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最新专利技术
  • 一种三维堆叠芯片的封装结构及风冷散热方法
    一种三维堆叠芯片的封装结构及风冷散热方法_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202610135585.0
    本发明涉及一种三维堆叠芯片的封装结构及风冷散热方法；其中结构包括由至少两层功能芯片垂直堆叠构成的三维堆叠体，其中，层间用于电性互联的微互连结构阵列在键合形成的层间间隙内形成密集的微针肋；集成于堆叠体侧面的微型风冷发生单元产生垂直于堆叠方向的...
    2026-05-09
  • 功率模块
    功率模块_海南亿塔科技有限公司_202610141554.6
    本发明公开了一种功率模块，包括：功率芯片、一体化底板结构和预成型引线端子组合结构。一体化底板结构的表面铜层具有芯片贴装区域以及电路拓扑的电气连接图形；铜底板的底部表面为散热面。功率芯片贴装在芯片贴装区域。预成型引线端子组合结构的引线端子穿过...
    2026-05-09
  • 用于功率模块的底板结构
    用于功率模块的底板结构_海南亿塔科技有限公司_202610180563.6
    本发明公开了一种用于功率模块的底板结构，包括底部导热底板；底部导热底板包括散热通道区和位于散热通道区周侧的周边区。散热通道区中具有散热通道底板，散热通道底板包括第一复合材料层和形成于第一复合材料层的顶部表面和底部表面的表面金属层。周边区中具...
    2026-05-09
  • 用于带大功率开关管模块电源的有源散热器
    用于带大功率开关管模块电源的有源散热器_中国船舶集团有限公司第七〇四研究所_202610132723.X
    本发明涉及一种用于带大功率开关管模块电源的有源散热器，包括：铝制散热器本体；铝制散热片，其一面通过导热绝缘衬垫与开关管的散热面贴合；半导体制冷片，设置于所述铝制散热器本体与所述铝制散热片之间，所述半导体制冷片的制冷面通过导热介质与所述铝制散...
    2026-05-09
  • 具有硅穿孔的半导体结构及其制作方法
    具有硅穿孔的半导体结构及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411632147.2
    本发明公开一种具有硅穿孔的半导体结构及其制作方法，其中具有硅穿孔的半导体结构包含一半导体基底，一硅穿孔穿透半导体基底，硅穿孔包含一金属层、一缓冲层和一绝缘层，金属层的一末端凸出于半导体基底的一背面，一凹槽设置在末端的一侧以及一复合结构填满凹...
    2026-05-09
  • 电子器件及其制作方法、电子设备
    电子器件及其制作方法、电子设备_华为技术有限公司_202411554244.4
    本申请的实施例提供一种电子器件及其制作方法、电子设备，旨在提高电子器件的散热能力。本申请实施例提供一种电子器件，第一芯片和第二芯片层叠设置于塑封件内，且导热结构位于第一芯片和第二芯片之间，导热结构的一端暴露在塑封件的表面，使第一芯片和第二芯...
    2026-05-09
  • 集成无源器件及其制作方法、电子设备
    集成无源器件及其制作方法、电子设备_北京京东方传感技术有限公司_202411548117.3
    一种集成无源器件，该集成无源器件包括基底、散热柱、绝缘层和至少两个散热层，散热柱设于散热过孔内，散热柱与任意相邻两个散热层连接。热量可以在绝缘层与基底之间的散热层、相邻的绝缘层之间的散热层、离基底最远的绝缘层远离基底的一侧或基底的第二面的散...
    2026-05-09
  • 一种射频前端模块
    一种射频前端模块_中国科学院微电子研究所_202610164874.3
    本发明公开一种射频前端模块，涉及射频前端技术领域，用于实现功率放大器芯片的高效散热，保证射频前端模块的可靠性。射频前端模块包括基板、多个芯片和散热热沉；其中，基板包括沿其厚度方向相对的第一面和第二面，且基板上开设有贯穿于第一面和第二面的第一...
    2026-05-09
  • 一种内埋功率器件的基板及其制作方法
    一种内埋功率器件的基板及其制作方法_中国科学院微电子研究所_202610162624.6
    本发明公开了一种内埋功率器件的基板及其制作方法，涉及半导体技术领域，以解决如何提高包括功率器件的基板的散热性能的问题。所述内埋功率器件的基板包括：芯板结构包括通槽，芯片和导热导电结构嵌于通槽内。导热导电结构位于芯片的至少一侧，且与芯片间隔分...
    2026-05-09
  • 一种基于GaN器件的双面散热半桥功率模块及制备方法
    一种基于GaN器件的双面散热半桥功率模块及制备方法_西安电子科技大学_202610152034.5
    本发明公开了一种基于GaN器件的双面散热半桥功率模块及制备方法，属于电力电子功率模块技术领域，功率模块包括上陶瓷基板、与所述上陶瓷基板对应设置的下陶瓷基板、位于所述上陶瓷基板和所述下陶瓷基板之间的上管GaN器件和下管GaN器件以及集成在所述...
