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最新专利技术
  • 一种多晶氧化铝纤维纺丝胶体制备用自动加料装置
    一种多晶氧化铝纤维纺丝胶体制备用自动加料装置_山东鲁科新材料有限公司_202610453113.X
    本发明公开了一种多晶氧化铝纤维纺丝胶体制备用自动加料装置，涉及化工物料添加技术领域，通过采用第一料斗储存物料，第二料斗加料的方式进行物料添加，将物料分为多个加料批次，在最后一次之前每次都记录第一料斗输出物料前后的重量变化以及第二料斗输入物料...
    2026-05-12
  • 一种基于热碱活化过二硫酸盐的亚麻纤维一步脱胶方法
    一种基于热碱活化过二硫酸盐的亚麻纤维一步脱胶方法_河南平棉纺织集团股份有限公司_202610454748.1
    本发明公开了一种基于热碱活化过二硫酸盐的亚麻纤维一步脱胶方法，涉及亚麻纤维处理技术领域。本发明以过二硫酸盐为氧化剂、碱金属氢氧化物提供碱性环境，在加热条件下构建热碱协同活化体系，活化体系中还可进一步包含ABTS，以促进过二硫酸盐活化并提高活...
    2026-05-12
  • 一种蚕茧剥叶机的剥叶装置及蚕茧剥叶机
    一种蚕茧剥叶机的剥叶装置及蚕茧剥叶机_凤城市科达农机制造有限公司_202610285365.6
    本发明属于蚕业生产的采摘加工整理技术领域，具体地说是一种蚕茧剥叶机的剥叶装置及蚕茧剥叶机，剥叶装置包括剥叶部及具有弹性的连接部，其中剥叶部及连接部中的至少一个具有弹性，连接部作为连接件用于与动力传递部件相连，连接部的外表面上沿圆周方向设有多...
    2026-05-12
  • 单晶石英材料的加工方法
    单晶石英材料的加工方法_台湾晶技股份有限公司_202411787217.1
    一种单晶石英材料的加工方法，包括以下步骤。决定单晶石英材料易产生双晶的待加工区。使用改质器对单晶石英材料上的待加工区进行改质，使待加工区的加工难度下降。使用加工器在改质后的待加工区对单晶石英材料进行加工。
    2026-05-12
  • 一种简单的拼接单晶生长系统
    一种简单的拼接单晶生长系统_河南飞孟金刚石股份有限公司_202610181970.9
    本发明属于大尺寸金刚石单晶生长技术领域，具体涉及一种简单的拼接单晶生长系统，用于抑制单晶接缝位置多晶的生长，包括可变尺寸限位装置，所述可变尺寸限位装置能够根据不同单晶生长拼接尺寸的需要进行限位空间的尺寸调整。本发明可以满足不同尺寸和规则异形...
    2026-05-12
  • 一种有机-无机复合钙钛矿单晶材料及其制备方法
    一种有机-无机复合钙钛矿单晶材料及其制备方法_浙江大学_202610461722.X
    本发明公开了一种有机‑无机复合钙钛矿单晶材料及其制备方法，属于钙钛矿光电功能材料技术领域，所述有机‑无机复合钙钛矿单晶材料由基于A’位的有机阳离子同无机阳离子、卤素阴离子等结合得到，可以在保证三维钙钛矿晶格结构前提下，获得稳定的单晶，将发光...
    2026-05-12
  • 氮化镓单晶基板及其制造方法
    氮化镓单晶基板及其制造方法_住友化学株式会社_202511536491.6
    一种氮化镓单晶基板及其制造方法。[课题]对于氮化镓单晶基板而言，在高温环境下也维持高导热率。[解决方案]一种氮化镓单晶基板，其是距离主面最近的低指数晶面为(0001)面的氮化镓的单晶基板，将200℃下的沿主面的厚度方向的导热率设为R1(H)...
    2026-05-12
  • 氮化镓单晶基板及其制造方法
    氮化镓单晶基板及其制造方法_住友化学株式会社_202511535184.6
    一种氮化镓单晶基板及其制造方法。[课题]对于氮化镓单晶基板而言，既降低电阻率，又在高温环境下也维持高导热率。[解决方案]一种氮化镓单晶基板，其为距离主面最近的低指数晶面为(0001)面的氮化镓的单晶基板，所述氮化镓单晶基板在200℃下的电阻...
    2026-05-12
  • 一种在高温高压下显著提升优质六方氮化硼单晶产率的方法
    一种在高温高压下显著提升优质六方氮化硼单晶产率的方法_东南大学_202512044639.0
    本发明属于单晶材料制备技术领域，提供一种基于钡‑镁双金属硼氮化合物溶剂(Ba‑Mg DMB)，该溶剂显著提高了高温高压(HPHT)条件下六方氮化硼(h‑BN)单晶的产率，并进一步提升了晶体质量。与钡基溶剂约12%的产率相比，Ba‑Mg DM...
    2026-05-12
  • 用于制备单晶氮化锰薄膜的方法
    用于制备单晶氮化锰薄膜的方法_中国科学院物理研究所_202411563992.9
    本发明提供一种用于制备单晶氮化锰薄膜的方法，其包括以下步骤：(1)对衬底进行预处理，以去除衬底表面所吸附的杂质；(2)将锰源作为蒸发源并且使用射频等离子体裂解源将氮气裂解为氮原子，采用分子束外延法制得单晶氮化锰薄膜；其中氮气分压为2×10‑...
