Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 锗硅异质结npn型双极晶体管及其制备方法
    锗硅异质结npn型双极晶体管及其制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511911590.8
    本申请公开了一种锗硅异质结npn型双极晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。所述锗硅异质结npn型双极晶体管及其制备方法，通过p型原位掺杂的锗硅碳选择性外延生长方法，能够同时生长得到位于所述氮化硅内侧墙包围区域下方的p型原位硼掺杂的锗硅碳...
    2026-05-14
  • 锗硅异质结npn型双极晶体管及其制备方法
    锗硅异质结npn型双极晶体管及其制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511911593.1
    本申请公开了一种锗硅异质结npn型双极晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。所述锗硅异质结npn型双极晶体管及其制备方法，对于基础结构中的场区氧化硅层以及工艺流程中涉及的基区‑集电区隔离氧化硅层、氧化硅隔离层及氧化硅隔离层后续形成的L形氧...
    2026-05-14
  • 锗硅异质结npn型双极晶体管及其制备方法
    锗硅异质结npn型双极晶体管及其制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511911594.6
    本申请公开了一种锗硅异质结npn型双极晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。所述锗硅异质结npn型双极晶体管及其制备方法，在n型重掺杂多晶硅发射区与L形氧化硅内侧墙之间插入了p型重掺杂多晶硅发射区内侧墙，能够导致或者加强L形氧化硅内侧墙下...
    2026-05-14
  • 锗硅异质结双极晶体管及制造方法
    锗硅异质结双极晶体管及制造方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511911597.X
    本申请提供一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法。该晶体管在衬底上依次形成集电区、场区氧化硅层、外基隔离层、外基区多晶硅层及发射区；其后，在覆盖器件表面的第一介质层上，设置了一层金属或金属硅化物屏蔽层，该屏蔽层位于集电极、基极和发射极中任意两...
    2026-05-14
  • 一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法
    一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511911601.2
    本发明提供一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法，所述锗硅异质结双极晶体管包括：硅基双极晶体管基础结构；选择性注入集电区，形成在轻掺杂硅外延集电区内；基区‑集电区隔离介质层，形成在场区介质层和轻掺杂硅外延集电区上侧；过渡硅外延集电区，形成在选...
    2026-05-14
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_美垦半导体技术有限公司_202511995012.7
    本发明提供一种半导体器件及其制备方法，属于功率半导体技术领域，包括：第一导电类型的半导体衬底，其中形成有多类型栅极结构，包括至少一个用于栅极的第一栅极结构和至少一个用于虚拟栅极的第二栅极结构；第一导电类型的第一浮空区，位于第一栅极结构和第二...
    2026-05-14
  • 具有补偿型浮空P区的低损耗IGBT芯片及其制备方法
    具有补偿型浮空P区的低损耗IGBT芯片及其制备方法_浙江芯盟半导体技术有限责任公司_202610127869.5
    本申请属于功率半导体器件领域，具体公开具有补偿型浮空P区的低损耗IGBT芯片及其制备方法。本申请在浮空P区内部形成N‑CS层，由于N‑CS层在器件导通时形成空穴势垒，浮空P区增大了发射极侧的空穴浓度，为了保持电中性，发射极侧的电子注入增强，...
    2026-05-14
  • 栅极结构及其制造方法
    栅极结构及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510973380.5
    本公开涉及栅极结构及其制造方法。一种方法，包括：在第一和第二器件区域处形成IL以环绕每个半导体沟道层；在IL之上形成HK电介质层；在HK电介质层之上形成调整层，该调整层包括用于具有第一导电性的器件的元素；在第一和第二器件区域处在调整层之上形...
    2026-05-14
  • 一种栅极全环绕场效应晶体管
    一种栅极全环绕场效应晶体管_北方工业大学_202511849857.5
    本申请提供一种栅极全环绕场效应晶体管，包括：半导体衬底以及位于半导体衬底上方的源极区、漏极区、栅极结构和多个纳米结构；栅极结构包括多个间隔的贯通孔，贯通孔的穿透方向平行于半导体衬底的上表面，各个纳米结构分别填充于贯通孔内，并且源极区和漏极区...
    2026-05-14
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子装置
    一种半导体器件及其制造方法、电子装置_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411527287.3
    本申请提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，该方法包括：提供衬底，在衬底上形成有栅极结构，衬底至少包括第一区域和第二区域；形成覆盖栅极结构的第一硬掩膜层、停止层和第二硬掩膜层；刻蚀去除第二区域的部分栅极结构以及部分衬底以形成沟槽；形成填...
