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最新专利技术
  • 一种门极负触发单向晶闸管
    一种门极负触发单向晶闸管_吉林华微电子股份有限公司_202610015024.7
    本发明属于但不限于单向晶闸管技术领域，公开了一种门极负触发单向晶闸管，包括：门极区，所述门极区为N+型半导体区域；阴极区，所述阴极区为N+型半导体区域，且设有阴极短路点；隔离区，所述隔离区为P型半导体区域，环绕所述门极区和阴极区；槽区或终端...
    2026-04-26
  • 一种常关型氢终端金刚石场效应晶体管的制备方法
    一种常关型氢终端金刚石场效应晶体管的制备方法_复旦大学_202511713496.1
    本发明公开了一种常关型氢终端金刚石场效应晶体管的制备方法；该制备方法如下：首先，在洁净的金刚石衬底上进行氢终端处理，形成P型的氢终端导电层，然后，在氢终端金刚石表面形成源漏电极，并在氢终端金刚石表面的非沟道区进行绝缘隔离处理，最后，室温下采...
    2026-04-26
  • 晶体管制备方法、装置、晶体管及计算机可读存储介质
    晶体管制备方法、装置、晶体管及计算机可读存储介质_珠海格力电子元器件有限公司_202511918870.1
    本发明提出的一种晶体管制备方法、装置、晶体管及计算机可读存储介质，方法包括步骤：获取目标源区金属接触孔顶部开口大小，并匹配与目标源区金属接触孔对应的目标硼含量；在栅极层上制备介质层，其中，介质层由二氧化硅与硼磷硅玻璃进行制备，硼磷硅玻璃的硼...
    2026-04-26
  • 堆叠晶体管及其制备方法、器件和电子设备
    堆叠晶体管及其制备方法、器件和电子设备_北京大学_202511993769.2
    本申请提供一种堆叠晶体管及其制备方法、器件和电子设备；该方法包括：在衬底上形成堆叠的第一有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构形成第一晶体管的第一源漏外延；倒片并减薄衬底；基于第二有源结构，形成第二晶体管的第二源漏外延；基于第二有源结构，...
    2026-04-26
  • 一种化合物半导体器件及其制备方法
    一种化合物半导体器件及其制备方法_苏州纳维科技有限公司_202512021533.9
    本发明提供了一种化合物半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：提供多层对接结构；其中，多层对接结构包括沿第一方向外延生长的临时衬底和多孔氮化镓层，第一方向为氮极性面指向镓极性面的方向；在多孔氮化镓层表面沿第一方向依次外延生长势垒结构、沟道层...
    2026-04-26
  • 沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法
    沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法_上海积塔半导体有限公司_202610031229.4
    本发明提供一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：提供碳化硅衬底，在其上形成碳化硅外延层；在碳化硅外延层的顶部分别形成体区和源区；形成沟槽保护区，在碳化硅外延层上形成ONO硬掩膜层；图案化ONO硬掩膜层刻蚀碳化...
    2026-04-26
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202610034969.3
    本申请实施例公开半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。包括提供半导体本体；在第一表面形成包括第一缓冲层、第一保护层和第一掩膜层的第一隔离层；形成沟槽；去除第一掩膜层；在沟槽的底面和侧壁形成包括第二缓冲层和第二保护层的第二隔离层...
    2026-04-26
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_上海积塔半导体有限公司_202610037652.5
    本申请涉及一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构的制造方法包括：于衬底内形成沿平行衬底方向间隔分布的多个沟槽；多个所述沟槽包括第一沟槽和第二沟槽；所述第一沟槽的槽宽小于所述第二沟槽的槽宽。于所述第一沟槽和所述第二沟槽内形成第一外延层；所述...
    2026-04-26
  • 晶体管的制备方法、SRAM单元
    晶体管的制备方法、SRAM单元_上海积塔半导体有限公司_202610042723.0
    本申请涉及一种晶体管的制备方法、SRAM单元，其中，晶体管的制备方法，包括：提供衬底，衬底中包括有源区，部分有源区上形成有栅极结构，栅极结构的侧壁表面形成有偏移侧墙，栅极结构和偏移侧墙两侧的有源区内形成有浅掺杂区；在偏移侧墙的表面形成主侧墙...
    2026-04-26
  • 一种半导体结构的制备方法和半导体结构
    一种半导体结构的制备方法和半导体结构_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610260995.8
    本发明提供一种半导体结构的制备方法和半导体结构，涉及半导体技术领域。制备方法包括如下步骤：提供基底，基底包括衬底、氮化层和第一沟槽，氮化层形成于衬底的表面，第一沟槽设置于衬底内，第一沟槽的上部贯穿氮化层形成开口；于第一沟槽内填充隔离氧化层；...
