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安全;消防;救生装置及其产品制造技术
  • 超结器件的终端结构及其制造方法
    超结器件的终端结构及其制造方法_上海鼎阳通半导体科技有限公司_202310780202.1
    本发明公开了一种超结器件的终端结构中，保护环氧化膜覆盖在过渡区和终端区的超结结构的表面。各P型柱具有第一表面区域，第一表面区域中的部分P型杂质会热偏析到保护环氧化膜中。第二P型注入杂质位于终端区的超结结构的第二表面区域中，第二表面区域和第一...
    2026-04-28
  • 一种Bert模型预训练方法、装置、系统和存储介质
    一种Bert模型预训练方法、装置、系统和存储介质_北京中关村科金技术有限公司_202111145796.6
    本发明公开了一种Bert模型预训练方法及装置、系统和存储介质，该方法包括：对初始Bert模型的词/字库中的词/字随机组合生成词/字对照表；依照词/字对照表将三个原始数据集映射生成通用文本数据集、领域文本数据集和领域敏感文本数据集；依次采用通...
    2026-04-28
  • 用于组装特别用于起重机的两个结构元件的销接装置
    用于组装特别用于起重机的两个结构元件的销接装置_马尼托沃克起重机集团(法国)公司_202511530853.0
    一种销接装置(1)，包括：‑轭架(2)，其包括两个板(21, 22)，这两个面对的板都具有通孔(213, 223)并且界定槽(23)；‑两个支撑元件(3, 4)，这两个支撑元件围绕它们的通孔紧固在两个板的外表面(212, 222)上；以及‑...
    2026-04-28
  • 基于14C同位素的燃煤电厂掺烧生物质碳排放分源精准监测与核算方法
    基于14C同位素的燃煤电厂掺烧生物质碳排放分源精准监测与核算方法_东北大学_202610121767.2
    本发明属于碳排放核算技术领域，公开了一种基于14C同位素的燃煤电厂掺烧生物质碳排放分源精准监测与核算方法。该方法解决了掺烧工况下无法准确分源核算的难题，其结果可直接用于碳市场履约与减排效益评估，包括以下步骤：S1、电厂调查方案的制定：调查目...
    2026-04-28
  • 一种仪表板装置、车辆及仪表板装置的制作方法
    一种仪表板装置、车辆及仪表板装置的制作方法_重庆长安汽车股份有限公司_202310735177.5
    本申请涉一种仪表板装置、车辆及仪表板装置的制作方法。涉及汽车技术领域，解决了相关技术带HUD和不带HUD的车辆的仪表板骨架无法共用的问题。该仪表板装置包括仪表板骨架以及遮挡板。仪表板骨架的一侧形成有凹陷部。遮挡板位于仪表板骨架的凹陷部所在的...
    2026-04-28
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202211479568.7
    一种半导体器件及其形成方法，方法可以包括：提供半导体衬底；形成覆盖所述半导体衬底的第一N型材料层和至少两层隔离材料层，刻蚀所述隔离材料层和第一N型材料层以得到刻蚀沟槽，并暴露出所述半导体衬底表面的离子注入区域；向所述离子注入区域注入N型掺杂...
    2026-04-28
  • 控制器以及车辆
    控制器以及车辆_九号智能(常州)科技有限公司_202520896569.4
    本申请提供一种控制器以及车辆。该控制器包括：设置于同一电路板上的主控模块、供电模块、开关模块、通讯模块以及控制模块；所述供电模块的第一输出端连接所述主控模块的供电端；所述开关模块的控制端连接所述主控模块的使能输出端，所述开关模块的输入端连接...
    2026-04-28
  • 一种应用于半导体无尘车间的新型耐热有机硅及制备方法
    一种应用于半导体无尘车间的新型耐热有机硅及制备方法_上海纽帕新材料科技有限公司_202610088237.2
    本发明公开了一种应用于半导体无尘车间的新型耐热有机硅及制备方法，属于有机硅涂料技术领域。该耐热有机硅包括以下质量份数的原料：聚酰亚胺改性有机硅树脂50～60份、抗静电多壳层粒子4～8份、填料5～10份、固化剂8～10份、固化促进剂5～8份和...
    2026-04-28
  • 一种环抱式塔筒攀爬机器人
    一种环抱式塔筒攀爬机器人_山东道与物联科技有限公司_202521108241.8
    本实用新型涉及一种环抱式塔筒攀爬机器人，属于机器人技术领域，包括主动车、至少两个从动车、多个驱动单元和吸附单元，主动车包括主车体和爬升轮，爬升轮与主车体转动连接，从动车包括车体框架和全向轮，车体框架与全向轮转动连接，从动车分布于主车体的两侧...
    2026-04-28
  • 文件系统访客控制方法、设备及计算机可读存储介质
    文件系统访客控制方法、设备及计算机可读存储介质_努比亚技术有限公司_202111269537.4
    本发明公开了一种文件系统访客控制方法、设备及计算机可读存储介质，其中，该方法包括：生成与预设的数据分区对应的重新挂载指令，并根据所述重新挂载指令向预设的文件系统发出检查点的同步关闭指令；获取与所述重新挂载指令对应的更新参数，并根据所述更新参...
