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最新专利技术
  • 一种真空干燥成膜装置及方法
    一种真空干燥成膜装置及方法_科迪华显示技术(绍兴)有限公司_202610193668.5
    一种真空干燥成膜装置及方法，所述真空干燥成膜装置包括：真空腔室，配置为提供变压环境；承载板，设置在真空腔室中，配置为承载待干燥成膜基板；冷凝板，设置在真空腔室中并位于所述承载板上方，配置为冷凝捕获自待干燥成膜基板上蒸发的溶剂；进气装置，设置...
    2026-05-10
  • 一种钙钛矿太阳能电池的P2线槽后处理方法、钙钛矿电池
    一种钙钛矿太阳能电池的P2线槽后处理方法、钙钛矿电池_大正(厦门)微纳科技有限公司_202610085449.5
    本发明属于钙钛矿太阳能电池制备技术领域，尤其涉及一种钙钛矿太阳能电池的P2线槽后处理方法、钙钛矿电池。该方法包括以下步骤：将无水级醇类溶剂施加至刻蚀后的器件膜面，使溶剂与P2线槽区域接触并保持5秒至30秒；去除膜面多余的溶剂，并对器件进行干...
    2026-05-10
  • 一种用于反式结构钙钛矿电池电极的图案化退火方法
    一种用于反式结构钙钛矿电池电极的图案化退火方法_武汉市扶光光伏有限公司_202610103941.0
    本发明提供了一种用于反式结构钙钛矿电池电极的图案化退火方法，利用图案化隔热片对主栅线和细栅线施加退火所需高温的同时，将钙钛矿功能层区域维持在较低温度，避免受到热损伤。本发明通过“透光区+隔热区”的物理方式实现选择性退火，是一种高效、均匀、低...
    2026-05-10
  • 一种空气稳定钙钛矿晶圆探测器及其制备方法
    一种空气稳定钙钛矿晶圆探测器及其制备方法_中国科学院深圳先进技术研究院_202511938171.3
    本发明公开了一种空气稳定钙钛矿晶圆探测器及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。该方法通过在集成的热压工艺中，同步完成钙钛矿的结晶与聚吡咯在晶界处的原位聚合，一步法制备出具有稳定、导电性可控的晶界网络的致密钙钛矿晶圆。制备步骤包括钙钛矿粉末制...
    2026-05-10
  • 一种钙钛矿薄膜材料及其制备方法
    一种钙钛矿薄膜材料及其制备方法_兰州石化职业技术大学_202610040733.0
    本发明涉及光电材料技术领域，具体涉及一种钙钛矿薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料包括导电基底和从下到上依次涂敷在导电基底的窄带隙钙钛矿层、中间界面修饰层和宽带隙钙钛矿层，窄带隙层的化学通式为MAmFAnPb1‑cGecI3‑γBrγ，宽带隙层...
    2026-05-10
  • 一种钙钛矿膜层、制备方法及太阳能电池
    一种钙钛矿膜层、制备方法及太阳能电池_正泰新能科技股份有限公司_202610152682.0
    本发明涉及一种钙钛矿膜层、制备方法及太阳能电池，所述制备方法包括如下步骤：将改性钙钛矿前驱体溶液涂覆于基底表面，经退火，得到所述钙钛矿膜层；所述改性钙钛矿前驱体溶液中包括甲基脲。本发明在钙钛矿前驱体溶液中添加甲基脲，能够利用甲基脲具有的独特...
    2026-05-10
  • 苯并五元芳杂环并咔唑基铵盐及其衍生物钝化钙钛矿层及制备和应用
    苯并五元芳杂环并咔唑基铵盐及其衍生物钝化钙钛矿层及制备和应用_大连理工大学_202610111053.3
    苯并五元芳杂环并咔唑基铵盐及其衍生物钝化钙钛矿层及制备和应用，其属于钙钛矿太阳能电池技术领域。通过溶液旋涂工艺，在钙钛矿表面形成界面修饰层，实现原位钝化。该类铵盐及其衍生物可有效钝化钙钛矿薄膜表面缺陷，例如钝化未配位的Pb2+，填充碘空位，...
    2026-05-10
  • 一种改善钙钛矿缺陷的钝化添加剂、钙钛矿薄膜及其制备方法
    一种改善钙钛矿缺陷的钝化添加剂、钙钛矿薄膜及其制备方法_武汉理工大学_202610136218.2
    本发明公开了一种改善钙钛矿缺陷的钝化添加剂、钙钛矿薄膜及其制备方法，所述钝化添加剂为盐酸吗啉胍。本发明通过向钙钛矿前驱体溶液中加入盐酸吗啉胍，能够调控钙钛矿薄膜的结晶过程并钝化缺陷，得到的钙钛矿薄膜晶粒尺寸大且均匀，晶粒间的空隙少，薄膜致密...
    2026-05-10
  • 一种碲化铋基热电薄膜材料的制备方法
    一种碲化铋基热电薄膜材料的制备方法_上海申和投资有限公司_202511862765.0
    本发明提供了碲化铋基热电薄膜材料的制备方法，针对现有的碲化铋体系材料大多以刚性形式存在，限制了其在可穿戴设备、柔性电子器件等新兴领域的应用缺陷进行，通过将微米级的碲化铋粉体嵌入聚酰亚胺这种柔性基体中，实现碲化铋材料的柔性化，打破传统热电材料...
    2026-05-10
  • 一种共烧结分段热电材料及其制备方法
    一种共烧结分段热电材料及其制备方法_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202610045203.5
    本发明公开一种共烧结分段热电材料及其制备方法，方法包括如下步骤：S1、选取材料体系相同但化学配比不同的N种热电基体材料，按N种热电基体材料的化学计量比分别称取原料进行高温熔炼，得到N种铸锭；S2、将所述N种铸锭分别进行破碎制粉，得到N种粉体...