    2026-05-12
  • 一种晶圆级(100)面立方碳化硅单晶的制备方法
    一种晶圆级(100)面立方碳化硅单晶的制备方法_中国科学院物理研究所_202610280131.2
    本发明提供了一种晶圆级(100)面立方碳化硅单晶的制备方法。该制备方法利用(100)面3C‑SiC籽晶，采用高温液相法(主要是TSSG法)，通过在指定温场下自扩径生长，获得晶圆级(100)面3C‑SiC单晶。特别地，通过按需求进行多次迭代扩...
    2026-05-12
  • 一种用于外延设备的供气系统及碳化硅外延设备
    一种用于外延设备的供气系统及碳化硅外延设备_芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司_202411561409.0
    本申请公开一种用于外延设备的供气系统及碳化硅外延设备。该第一气体管路、第二气体管路、第三气体管路、第四气体管路、第五气体管路、第六气体管路及第七气体管路，第一管路、第二管路及第三管路，所述第一管路的一端连接外延设备，另一端分别连接至第三气体...
    2026-05-12
  • 一种全无机无铅二维钙钛矿单晶及其制备方法与应用
    一种全无机无铅二维钙钛矿单晶及其制备方法与应用_长沙半导体技术与应用创新研究院_202610203814.8
    本发明涉及光电探测器与半导体材料技术领域，具体提供了一种全无机无铅二维钙钛矿单晶及其制备方法与应用。本发明通过引入N‑乙基‑N‑甲基哌啶碘盐，再结合先快后慢、引入晶种的改进冷却结晶手段，从根本上改变了无铅二维钙钛矿的结晶动力学与表面态，解决...
    2026-05-12
  • 单晶提拉装置
    单晶提拉装置_胜高股份有限公司_202511600293.1
    提供单晶的冷却性能优异、能够观察液面的单晶提拉装置。为基于切克劳斯基法的单晶提拉装置，具有：筒状的第一冷却体，围绕从坩埚内的熔液提拉的培育中的单晶的外周面而冷却所述单晶；倒圆锥筒状的第二冷却体，配置于所述第一冷却体的下方，围绕所述培育中的单...
    2026-05-12
  • 一种单晶硅棒及其制备方法、硅片、太阳能电池
    一种单晶硅棒及其制备方法、硅片、太阳能电池_内蒙古中环晶体材料有限公司_202510561421.X
    本申请公开了一种单晶硅棒及其制备方法、硅片和太阳能电池，属于光伏组件制备技术领域。单晶硅棒中含有锑元素和氢元素，锑元素在单晶硅棒中的掺杂浓度为Ca，氢元素在单晶硅棒中的掺杂浓度为Cb，满足：1E‑3≤Ca/Cb≤4E+2。本申请提供的单晶硅...
    2026-05-12
  • 一种金刚石晶体及其生长沉积装置与生长方法
    一种金刚石晶体及其生长沉积装置与生长方法_上海天岳半导体材料有限公司_202610467675.X
    本申请公开了一种金刚石晶体及其生长沉积装置与生长方法，属于气相沉积技术领域。金刚石晶体，满足以下条件：a.所述晶体的边缘区域与中心区域的厚度差≤10μm；b.总位错缺陷密度<105/cm2；c.所述晶体的厚度为0.3‑10mm；d.应力绝对...
    2026-05-12
  • 一种低应力生长剥离多晶金刚石的方法
    一种低应力生长剥离多晶金刚石的方法_湖北瑞华科技有限公司_202610027025.3
    本发明提供了一种低应力生长剥离多晶金刚石的方法，该方法原理是利用衬底和过渡层与多晶金刚石低失配的特性，同时利用氢气强刻蚀能力使多晶金刚石在生长后利用氢气刻蚀衬底，来避免额外应力介入，从而降低多晶破裂。该方案与现有技术相比能够有效减少多晶金刚...
    2026-05-12
  • 一种异质外延法制备单晶金刚石的方法
    一种异质外延法制备单晶金刚石的方法_北方工业大学_202511968489.6
    本发明提供一种异质外延法制备单晶金刚石的方法，属于微波等离子体化学气相沉积技术领域，包括以下步骤：选择异质衬底并进行表面预处理；在经过预处理的所述异质衬底表面初次沉积由胞状金刚石组成的过渡层；在得到的过渡层表面二次沉积顶部为单晶区域的金刚石...
    2026-05-12
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_浜松光子学株式会社_202511616257.4
    本发明的技术问题在于，提供一种能够在由InP或InGaAsP构成的基板或半导体层和在其上生长的另外的半导体层的界面降低或去除Si原子的半导体器件的制造方法。本发明的制造方法是制造具备由InP或InGaAsP构成的第一半导体(2)、和设置于第...
    2026-05-12
  • 一种大尺寸单晶金刚石制备方法及其生长基台
    一种大尺寸单晶金刚石制备方法及其生长基台_浙江先导微电子科技有限公司_202512043289.6
    本发明公开了一种用于大尺寸单晶金刚石制备的生长基台及其制备方法。所述生长基台包括基座、主凹槽及位于主凹槽底部的副凹槽，其深度关系满足：副凹槽深度<籽晶厚度≤副凹槽深度+主凹槽深度。制备方法包括：S1.筛选籽晶；S2.进行籽晶克隆、分离与加工...
    2026-05-12
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