    2026-05-09
  • 功率芯片的散热结构及功率模块
    功率芯片的散热结构及功率模块_重庆芯联微电子有限公司_202512030250.0
    本发明公开了一种功率芯片的散热结构及功率模块，属于半导体功率器件技术领域，该功率芯片的散热结构，包括功率芯片和至少一散热件，所述功率芯片包括基底，所述散热件的至少一侧设置在所述基底的待散热区域上，所述散热件背离所述功率芯片的另一侧则延伸出所...
    2026-05-09
  • 一种芯片封装结构及计算设备
    一种芯片封装结构及计算设备_飞腾信息技术有限公司_202511958354.1
    本说明书实施例提供了一种芯片封装结构及电子设备，该封装结构通过位于芯粒层一侧的N层互联金属层实现了相邻芯粒的时钟与信号互联，相较于基于中介层实现芯粒间互联的方案，可以大大缩短信号线长度、有效提升可布置的信号线数量，解除了互联密度与带宽瓶颈的...
    2026-05-09
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411519793.8
    本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法，所述制作方法包括：形成包覆半导体主体部分区域的牺牲栅；半导体主体沿第一方向延伸、且贯穿牺牲栅，牺牲栅沿第二方向延伸；对牺牲栅在第三方向的一侧进行蚀刻，形成沿第一方向延伸的第一沟槽，第一沟槽沿第一...
    2026-05-09
  • 半导体器件结构及其制备方法
    半导体器件结构及其制备方法_粤芯半导体技术股份有限公司_202610153180.X
    本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，半导体器件结构包括：基底，基底上具有接触点；介质层，形成于基底上；接触孔，形成于介质层中，接触孔显露接触点；金属层，形成于接触孔的侧壁及底部；接触孔侧壁金属层的第一厚度与接触孔顶部两侧金属层的第二厚...
    2026-05-09
  • 半导体结构和半导体结构的制备方法
    半导体结构和半导体结构的制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202411515943.8
    一种半导体结构和半导体结构的制备方法，该半导体结构包括基底，基底中具有导电块，介电层，介电层位于基底上，覆盖基底，导电插塞，导电插塞贯穿介电层与导电块连接，其中，导电插塞包括第一部分、第二部分和第三部分，第一部分、第二部分和第三部分在垂直于...
    2026-05-09
  • 互连结构及其形成方法
    互连结构及其形成方法_重庆芯联微电子有限公司_202511965829.X
    本发明提供了一种互连结构及其形成方法，属于半导体领域。该互连结构包括基底，形成有沟槽；阻挡层，形成于所述沟槽的内壁和底部；粘结层，形成于所述阻挡层的内壁和底部，且所述粘结层掺杂金属，填充在所述沟槽。本发明通过在Ru薄膜中掺杂金属Sn，由于R...
    2026-05-09
  • 芯片结构、芯片堆叠结构及其制备方法、电子设备
    芯片结构、芯片堆叠结构及其制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202411540946.7
    本申请实施例提供一种芯片结构、芯片堆叠结构及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于降低阻容延迟。芯片堆叠结构包括层叠设置且电连接的第一芯片结构和第二芯片结构。第一芯片结构包括依次层叠设置的第一有源层、第一布线层以及第二布线层；第二布...
    2026-05-09
  • 三维芯片及电子设备
    三维芯片及电子设备_华为技术有限公司_202411540461.8
    本申请实施例提供一种三维芯片及电子设备，涉及芯片技术领域，用以改善现有三维芯片需要设置较多冗余接口的问题。三维芯片包括第一裸片和第二裸片，第一裸片包括第一存储器件和冗余存储器件，第二裸片包括第一输入输出端口和多路选择器阵列，多路选择器阵列用...
    2026-05-09
  • 半导体器件及形成方法
    半导体器件及形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510874857.4
    本公开提供了半导体器件及形成方法。半导体器件的电介质层可被使用氧化处理工艺进行处理以调整电介质层的介电常数。例如，半导体器件的互连层中的蚀刻停止层(ESL)可以由高介电常数(高k)电介质材料形成，其为ESL提供了相对于互连层中的其他电介质层...
    2026-05-09
  • 半导体结构、制备方法、键合方法及半导体器件
    半导体结构、制备方法、键合方法及半导体器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610449908.3
    本申请涉及半导体技术领域，具体公开了一种半导体结构、制备方法、键合方法及半导体器件，半导体结构的制备方法包括：提供具有金属互联层的半导体衬底；在半导体衬底上形成介质层；刻蚀介质层以形成凹槽；在凹槽内共形形成吸气层后再填满保护层；刻蚀保护层、...
    2026-05-09
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