    2026-05-10
  • 可穿戴式柔性热电发电器件及制备方法
    可穿戴式柔性热电发电器件及制备方法_南方科技大学_202610010653.0
    本申请涉及一种可穿戴式柔性热电发电器件及制备方法，所述可穿戴式柔性热电发电器件包括发电电极，及沿远离所述发电电极依次叠层设置的第一封装层、热电材料块和第二封装层；其中：所述热电材料块包括由外向内方向卷曲堆叠的多个热电材料层，所述热电材料层包...
    2026-05-10
  • 一种具有珍珠扇贝结构的高柔韧性碲化银热电薄膜及其制备方法和应用
    一种具有珍珠扇贝结构的高柔韧性碲化银热电薄膜及其制备方法和应用_武汉理工大学_202610224416.4
    本发明涉及热电材料技术领域，尤其涉及一种具有珍珠扇贝结构的高柔韧性碲化银热电薄膜及其制备方法和应用。本发明在室温及固定工作气压条件下通过间歇共溅射工艺，快速制备了具有珍珠扇贝结构的非化学计量比碲化银热电薄膜；珍珠扇贝结构显著提高了碲化银热电...
    2026-05-10
  • 一种高温压电换能器的制备方法及高温压电换能器
    一种高温压电换能器的制备方法及高温压电换能器_中国科学院声学研究所_202610049530.8
    本申请涉及压电器件制备技术领域，特别涉及一种高温压电换能器的制备方法及高温压电换能器。该方法包括：根据使用场景需求，选取适配尺寸的金属基板和压电元件；对金属基板的结合面及压电元件的两个电极面分别进行抛光处理；在所述结合面及两个电极面均印刷电...
    2026-05-10
  • 半导体结构的制作方法
    半导体结构的制作方法_重庆芯联微电子有限公司_202512010456.7
    本申请提供了一种半导体结构的制作方法，应用于半导体技术领域。在本申请中，通过将在基底与高k介质层之间形成压电材料层，和嵌入式外延工艺、应力记忆技术等工艺结合的方式，利用压电材料层的压电效应，将嵌入式外延工艺、应力记忆技术等工艺产生的机械应力...
    2026-05-10
  • 一种柔性类压电驻极体器件及其制备方法、压电传感器
    一种柔性类压电驻极体器件及其制备方法、压电传感器_华中科技大学_202610060090.6
    本发明提供一种柔性类压电驻极体器件及其制备方法、压电传感器，柔性类压电驻极体器件包括压电主体和完全包裹压电主体的封装组件，压电主体包括由下至上依次层叠设置的第一电极、负极性柔性叠层组件、具有微纳孔隙结构的中间介电层、正极性柔性叠层组件和第二...
    2026-05-10
  • 滤波器晶圆、滤波器、射频模块和终端设备
    滤波器晶圆、滤波器、射频模块和终端设备_北京荣耀终端有限公司_202610433329.X
    本申请提供一种滤波器晶圆、滤波器、射频模块和终端设备，滤波器晶圆包括第一压电衬底、第二压电衬底、第一叉指换能器和第二叉指换能器，第二压电衬底与第一压电衬底沿滤波器晶圆的厚度方向相对设置，第一叉指换能器设于第一压电衬底背离第二压电衬底的一侧，...
    2026-05-10
  • 一种Pd/Co多层膜中斯格明子的调控方法及应用
    一种Pd/Co多层膜中斯格明子的调控方法及应用_华南师范大学_202512014326.0
    本发明涉及一种Pd/Co多层膜中斯格明子的调控方法及应用，调控包括以下步骤：在基片上制备Pd/[Co/Pd]x薄膜，其中，x为1~5中任一整数；将制得的Pd/[Co/Pd]x薄膜在100Oe磁场下完全翻转，显示单一磁畴，随后通入氢气与惰性气...
    2026-05-10
  • 基于滚动剪切力的铁镓碲二维材料薄层制备方法及其应用
    基于滚动剪切力的铁镓碲二维材料薄层制备方法及其应用_华南师范大学_202610078986.7
    本发明公开了基于滚动剪切力的铁镓碲二维材料薄层制备方法及其应用，该方法包括：将铁镓碲块体晶体固定至粘性胶带的粘性面，获取固定后的铁镓碲块体晶体；基于竞争性粘附作用原理，对固定后的铁镓碲块体晶体进行反复对折与剥离操作，得到粘附有铁镓碲二维材料...
    2026-05-10
  • 基于斯格明子的自旋纳米振荡器及多值存储方法
    基于斯格明子的自旋纳米振荡器及多值存储方法_上海集成电路制造创新中心有限公司_202610081096.1
    本发明提供一种基于斯格明子的自旋纳米振荡器及多值存储方法，包括自下而上依次设置的衬底、底电极、重金属层、自由层、绝缘层、固定层和顶电极；自由层为承载斯格明子的纳米盘；底电极和顶电极用于输出和检测振荡频率信号；重金属层用于输出磁阻信号，其中，...
    2026-05-10
  • 一种基于铁磁金属/二维铁磁半金属异质结的自旋电子器件
    一种基于铁磁金属/二维铁磁半金属异质结的自旋电子器件_浙江大学_202610433199.X
    本发明公开了一种基于铁磁金属/二维铁磁半金属异质结的自旋电子器件，包括铁磁金属电极和单层二维铁磁半金属材料层，铁磁金属为镍(Ni)或钴(Co)，二维铁磁半金属为卤化亚铁FeX2，X=Cl、Br、I，二者通过边缘接触或顶部接触形成异质结均可实...
    2026-05-10
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