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最新专利技术
  • 半导体结构及其制备方法、电子设备
    半导体结构及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411448562.2
    本发明涉及一种半导体结构及其制备方法、电子设备。半导体结构的制备方法包括提供支撑基板；于支撑基板上形成第一牺牲层以及第一半导体层，第一半导体层位于第一牺牲层远离支撑基板的一侧；至少贯穿第一半导体层与第一牺牲层，形成沿第一方向延伸且沿第二方向...
    2026-04-30
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411448889.X
    本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件的制造方法包括：在衬底的第一面依次交替制作初始牺牲层和初始半导体层；将在衬底第一面的最外层初始牺牲层与第一基底键合；将衬底减薄至与初始半导体层等厚；在减薄后的衬底的第二面依次交替...
    2026-04-30
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411449071.X
    一种半导体器件及其制备方法、电子设备。所述制备方法包括：在基底上依次形成第一介质层、第一导电层、第二介质层以及第二导电层形成堆叠结构；形成第一沟槽，位于第一沟槽之内的堆叠结构被刻蚀掉；形成第二沟槽，位于第二沟槽之内的堆叠结构被刻蚀掉，使得第...
    2026-04-30
  • 一种存储阵列及其制作方法、存储器、电子设备
    一种存储阵列及其制作方法、存储器、电子设备_华为技术有限公司_202411451007.5
    本申请实施例公开一种存储阵列及其制作方法、存储器、电子设备，涉及半导体器件技术领域，旨在解决提高存储器的电学性能。该存储阵列包括沿第一方向间隔排布的多个存储层。每个存储层包括多个存储单元。存储单元包括围设出沿第一方向延伸的沟道孔的第一沟道结...
    2026-04-30
  • 半导体封装结构及其制造方法
    半导体封装结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411838434.9
    一种半导体封装结构包含基板、半导体晶粒及封装体。基板包含本体层、破口部、跨接部、电源焊球、接地焊球、电源走线部及接地走线部。破口部贯穿本体层，跨接部自本体层延伸横跨破口部，电源焊球及接地焊球安装至本体层上，电源走线部内嵌于本体层及跨接部内。...
    2026-04-30
  • 具有突出接触件的半导体元件及其制备方法
    具有突出接触件的半导体元件及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202510356209.X
    本公开提供一种具有一突出接触件的半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底；在该基底上的一位元线结构；在该位元线结构旁的一电容器接触结构；以及覆盖该电容器接触结构的一上表面的一部分和该电容器接触结构的一侧壁的一上部的一着陆垫层。
    2026-04-30
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202511000926.5
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。提供了包括高集成存储单元的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。半导体器件可以包括：第一子单元阵列，其包括垂直堆叠的第一存储单元；第二子单元阵列，其包括与第一存储单元水平相邻的第二存储单元，第二存储单元垂直...
    2026-04-30
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511167658.6
    提供一种半导体器件，该半导体器件包括：位线；数据存储结构，与位线间隔开；字线结构，在位线和数据存储结构之间；第一沟道图案，电连接位线和数据存储结构；以及栅极绝缘层，包括在字线结构和第一沟道图案之间的插入部分。字线结构包括栅极图案、在栅极图案...
    2026-04-30
  • 半导体装置和用于制造半导体装置的方法以及半导体系统
    半导体装置和用于制造半导体装置的方法以及半导体系统_三星电子株式会社_202511368251.X
    公开了半导体装置和用于制造半导体装置的方法以及半导体系统。所述半导体装置包括至少第一接触孔和间隔件。第一接触孔填充有金属材料并且具有在存储器电路的字线(WL)垫区域中在第一接触点处连接到第一WL的第一底端。间隔件在第一接触点上方的位置处围绕...
    2026-04-30
  • 用于存储器装置的波纹状侧壁结构
    用于存储器装置的波纹状侧壁结构_美光科技公司_202511376874.1
    本公开涉及用于存储器装置的波纹状侧壁结构。本文所描述的实施方案涉及各种结构、集成组合件及存储器装置。在一些实施方案中，一种集成组合件包含穿透介电区的半导电鳍片结构阵列。所述集成组合件包含沿所述介电区的包含侧壁结构的半导电深沟结构。所述侧壁结...
