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  • 本申请提供了一种晶圆级芯片封装结构及电子设备,涉及半导体领域,旨在旨在改善晶圆中的电信号在物理距离较远时面临带宽密度低、信号完整性差、传输延时长等问题。该晶圆级芯片封装结构包括转接板和晶圆级芯片。转接板包括层叠设置的第一重布线层和第二重布线...
  • 本申请的实施例提供了一种晶圆级芯片封装结构、电子设备,涉及半导体领域,旨在提高芯片间的传输性能。该晶圆级芯片封装结构包括转接板和晶圆级芯片。转接板包括层叠设置的第一重布线层和第二重布线层,第一重布线层包括光互连通道,第二重布线层包括电互连通...
  • 本发明提供了一种基于转接基板立体堆叠的POP封装结构及制作方法,POP封装结构包括上层封装体和下层封装体;下层封装体包括基板、下层芯片、转接基板、塑封体和金属柱。本发明通过在下层封装体内引入固定于下层芯片上方的转接基板,实现了下层封装体在垂...
  • 本发明提供一种用于星载相控阵的三维集成微系统,通过将多种无源器件高密度集成于转接板上,构成一体化集成结构,实现了无源器件的高度集成,实现星载数字相控阵的小型化、轻量化、低成本和高性能需求展。并通过优化多层转接板的器件布局与互连路径,结合转接...
  • 一种叠层封装模块,包括电路板框、上层电路板和下层电路板,各板层通过焊盘焊接成一体;还包括两个或多于两个的一组晶圆,两个或多于两个的一组晶圆的底面焊盘焊接于下层电路板顶层线路层上,与下层电路板顶层线路层上的一组焊盘对应连接,居于电路板框、上层...
  • 一种半导体封装件包括:第一半导体芯片,包括第一半导体基底和穿过第一半导体基底的多个第一贯穿电极;多个第二半导体芯片,各自包括第二半导体基底和穿过第二半导体基底的多个第二贯穿电极,所述多个第二半导体芯片堆叠在第一半导体芯片上;多个接合垫,设置...
  • 本公开涉及半导体器件及其制造方法。提供了能够抑制半导体芯片的凸块和布线衬底的连接盘之间的键合缺陷的半导体器件。半导体器件包括半导体芯片。半导体芯片包括半导体衬底、布线层、保护膜、第一凸块和第二凸块。布线层被形成在半导体衬底上,并且具有第一键...
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种氮化硅陶瓷基板及制备方法、金属化基板、半导体器件。该氮化硅陶瓷基板的表面分布有氮化硅晶粒,氮化硅晶粒中包含完整氮化硅晶粒;在氮化硅陶瓷基板表面选取的的观测区域内,完整的氮化硅晶粒的数量占该观测区域内...
  • 本申请公开一种半导体焊线机的金线自动放线方法及其相关设备,通过在控制器记录的连续自动放线时间内,获取第一放线速度和第二放线速度;根据第一放线速度和第二放线速度,计算放线速度增量;根据初始放线速度和放线速度增量,计算期望放线速度;根据连续自动...
  • 本申请提供了一种高温环境下工作的IGBT器件可靠性提升方法,运用于绝缘栅双极晶体管加工技术领域,通过采用高导热低热膨胀系数的陶瓷基板,并匹配高导热焊料将芯片与基板的低热阻连接;构建双面散热路径,通过铜夹互连替代铝线键合,并集成相变材料吸热层...
  • 本申请公开了一种半导体器件及其制备方法,其中,该制备方法包括:在芯片的多个第一导电柱的顶端施加导电胶,以在多个第一导电柱上形成对应的第一凸点;对多个第一导电柱上的第一凸点进行烘干,以对第一凸点进行固化;在载体板的多个第二导电柱的顶端施加导电...
  • 本申请涉及电子元件加工技术领域,提出一种补球机,其包括机架、除球装置、点胶装置及补球装置。除球装置设置在机架上,除球装置用于去除晶圆上的原焊球,以形成点胶工位。点胶装置包括第五位移机构、位移计及点胶针,位移计及点胶针均设置在第五位移机构上,...
  • 本发明公开了一种金属陶瓷封装集成电路自动键合通用阵列夹具及键合方法,包括夹具主板,所述夹具还包括夹具通用部分和夹具专用部分;所述夹具通用部分包括固定于所述夹具主板上的直线滑轨、可滑动地设置于所述直线滑轨上的滑动挡片、以及为所述滑动挡片提供弹...
  • 本申请涉及一种芯片贴片结构及贴片方法,应用在半导体芯片领域,包括设置在机械手移动端的安装架,所述安装架上设有连接架,所述连接架上设有用于对芯片取料的取料装置,所述连接架上设有用于对取料装置加热的加热装置。本申请具有的技术效果是:当需要对芯片...
  • 本发明公开了一种半导体芯片堆叠封装用夹持平台,具体涉及半导体芯片加工技术领域,该夹持平台,包括套架体,还包括安装体、多组夹持机构以及双向成像组件;安装体转动设于套架体上;多组夹持机构沿安装体的周向间隔分布,每组夹持机构包括可同步相向或相背移...
  • 一种用于封装的共面性调控控制方法,属于调控控制技术领域,通过针对待封装的元器件进行封装预处理与初始位置坐标的采集,并将初始位置坐标传输至控制单元;启动对待封装的元器件的封装过程,并且控制单元对元器件实时检测其共面性相关参数;控制单元基于初始...
  • 本发明公开了一种半导体结构及相应芯片、产品,该结构包括硅基集成电路及设于其上的凸块结构。凸块结构依次包含UBM层、铜导体层、镍导体层和金导体层。本发明在所述UBM层、铜导体层和镍导体层的暴露侧壁上,包覆一层由钯、钯合金、铂或铂合金构成的金属...
  • 本发明提供了一种基于厚膜基板的芯片倒装结构及其加工方法。该芯片倒装结构包括:裸芯片和厚膜基板。所述厚膜基板具有第一表面和第二表面,该厚膜基板的第一表面上设置有倒装PAD;所述裸芯片具有第一表面和第二表面,该裸芯片的第二表面上设置有凸点;所述...
  • 本发明公开了一种基于微电路的芯片生产工艺,包括微电路的筛选与预处理、升级改造和特殊封装工艺,筛选时用高精度设备测性能指标,清洗采用超声与化学结合;升级改造用先进软件优化设计,采用多层布线技术,精确控制布线参数和过孔设计;特殊封装工艺选用由环...
  • 本发明公开了一种灌封自动去气泡及增强导热的工艺方法及灌封结构,包括以下步骤:S1:制备填料混合胶,将重质惰性填料颗粒与液态固化聚合物灌封胶按预设比例混合;S2:采用分层灌注方式,先向壳体内灌注不含填料的标准灌封胶,形成第一胶层,再向所述第一...
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