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最新专利技术
  • 基于蓝宝石衬底Mn掺杂氧化镓异质外延的阻变存储器的制备方法
    基于蓝宝石衬底Mn掺杂氧化镓异质外延的阻变存储器的制备方法_西安电子科技大学_202511858774.2
    本发明属于半导体技术领域，提供了一种基于蓝宝石衬底Mn掺杂氧化镓异质外延的阻变存储器的制备方法，解决了现有技术中氧化镓基阻变存储器开关比低、制备器件稳定性不足、在高温高场环境下工作稳定性不足等问题，该方法包括：清洗蓝宝石衬底；将镓和锰的熔融...
    2026-04-27
  • 一种忆阻器及其制备方法
    一种忆阻器及其制备方法_宁波大学_202511865427.2
    本发明涉及一种忆阻器及其制备方法；所述制备方法包括：提供表面形成有底电极的绝缘衬底；在室温条件下采用电子束蒸发在底电极上沉积氧化铝薄膜以形成阻变功能层，且沉积完成后不进行高温退火处理，使薄膜内部保留原生氧空位缺陷；随后在所述阻变功能层上通过...
    2026-04-27
  • 集成电路和半导体装置
    集成电路和半导体装置_联发科技股份有限公司_202511363367.4
    一种集成电路包括主控晶粒、基底晶粒和至少两个高带宽存储器(HBM)堆栈，其均位于中介层上。主控晶粒包含多个处理器，该至少两个HBM堆栈位于基底晶粒上并通过基底晶粒和中介层与主控晶粒进行通信。该至少两个HBM堆栈和主控晶粒排列成一行，其中，主...
    2026-04-27
  • 一种超薄HfO2基铁电电容器及其制备方法与应用
    一种超薄HfO2基铁电电容器及其制备方法与应用_复旦大学_202511815085.3
    本发明属于铁电存储技术领域，具体涉及一种超薄HfO2基铁电电容器及其制备方法与应用，包括依次叠合设置的：底导电电极层、底超薄金属层、铁电介质层、顶超薄金属层、顶导电电极层和掩膜层；底超薄金属层采用的金属材料的热膨胀系数小于铁电介质层采用的介...
    2026-04-27
  • MIM电容结构及其制备方法
    MIM电容结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610296709.3
    本申请提供了一种MIM电容结构及其制备方法，属于半导体技术领域，该制备方法包括：在衬底上形成第一绝缘层，并采用预设光罩执行第一光刻工艺及刻蚀工艺在第一绝缘层中形成沟槽；依次形成第一导电层、第一介电层、第二导电层及第二介电层；采用预设光罩对第...
    2026-04-27
  • 一种斜角终端二极管雪崩整形器件及其制备方法
    一种斜角终端二极管雪崩整形器件及其制备方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202511868474.2
    本发明公开了一种斜角终端二极管雪崩整形器件及其制备方法，方法包括：获取N+型SiC衬底并在其上制备N‑型SiC外延层；在上方离子注入形成第一P+层；在上方形成矩形状周期性间隔分布的第一层，在上方生成第二P+层，和第一P+层构成下表面呈周期性...
    2026-04-27
  • 基于化学机械抛光的氧化镓肖特基二极管制备方法
    基于化学机械抛光的氧化镓肖特基二极管制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511887813.1
    本申请提供了一种基于化学机械抛光的氧化镓肖特基二极管制备方法，属于肖特基二极管制造技术领域，包括：分别在各芯片功能区的外延层侧制备阳极层；使阳极层的表面与柔性的抛光垫紧密贴合接触，抛光垫挤入开槽凹陷中，并与外延层的表面进行接触；挤入开槽凹陷...
    2026-04-27
  • 以铌掺杂钛酸锶为衬底的肖特基器件的制备方法及应用
    以铌掺杂钛酸锶为衬底的肖特基器件的制备方法及应用_三峡大学_202511994640.3
    本发明涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种以铌掺杂钛酸锶为衬底的肖特基器件的制备方法及应用，制备时，以铌掺杂钛酸锶为衬底，先在衬底的两端磁控溅射镀Al电极作为欧姆接触，后在衬底的中间点胶设导电银浆作为肖特基接触，其中导电银浆点胶处理后进行...
    2026-04-27
  • 碳化硅二极管及其制备方法
    碳化硅二极管及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202512031827.X
    本发明公开碳化硅二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，以解决现有技术中传统碳化硅二极管在反向雪崩和正向浪涌极端工况下因电热应力冲击造成坚固性低的问题。碳化硅二极管包括：衬底；位于衬底正面的漂移层；形成于漂移层的P型重掺杂区；P型重掺杂区至...
    2026-04-27
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_株洲中车时代半导体股份有限公司_202411672435.0
    本发明涉及半导体技术领域，公开一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：半导体衬底层；位于半导体衬底层上的外延层；位于外延层中的电场屏蔽区和掺杂区，掺杂区位于电场屏蔽区背离半导体衬底层一侧，且外延层背离半导体衬底层的一侧表面暴露出掺杂区；...