    2026-04-30
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511408347.4
    提供了半导体器件。该半导体器件包括：位线，提供在衬底上并沿着第一水平方向延伸；模制结构，提供在位线上，沿着与第一水平方向交叉的第二水平方向延伸，并且包括金属层；有源半导体层，在模制结构的侧壁上沿着垂直方向延伸并且包括氧化物半导体；以及字线，...
    2026-04-30
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_长鑫科技集团股份有限公司_202610319848.3
    本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：衬底、堆叠结构和保护结构；堆叠结构位于所述衬底的表面上，所述堆叠结构包括交替层叠的半导体层和牺牲层，所述堆叠结构包括第一沟槽，所述第一沟槽沿第一方向贯穿所述堆叠结...
    2026-04-30
  • 半导体结构及其形成方法、电子设备
    半导体结构及其形成方法、电子设备_长鑫科技集团股份有限公司_202610352208.2
    本公开关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、电子设备，半导体结构包括外围结构、阵列结构、位线引出结构及字线引出结构，外围结构包括多个外围电路器件及第一键合层；阵列结构包括第二键合层、位线及字线，第二键合层与第一键合层键合连接，...
    2026-04-30
  • 只读存储器器件及其制造方法
    只读存储器器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511955967.X
    一种只读存储器(ROM)器件包括：有源区，沿第一方向延伸；以及多个栅极，沿与第一方向横向的第二方向延伸跨过有源区并位于有源区上方。多个栅极与有源区一起相应地配置多个晶体管。多个晶体管中的每个配置为储存数据。有源区连续地延伸跨过多个栅极中的多...
    2026-04-30
  • 半导体装置和半导体装置的制造方法
    半导体装置和半导体装置的制造方法_爱思开海力士有限公司_202510432434.7
    提供一种半导体装置和半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：第一栅极结构，其包括第一导电层；第二栅极结构，其位于第一栅极结构上并且包括第二导电层；第一接触通孔，其延伸穿过第二栅极结构并延伸进入第一栅极结构，并且分别连接到第一导电层，并且每...
    2026-04-30
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202511461663.8
    一种半导体装置，包括：栅电极，在第一方向上纵向延伸；多个沟道层，在与第一方向相交的第二方向上穿透栅电极并且在第一方向上间隔开；以及栅极绝缘膜，包括多个栅极绝缘膜图案，每个栅极绝缘膜图案至少部分地覆盖所述多个沟道层中的相应沟道层，其中，所述多...
    2026-04-30
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610321343.0
    本申请公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括衬底、第一绝缘层、浮栅、擦除栅及第二绝缘层。其中，第一绝缘层在浮栅端部形成向上延伸的台阶，使浮栅端部被抬升而远离衬底，且浮栅在该抬升端部的侧壁向内凹陷形成向外延伸的尖角；擦除栅设于尖角...
    2026-04-30
  • 三维存储器及其制作方法、存储器系统
    三维存储器及其制作方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202610239595.9
    本公开实施例公开了一种三维存储器的制作方法，包括：提供半导体层；所述半导体层包括沿第一方向排布的第一区域、第二区域，所述第一方向垂直于所述半导体层的厚度方向；在所述半导体层上形成多个绝缘层和多个牺牲层交替层叠的堆叠结构；在所述第一区域上形成...
    2026-04-30
  • 半导体结构及其制造方法、存储器和存储器系统
    半导体结构及其制造方法、存储器和存储器系统_长江存储控股股份有限公司_202411406386.6
    本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法、存储器和存储器系统，所述半导体结构包括：堆叠结构，包括第一绝缘层和栅极层；第一绝缘层和栅极层沿第一方向交替层叠设置；栅极层包括第二绝缘层以及多个栅极结构，栅极结构沿第一方向贯穿第二绝缘层；多个沟...
    2026-04-30
  • 铁电单晶材料内三维金属/隔离层堆叠结构制备与异质键合方法
    铁电单晶材料内三维金属/隔离层堆叠结构制备与异质键合方法_复旦大学_202511974854.4
    本发明属于微电子存储技术领域，具体为铁电单晶材料内三维金属/隔离层堆叠结构制备与异质键合方法。本发明通过采用光刻、深沟槽刻蚀、电极材料沉积、化学机械抛光、隔离层填充等工艺交替形成多层电极材料/隔离层结构，在铁电单晶体内直接构建三维交叉阵列，...
    2026-04-30
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