个背面焊盘组；基体具有相对设置的第一侧和第二侧；至少两个正面焊盘组位于第一侧，并与芯片电性连接，相邻两个正面焊盘组之间具有第一间隙；至少两个背面...
    2026-04-25
  • 一种LED封装结构及发光装置
    一种LED封装结构及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202511784373.7
    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种LED封装结构及发光装置。该LED封装结构包括基板、位于基板上的间隔层、IC芯片、至少一垫高层、至少一个LED芯片；IC芯片位于间隔层背离基板的表面；垫高层位于间隔层背离基板的表面，且与IC芯片间隔...
    2026-04-25
  • 一种全彩微型发光结构及制作方法
    一种全彩微型发光结构及制作方法_深圳市思坦科技有限公司_202610001868.6
    本申请公开了一种全彩微型发光结构及制作方法。该全彩微型发光结构包括第一发光叠层、第二发光叠层、第三发光叠层，第一发光叠层包括叠层的第一N型电极层、第一N型半导体层、第一发光层、第一P型半导体层和第一P型电极层；第二发光叠层设置在第一P型电极...
    2026-04-25
  • 发光二极管阵列
    发光二极管阵列_斯纳普公司_202512054387.X
    一种制造发光二极管(LED)阵列的方法，包括：形成三族氮化物材料的半导体层(100)；在半导体层上形成介电掩模层(104)，该介电掩模层具有穿过其的孔(106)的阵列，每个孔使半导体层的一区域暴露；以及在每个孔中生长LED结构(108)。孔...
    2026-04-25
  • 多色LED像素单元和微型LED显示面板
    多色LED像素单元和微型LED显示面板_上海显耀显示科技股份有限公司_202511255639.9
    一种多色LED像素单元和微型LED显示面板。所述像素单元(3000)包括基板(100)和形成在所述基板(100)上的发光晶体管。所述发光晶体管包括：形成在所述基板(100)上的底部导电层和形成在所述底部导电层上方的顶部导电层；形成在所述顶部...
    2026-04-25
  • 一种晶圆级硅衬底免转移的Micro-LED驱动单元的集成制备方法及Micro-LED器件
    一种晶圆级硅衬底免转移的Micro-LED驱动单元的集成制备方法及Micro-LED器件_湖南大学_202610061404.4
    本发明公开了一种晶圆级硅衬底免转移的Micro‑LED驱动单元的集成制备方法及Micro‑LED器件，所述集成制备方法为对Micro‑LED阵列沉积钝化绝缘层；在钝化绝缘层上依次设置底栅电极；栅介质层，并图案化；对钝化绝缘层进行通孔刻蚀；基...
    2026-04-25
  • 微型发光结构及其制备方法、以及微型发光器件
    微型发光结构及其制备方法、以及微型发光器件_深圳市思坦科技有限公司_202610007441.7
    本申请涉及一种微型发光结构及其制备方法、以及微型发光器件，方法包括：提供外延叠层，外延叠层包括依次层叠设置的衬底、第一半导体层、发光层和第二半导体层；在第二半导体层上键合第一临时基板并去除衬底，得到第一键合结构；在第一临时基板对侧的第一半导...
    2026-04-25
  • 一种防止光串扰的MiP封装结构及其制作方法
    一种防止光串扰的MiP封装结构及其制作方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202512011994.8
    本发明公开了一种防止光串扰的MiP封装结构及其制作方法，该方法包括：提供承载有Micro LED芯片的透光基板，芯片设有不透光电极；在芯片电极面形成负性遮光光阻层；采用能穿透基板及芯片半导体层的光线从背面进行曝光，利用不透光电极作为自对准掩...
    2026-04-25
  • 全彩LED芯片及其制造方法
    全彩LED芯片及其制造方法_广州市鸿利显示电子有限公司_202511855718.3
    本申请提供了一种全彩LED芯片及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底，在衬底的正面形成蓝光外延结构，蓝光外延结构中具有至少一个发光区，每个发光区包括三个独立的子发光区；形成电极基板，电极基板中具有至少一个贯穿的互连结构组；提供第一基板，在...