    2026-05-14
  • U型沟槽的制造方法
    U型沟槽的制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202411547779.9
    本发明公开了一种U型沟槽的制造方法，U型沟槽X方向光刻过程保留在场氧上的光刻胶会保护非U型沟槽区域的Y方向开口的场氧上的硬质掩膜，不会导致非U型沟槽区域的Y方向开口的场氧上的硬质掩膜损失，增大了U型沟槽工艺窗口；进行X方向硅刻蚀形成U型沟槽...
    2026-05-14
  • 功率场效应晶体管及其形成方法
    功率场效应晶体管及其形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610113517.4
    本发明提供一种功率场效应晶体管及其形成方法，功率场效应晶体管的形成方法包括：先提供一衬底；接着形成硬掩模层，所述硬掩模层覆盖所述衬底且所述硬掩模层的厚度为第一目标厚度；形成场氧化层，所述场氧化层从所述衬底中延伸至所述衬底上；形成JFET结构...
    2026-05-14
  • 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板
    薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板_云谷(固安)科技有限公司_202610145984.5
    本申请提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板，薄膜晶体管的制作方法包括提供衬底；在衬底的一侧制备金属氧化物有源层；在金属氧化物有源层远离衬底的一侧制备第一绝缘层；在第一绝缘层远离衬底的一侧制备栅极；向第一注入区和第二注入区注入至...
    2026-05-14
  • HEMT器件及其制备方法
    HEMT器件及其制备方法_上海新微半导体有限公司_202610173826.0
    本发明提供一种HEMT器件及其制备方法，通过在P型GaN层上形成图案化的氢扩散阻挡层，并利用该阻挡层的退火窗口对P型GaN层进行局部退火处理，实现了预设栅极区域中Mg激活率的渐变分布，即Mg激活率从源极向漏极方向逐渐减小，相应的，越靠近漏极...
    2026-05-14
  • 铁电器件及其制备方法
    铁电器件及其制备方法_苏州实验室_202610385907.7
    本申请涉及一种铁电器件及其制备方法。该铁电器件的制备方法，铁电器件包括铁电层，该方法，包括：采用金属有机化学气相沉积工艺沉积铁电层，铁电层的材料包括氧化镁锌，氧化镁锌的化学式为MgxZn1‑xO，x的取值范围为0.1‑0.6，铁电层具有单一...
    2026-05-14
  • 一种半导体结构的制备方法和半导体结构
    一种半导体结构的制备方法和半导体结构_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610416662.X
    本发明提供一种半导体结构的制备方法和半导体结构，具体涉及半导体领域。所述半导体的制备方法包括：提供基底，所述基底包括衬底、形成于所述衬底上的栅极结构以及分别位于所述栅极结构两侧衬底内的离子掺杂区；在所述基底的表面形成牺牲层；对所述牺牲层进行...
    2026-05-14
  • LDMOS器件及其制备方法
    LDMOS器件及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610433072.8
    本申请提供了一种LDMOS器件及其制备方法，属于半导体技术领域，所述制备方法包括：提供衬底，在衬底上形成预设厚度的第一氧化材料，并形成第一氧化层；形成介质材料层，并利用介质材料层对第一氧化层周围的衬底执行离子注入；采用预设光罩对介质材料层执...
    2026-05-14
  • 一种金属栅极器件结构及其制作方法
    一种金属栅极器件结构及其制作方法_上海邦芯半导体科技有限公司_202610433860.7
    本申请公开了一种金属栅极器件结构及其制作方法，包括：在衬底上形成鳍部；在鳍部的表面上形成包括由内而外依次堆叠的多层功函数材料层的功函数层；其中，对在最外一层功函数材料层之前形成的一至多层内层功函数材料层的表面，先使用亚稳态粒子激发的氮自由基...
    2026-05-14
  • 一种金属栅极器件结构制造方法和金属栅极器件结构
    一种金属栅极器件结构制造方法和金属栅极器件结构_上海邦芯半导体科技有限公司_202610433864.5
    本申请公开了一种金属栅极器件结构制造方法和金属栅极器件结构，包括：在衬底上形成鳍部；在鳍部的表面上依次形成栅介质层和帽层；在帽层的表面上形成牺牲及缓冲层，然后执行热处理，使牺牲及缓冲层材料中的原子扩散进入帽层材料中，以提高帽层的扩散阻挡能力...
    2026-05-14
  • 金属栅极器件结构制作方法及金属栅极器件结构
    金属栅极器件结构制作方法及金属栅极器件结构_上海邦芯半导体科技有限公司_202610433867.9
    本申请公开了一种金属栅极器件结构制作方法及金属栅极器件结构，包括：在第一鳍部至第六鳍部上形成第一功函数层至第五功函数层时，选择性去除第一鳍部至第四鳍部上的第二功函数层，第一鳍部至第三鳍部上的第三功函数层，和第一鳍部至第二鳍部上的第四功函数层...
    2026-05-14
首页 上一页 15 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证