    2026-04-28
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202610101334.0
    具备半导体衬底(10)，该半导体衬底(10)具有IGBT区域(1a)和FWD区域(1b)，包括第1导电型的漂移层(11)、形成在漂移层(11)上的第2导电型的基极层(12)、在IGBT区域(1a)中形成在漂移层(11)中的与基极层(12)侧...
    2026-04-28
  • 集成多系统的工程监理全生命周期数字化管控平台
    集成多系统的工程监理全生命周期数字化管控平台_陕西交控工程技术有限公司_202610386536.4
    本发明涉及工程建设管理与信息化技术领域，具体涉及集成多系统的工程监理全生命周期数字化管控平台，通过采集监理行为、文件、影像及环境设备数据并传输；对数据统一标识、时空对齐、语义归一与关联建模生成项目数据库；在聚合展示或穿透联查请求时构建请求影...
    2026-04-28
  • 基于时间敏感网络Qbv协议的航空电子系统的流量调度方法
    基于时间敏感网络Qbv协议的航空电子系统的流量调度方法_北京航空航天大学_202311375303.7
    本发明公开了一种基于时间敏感网络Qbv协议的航空电子系统的流量调度方法，该方法包括有流量调度初始化、获取流量及其传输路径、计算可用时隙范围边界、排除调度无效时刻、计算流量调度时刻、更新流量调度排队序列、生成调度甘特图和合成门控列表的步骤。本...
    2026-04-28
  • 一种多因子的数据库访问行为风险分析方法及系统
    一种多因子的数据库访问行为风险分析方法及系统_国网上海市电力公司_202512027801.8
    本发明提出的一种多因子的数据库访问行为风险分析方法及系统，在SQL执行前，对其潜在的数据风险和性能风险进行精准、量化、多维度的综合预判，根本性地提升数据库主动防御的智能化与准确性，有效防范因恶意或意外操作导致的数据安全与系统稳定性问题。本发...
    2026-04-28
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_富士电机株式会社_202180005621.7
    提供一种半导体装置，其具备：第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；第二导电型的基区，其设置于漂移区的上方；第一导电型的发射区，其设置于基区的上方；多个沟槽部，其在半导体基板的正面侧沿预先确定的排列方向排列；沟槽接触部，其在多个沟槽部中的相...
    2026-04-28
  • 一种基于kd-tree的隐私保护外包k-means聚类方法、系统
    一种基于kd-tree的隐私保护外包k-means聚类方法、系统_中国人民解放军国防科技大学_202210949562.5
    本发明提供一种基于kd‑tree的隐私保护外包k‑means聚类方法、系统，其中方法包括：获取安全最值协议、安全欧式距离协议、安全比较协议、安全聚类协议；用户在明文上基于数据构造kd‑tree，然后进行加性秘密共享分为两份发送给云服务器；两...
    2026-04-28
  • 基于网关调度的容灾方法、装置、设备及存储介质
    基于网关调度的容灾方法、装置、设备及存储介质_中邮消费金融有限公司_202610111194.5
    本发明公开了一种基于网关调度的容灾方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：采集与目标业务服务相关的多模态运行状态数据，多模态运行状态数据包括网络层状态数据、数据层复制状态数据和应用层业务状态数据；对多模态运行状态数据进行关联分析，根据关联分...
    2026-04-28
  • 一种三联供水力模块缓冲水箱
    一种三联供水力模块缓冲水箱_浙江阳帆节能开发有限公司_202520953046.9
    本实用新型公开了一种三联供水力模块缓冲水箱，包括水箱及设于水箱底部的过滤件；所述过滤件升降设于水箱内，所述水箱顶部设置有用于吸附过滤件表面杂质的吸附件；所述过滤件用于收集水箱内的沉积物且在上升时将水质内的杂质进行过滤；过滤件上升至顶部后与吸...
    2026-04-28
  • 一种超结型沟槽功率器件
    一种超结型沟槽功率器件_芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司_202610142696.4
    公开了一种超结型沟槽功率器件，包括：衬底；外延层；沟槽栅结构，位于外延层中，沟槽栅结构包括沟槽，覆盖沟槽的底部和侧壁的第一栅介质层以及位于沟槽中的第一栅极导体；体区，位于沟槽栅的第一侧，并且与沟槽栅结构相邻；源区，位于体区中，并且与沟槽栅结...
    2026-04-28
  • 一种阶梯式结终端结构多沟道肖特基二极管及其制备方法
    一种阶梯式结终端结构多沟道肖特基二极管及其制备方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202511931926.7
    本发明公开了一种阶梯式结终端结构多沟道肖特基二极管及其制备方法；该多沟道肖特基二极管包括：依次层叠的衬底、成核层、缓冲层、底层沟道层和多沟道层，该层叠结构上设有下端位于底层沟道层内的阴极和阳极；多沟道层包括堆叠的n个沟道单元，每个沟道单元包...
    2026-04-28
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