    2026-04-25
  • 一种具有顶部电极的大功率LED
    一种具有顶部电极的大功率LED_江苏稳润光电有限公司_202511984663.6
    本发明公开了一种具有顶部电极的大功率LED，包括陶瓷基板、倒装LED芯片、荧光片、封装胶以及顶部电极，陶瓷基板表面覆有一层铜箔，铜箔通过间隙分隔形成第一铜箔区、第二铜箔区以及第三铜箔区，第一铜箔区与第二铜箔区之间的表面设置一个倒装LED芯片...
    2026-04-25
  • 一种封装器件
    一种封装器件_杭州科菲得科技有限公司_202610023071.6
    本发明涉及LED封装技术领域，公开了一种封装器件，包括基板和固定在基板上的芯片引线支架，芯片引线支架上设置有LED芯片，所述基板上连接有封装围架，封装围架底端内壁上开设有多个半环流道，封装围架内灌注有用于包覆LED芯片的封装胶层，通过排气孔...
    2026-04-25
  • 一种光芯片结构、发光器件及制备方法
    一种光芯片结构、发光器件及制备方法_深圳市思坦科技有限公司_202610005170.1
    本申请公开了一种光芯片结构、发光器件及制备方法。该光芯片结构包括外延叠层和色转结构，外延叠层包括顺次叠层的半导体过渡层、第一半导体层和发光台阶单元，发光台阶单元包括顺次叠层的发光层、第二半导体层和折射层；折射层背离第二半导体层的一侧设有第一...
    2026-04-25
  • 一种集成超薄分布式布拉格反射镜的Micro LED器件及其制备方法
    一种集成超薄分布式布拉格反射镜的Micro LED器件及其制备方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202512034495.0
    本发明公开了一种集成超薄分布式布拉格反射镜的Micro LED器件及其制备方法，该器件包括半导体外延结构，在器件的非光提取表面上或相邻像素之间集成有超薄分布式布拉格反射镜；该反射镜由至少一个周期的高折射率材料层和低折射率材料层交替堆叠而成，...
    2026-04-25
  • 发光二极管及其制作方法
    发光二极管及其制作方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511774351.2
    本公开提供了一种发光二极管及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括第一焊盘、第二焊盘、防护层和外延结构；所述外延结构包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述发光层位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间；所述第一焊盘连接所...
    2026-04-25
  • 发光二极管以及制作方法
    发光二极管以及制作方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511758672.3
    本公开提供了一种发光二极管以及制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括发光结构以及层叠在所述发光结构上的铟锡氧化物薄膜，所述铟锡氧化物薄膜的方阻低于40Ω/□，所述铟锡氧化物薄膜的厚度为30nm‑150nm。本公开可以降低器件功耗，...
    2026-04-25
  • 发光器件、显示装置和制造发光器件的方法
    发光器件、显示装置和制造发光器件的方法_三星电子株式会社_202511404922.3
    提供了发光器件、包括该发光器件的显示装置和制造该发光器件的方法，该发光器件包括：发光结构，包括第一发光元件和第二发光元件；第一电极图案，包括分别电连接到第一发光元件的p型半导体层和第二发光元件的p型半导体层的第一电极和第二电极；第二电极图案...
    2026-04-25
  • 一种微型LED发光结构、微型发光器件及制作方法
    一种微型LED发光结构、微型发光器件及制作方法_厦门思坦集成科技有限公司_202610005371.1
    本申请公开了一种微型LED发光结构、微型发光器件及制作方法。微型LED发光结构包括半导体过渡层，半导体过渡层一侧形成第一半导体层；第一半导体层背离半导体过渡层的一侧形成多个分立的发光台阶结构，发光台阶结构之间形成非发光区；非发光区设置填充层...
    2026-04-25
  • 一种具有梯形窗口结构的复合图形化衬底及其制备方法
    一种具有梯形窗口结构的复合图形化衬底及其制备方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202512034655.1
    本发明公开了一种具有梯形窗口结构的复合图形化衬底及其制备方法。该复合图形化衬底包括基底以及设置于基底表面的复合图形层，所述复合图形层由多个周期性排列的图形单元构成，图形单元之间设有贯穿复合图形层并暴露基底表面的空腔。所述空腔在垂直于基底表面...
    2026-04-25
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_天津三安光电有限公司_202511929086.0
    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置。发光二极管至少包括衬底、外延叠层、过渡层、粗化结构；外延叠层位于衬底上，外延叠层包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；过渡层位于有源层和第一半导体层之间；粗化结构形...
    2026-04-25
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