    2026-04-27
  • GaN横向JBS二极管及其制备方法和应用
    GaN横向JBS二极管及其制备方法和应用_湖北九峰山实验室_202511866379.9
    本发明提供了一种GaN横向JBS二极管及其制备方法和应用，其中，GaN横向JBS二极管，包括外延片，外延片上设有阴极和阳极，阳极包括多个P‑GaN岛结构，每个P‑GaN岛结构上设有薄层P‑GaN延伸结构，薄层P‑GaN延伸结构位于P‑GaN...
    2026-04-27
  • 氧化镓肖特基二极管及其制备方法
    氧化镓肖特基二极管及其制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511908788.0
    本发明提供了一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法，包括衬底、阳极以及两个第一终端结构，衬底上方设有外延层；阳极设于外延层的上方；第一终端结构分别与外延层的上表面以及阳极的侧面连接；每个第一终端结构均包括第一介质层和第二介质层，第一介质层嵌设于...
    2026-04-27
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202610150069.5
    本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件包括：半导体本体，所述半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面；所述第一表面设置有多个沿第一方向间隔排列的沟槽；在垂直于所述第一表面的第二方向上，所述沟槽包括n级沿所述第二方向依次连...
    2026-04-27
  • 一种恒流二极管芯片终端结构、芯片及其制作方法
    一种恒流二极管芯片终端结构、芯片及其制作方法_黄山芯微电子股份有限公司_202512048050.8
    本发明公开了一种恒流二极管芯片终端结构、芯片及其制作方法，属于半导体功率器件技术领域。该终端结构位于N‑硅外延层边缘，包括元胞‑终端过渡区和终端区。过渡区设有P区及其内的P+区、N+区，以及位于表面钝化氧化层上的第一多晶硅层，并通过正面金属...
    2026-04-27
  • 一种基于深沟槽隔离的单芯片双向低电容TVS器件及其制造方法
    一种基于深沟槽隔离的单芯片双向低电容TVS器件及其制造方法_江苏应能微电子股份有限公司_202610296786.9
    本发明提供一种基于深沟槽隔离的单芯片双向低电容TVS器件及其制造方法；所述单芯片双向低电容TVS器件包括：第一导电类型重掺杂硅衬底；形成于第一导电类型重掺杂硅衬底上的第一外延层；形成于第一外延层上的第二外延层，所述第二外延层包括位于靠近第一...
    2026-04-27
  • 一种对称的异质结双极型晶体管及其制作方法
    一种对称的异质结双极型晶体管及其制作方法_福建省福联集成电路有限公司_202512011125.5
    本发明涉及一种对称的异质结双极型晶体管及其制作方法，包括在GaAs外延片表面涂布第一光阻层利用光罩显影，沉积EC金属，涂布第二光阻层利用光罩显影，并往下蚀刻相应深度的GaAs外延形成第一台阶；整面沉积第一氮化物层做钝化，再整面沉积Oxide...
    2026-04-27
  • 一种硅NPN型平面高频大功率晶体管及其制作方法
    一种硅NPN型平面高频大功率晶体管及其制作方法_成都燎原星光电子有限责任公司_202511877872.0
    本发明公开了一种硅NPN型平面高频大功率晶体管及其制作方法，属于半导体技术领域，晶体管包括硅衬底、形成于所述硅衬底上的硅外延层、形成于所述硅外延层内的基区、形成于所述基区内的发射区、覆盖于器件表面的氧化层以及形成于所述氧化层上的基极和发射极...
    2026-04-27
  • 一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法
    一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法_上海维安半导体有限公司_202610312984.X
    本发明提供一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，属于功率半导体器件技术领域，包括：第一沟槽为栅极沟槽，第二沟槽为发射极沟槽，第三沟槽为无效栅沟槽；在平行于元胞表面的横向上，第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽依次间隔设置，且第一沟槽和第二沟槽之...
    2026-04-27
  • 一种门极负触发单向晶闸管
    一种门极负触发单向晶闸管_吉林华微电子股份有限公司_202610015024.7
    本发明属于但不限于单向晶闸管技术领域，公开了一种门极负触发单向晶闸管，包括：门极区，所述门极区为N+型半导体区域；阴极区，所述阴极区为N+型半导体区域，且设有阴极短路点；隔离区，所述隔离区为P型半导体区域，环绕所述门极区和阴极区；槽区或终端...
    2026-04-27
  • 一种常关型氢终端金刚石场效应晶体管的制备方法
    一种常关型氢终端金刚石场效应晶体管的制备方法_复旦大学_202511713496.1
    本发明公开了一种常关型氢终端金刚石场效应晶体管的制备方法；该制备方法如下：首先，在洁净的金刚石衬底上进行氢终端处理，形成P型的氢终端导电层，然后，在氢终端金刚石表面形成源漏电极，并在氢终端金刚石表面的非沟道区进行绝缘隔离处理，最后，室温下采...
    2026-04-27
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