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  • 半导体处理方法可包括将含硅前体及含氧前体提供到半导体处理腔室的处理区域。基板可容纳在所述处理区域内。特征可延伸穿过在所述基板上设置的一或多个材料层。所述方法可包括形成所述含硅前体及所述含氧前体的等离子体流出物。所述方法可包括使所述基板与所述...
  • 一种显示基板及显示装置。显示基板包括背板(101)、反射层(202)及发光功能层;发光功能层包括第一发光功能层、第二发光功能层以及第三发光功能层,第一发光功能层包括第一发光层,第一发光层被配置为在电场作用下出射蓝色光线,第二发光功能层包括第...
  • 一种发光器件及其制作方法、显示装置,发光器件包括:衬底基板(1),以及层叠设置在衬底基板(1)上的第一电极(2)、第一载流子传输层(3)、发光层(4)、第二载流子传输层(5)和第二电极(6);第一电极(2)包括多个间隔设置的第一通孔(H1)...
  • 一种显示模组和显示装置,显示模组包括阵列排布且相互独立的多个显示基板,所述显示基板包括透明基底以及设置在所述透明基底上的多个发光器件;相邻两个所述显示基板之间存在间隙;所述显示模组还包括透明支撑基板,所述多个显示基板都位于所述透明支撑基板的...
  • 公开了一种显示模块。所公开的显示模块包括:玻璃衬底;薄膜晶体管(TFT)层,形成在玻璃衬底的一个表面上;以及多个发光二极管,布置在TFT层上。TFT层包括:多个像素电路,布置成网格并且用于驱动多个发光二极管;以及多个面板中栅极(GIP)电路...
  • 本发明涉及一种μLED装置,其包括具有第一掺杂类型的第一层和第二掺杂类型的第二层以及介于第一层与第二层之间的有源层结构的层堆叠。第一接触部覆盖第一层的表面,所述表面背离有源层结构。半导体层形成沉积在第二层的表面上的微透镜,所述表面背离有源层...
  • 提供一种具有缓冲层叠体的外延生长用基板,其即使进行支撑基板的贴合、初始生长用基板的去除也不产生裂纹。一种外延生长用基板,其具有:初始生长用基板、上述初始生长用基板上的蚀刻停止层、以及上述蚀刻停止层上的缓冲层叠体,上述缓冲层叠体具有:具有互不...
  • 提供一种能够减小芯片面积的光检测装置。该光检测装置包括半导体层、布线层、端子焊盘和元件。半导体层包括光电转换单元,且一个表面是光入射面,而另一个表面是元件形成面。布线层层叠在半导体层的元件形成面上。端子焊盘至少部分地位于半导体层内,并与所述...
  • 本公开的半导体受光元件(100)具备:n型InP基板(1);n型半导体层(2),形成在n型InP基板(1)之上;倍增层(3),形成在n型半导体层(2)之上,层厚为40nm以上且170nm以下,由交替层叠InAs层和AlAs层而成的InAlA...
  • 一种半导体器件,尤其是沟槽栅极垂直MOSFET,包括基于碳化硅的半导体层结构和延伸到半导体层结构的上部部分中的第一栅极沟槽(180, 182, 184)。半导体层结构包括具有第一导电类型的漂移区域(120)、具有第二导电类型的阱层(130)...
  • 一种晶体管,该晶体管可以包括衬底、形成于衬底内在衬底的第一侧处的漏极层。第一阱注入具有第一注入深度,第二阱注入具有第二注入深度,并且第三阱注入具有第三注入深度。第一阱注入、第二阱注入和第三阱注入形成于衬底内在衬底的第二侧处。第二注入深度大于...
  • 半导体装置包括:岛状的半导体部;晶体管,其源极区域和漏极区域之中的至少一者形成在所述半导体部中;以及接触器,其连接到所述源极区域和漏极区域之中的所述至少一者,其中,所述接触器包括与所述源极区域和漏极区域之中的所述至少一者接触并向下延伸的接触...
  • 半导体装置包括:芯片,其具有主面;第一导电型的漂移区域,其形成于所述主面的表层部;沟槽电极型的栅极结构,其以位于所述漂移区域内的方式形成于所述主面,第二导电型的阱区域,其在所述漂移区域内在所述栅极结构的下方的区域沿着所述栅极结构的底壁而形成...
  • 本发明的碳化硅半导体装置包括:第一导电型的碳化硅层(12);设置在所述碳化硅层(12)上的第二导电型的多个阱区域(50);设置在所述阱区域(50)上的第一导电型的源极区域(40);形成在所述碳化硅层(12)中被多个所述阱区域(50)相夹的区...
  • 所公开的半导体装置包括垂直堆叠的第一和第二半导体堆叠体。第一半导体堆叠体包括:第一存储器阵列层,包括第一存储器单元阵列;第一外围电路层,包括形成在第一半导体层上的第一晶体管;以及第一互连结构,垂直延伸穿过第一半导体堆叠体,位于相邻的第一存储...
  • 一种在衬底上形成存储器件的方法,包括:使用第一原子层沉积工艺在该衬底的凹陷特征内沉积第一电极层,以及在第一衬底温度使用第二原子层沉积工艺在该第一电极层上沉积非晶过渡金属氧化物层。该方法进一步包括:在维持该非晶过渡金属氧化物层的非晶态的同时,...
  • 本申请实施例提供一种存储单元、存储阵列、存储器以及电子设备,涉及半导体存储技术领域,用于缓解铁电存储器功耗高的问题。存储单元的存储电容包括第一电极、铁电层、第一金属氧化层以及第二电极。第一金属氧化层层叠设置于第一电极和铁电层之间。该第一金属...
  • 一种数据生成系统(20),具备:通信部(21),获取部件和部件收容器中的至少一者的供给信息,部件收容器收容有多个部件;以及数据生成部(23),基于由通信部(21)获取的供给信息,生成在安装机中使用的生产数据,该安装机是将部件安装到基板的设备...
  • 为了提供一种用于电子组件的电磁屏蔽的屏蔽元件,其具有轻的重量、能以低成本的方式制造并且具有简单的结构,本发明提出,屏蔽元件包括基体和至少一个导电层,基体具有联接装置,该基体可以通过联接装置与相对应的装置联接,至少一个导电层至少局部地设置在基...
  • 一种嵌入板(EP),具有一通道开口(BO, TO),用于将部分冷却液自供流通道段(ZF)直接导入回流通道段(RF),并且在通道开口(BO, TO)处设有一温度控制阀(VT),其被设置为根据供流通道段(ZF)和/或回流通道段(RF)中的冷却液...
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