    2026-04-26
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610276804.7
    本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供表面形成有栅极结构的衬底，栅极结构包括伪栅及沿远离伪栅的方向依次形成的第一牺牲层、第一侧墙、第二牺牲层和第二侧墙；于栅极结构和衬底上形成覆盖栅极结构侧壁的刻蚀停止层；于刻蚀停止层上形成中间层，...
    2026-04-26
  • 氮化物系化合物半导体装置
    氮化物系化合物半导体装置_三垦电气株式会社_202511385631.4
    本发明提供氮化物系化合物半导体装置，其充分降低了控制电极与高电位侧的第一主电极之间的电场峰值。具有：在上部具有二维电子气层的第一氮化物系化合物半导体层；在其上具有比该层大的带隙的第二氮化物系化合物半导体层；与二维电子气层电连接的高电位侧的第...
    2026-04-26
  • 氮化物系半导体装置
    氮化物系半导体装置_三垦电气株式会社_202511388144.3
    本发明提供氮化物系半导体装置，该氮化物系半导体装置是高耐压且具有较低的导通电阻的氮化物系半导体装置。该氮化物系半导体装置具有第3氮化物系半导体层(8)，该第3氮化物系半导体层(8)具有二维空穴气层，在从控制电极(7)侧观察时，第1主电极(6...
    2026-04-26
  • 一种高线性度耗尽型高电子迁移率晶体管及制备方法
    一种高线性度耗尽型高电子迁移率晶体管及制备方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202511646765.7
    本发明涉及一种高线性度耗尽型高电子迁移率晶体管及制备方法，高电子迁移率晶体管包括：衬底、成核层、缓冲层、沟道层、中间层、势垒层、帽层、源极、漏极、钝化层、栅极电介质层、若干第一栅极金属和第二栅极金属；衬底、成核层、缓冲层、沟道层、中间层、势...
    2026-04-26
  • 一种基于AlScN/Ga2O3异质结的高电子迁移率晶体管
    一种基于AlScN/Ga2O3异质结的高电子迁移率晶体管_湖北大学_202511744743.4
    本发明提供一种基于AlScN/Ga2O3异质结的高电子迁移率晶体管，包括：衬底；形成于衬底上的Ga2O3沟道层；形成于Ga2O3沟道层上的Al1‑xScxN势垒层，其中0.1 ≤ x ≤ 0.3；源极和漏极，分别位于Al1‑xScxN势垒层...
    2026-04-26
  • 具有叠层栅介质的增强型低压GaN射频器件及其制备方法
    具有叠层栅介质的增强型低压GaN射频器件及其制备方法_华南理工大学_202511833401.X
    本发明公开了具有叠层栅介质的增强型低压GaN射频器件及制备方法。所述器件包括平面结构的AlGaN/GaN异质结外延层；AlGaN/GaN异质结外延层上表面生长有钝化层，钝化层上表面生长有栅介质层；栅介质层上表面设置有栅电极。所述具有叠层栅介...
    2026-04-26
  • 一种高可靠性低压GaN射频器件及其制备方法
    一种高可靠性低压GaN射频器件及其制备方法_华南理工大学_202511833403.9
    本发明公开了一种高可靠性低压GaN射频器件及其制备方法。所述射频器件包括：平面结构的AlGaN/GaN异质结外延层；AlGaN/GaN异质结外延层上表面中心生长有插入层，插入层上表面两侧分别设置有源电极和漏电极；插入层上表面以及源电极和漏电...
    2026-04-26
  • 一种阈值电压可控的金刚石场效应晶体管及其制备方法
    一种阈值电压可控的金刚石场效应晶体管及其制备方法_西安交通大学_202610021683.1
    本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种阈值电压可控的金刚石场效应晶体管及其制备方法；其中，所述金刚石场效应晶体管包括：单晶金刚石衬底同质外延生长有单晶金刚石外延薄膜，单晶金刚石外延薄膜的表面处理为氢终端金刚石区域以及包围氢终端金刚石区域的...
    2026-04-26
  • 一种氢终端金刚石ED型逻辑反相器及其制备方法
    一种氢终端金刚石ED型逻辑反相器及其制备方法_西安交通大学_202610021686.5
    本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种氢终端金刚石ED型逻辑反相器及其制备方法；其中，所述氢终端金刚石ED型逻辑反相器中，D型漏电极与D型源和E型漏电极之间的氢终端区域上方沉积有D型ITO栅材料层；D型源和E型漏电极与E型源电极之间的氢终...
    2026-04-26
  • 一种非对称鳍片导热增强型GaN HEMT器件及其制造方法
    一种非对称鳍片导热增强型GaN HEMT器件及其制造方法_山东大学_202610091206.2
    本发明涉及一种非对称鳍片导热增强型GaN HEMT器件及其制造方法，属于半导体器件技术领域，包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、栅极、源极、漏极，通过在漏极侧钝化层嵌入高导热散热鳍片形成复合钝化层，并引入导热侧壁，利用高导热材料和复合结构，有...
    2026-04-26
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