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最新专利技术
  • 一种含有手性多级结构的光热系统及其应用
    一种含有手性多级结构的光热系统及其应用_上海市第六人民医院_202411553052.1
    本发明涉及生物纳米材料技术领域，具体涉及一种偏振光调控手性多级结构光热系统及应用。手性材料可以选择性地吸收、散射或旋转特定偏振方向的光，因此可以用作偏振光调控器件，进一步构建了手性多级结构光热系统。由于采用水热反应形成手性多级结构光热系统，...
    2026-05-12
  • 基于激子空间扩散限制策略的高分辨超快闪烁体及其制备方法
    基于激子空间扩散限制策略的高分辨超快闪烁体及其制备方法_中山大学_202610101394.2
    本发明属于X射线成像技术领域，具体涉及基于激子空间扩散限制策略的高分辨超快闪烁体及其制备方法。本发明利用纳米通孔模板的空间限制作用，使PEA2PbBr4的维度由块体单晶降为均匀的一维纳米线，从而实现了X射线激发下体相激子的空间局域化。空间局...
    2026-05-12
  • 一种晶体生长装置
    一种晶体生长装置_眉山博雅新材料股份有限公司_202411566549.7
    本说明书实施例提供一种晶体生长装置，包括：坩埚，用于容纳晶体生长原料；籽晶托，至少部分籽晶托能够浸没于坩埚内的晶体生长原料形成的熔体中；籽晶托包括籽晶粘接面；支撑结构，连接籽晶托上与籽晶粘接面相对的一侧；其中，籽晶粘接面的中部设有粘接区域，...
    2026-05-12
  • 一种晶体生长装置
    一种晶体生长装置_眉山博雅新材料股份有限公司_202411566291.0
    本说明书实施例提供一种晶体生长装置，包括：坩埚，坩埚用于容纳晶体生长原料；籽晶托，至少部分籽晶托能够浸没于坩埚内的晶体生长原料形成的熔体中；籽晶托包括籽晶粘接面；支撑结构，连接籽晶托上与籽晶粘接面相对的一侧；冷却组件，冷却组件包括设于籽晶托...
    2026-05-12
  • 一种晶体生长装置及原料回收方法
    一种晶体生长装置及原料回收方法_眉山博雅新材料股份有限公司_202411566806.7
    本说明书实施例提供一种晶体生长装置及原料回收方法，该装置包括：坩埚，用于容纳晶体生长原料；籽晶托，至少部分籽晶托能够浸没于坩埚内的晶体生长原料形成的熔体中；籽晶托包括籽晶粘接面；第一支撑结构，连接籽晶托上与籽晶粘接面相对的一侧，第一支撑结构...
    2026-05-12
  • 一种磷酸氧钛钾晶体生长炉及其控制方法
    一种磷酸氧钛钾晶体生长炉及其控制方法_昆明理工大学_202610262639.X
    本发明属于晶体生长技术领域，具体公开了一种磷酸氧钛钾晶体生长炉及其控制方法，其中方法包括通过直流电机驱动籽晶旋杆实现恒定旋转，并通过连接座中的滚珠结构对籽晶旋杆的垂直度进行动态校正；利用提拉装置中的齿轮啮合传动和螺杆调节功能，实现籽晶旋杆的...
    2026-05-12
  • 一种用于长晶机导流筒与热场辅助配合的升降设备
    一种用于长晶机导流筒与热场辅助配合的升降设备_郑州合晶硅材料有限公司_202610013151.3
    本申请提供了一种用于长晶机导流筒与热场辅助配合的升降设备，包括沿炉盖周向等间隔设置的多个升降机构，每个升降机构均包括固定座和提升组件；固定座固定于炉盖上；升降机构至少为3个；提升组件包括驱动装置、转接块、与转接块连接的称重传感器和提升杆；称...
    2026-05-12
  • 一种基于氧碳含量反馈的晶转与埚转协同调控系统
    一种基于氧碳含量反馈的晶转与埚转协同调控系统_乐山新天源太阳能科技有限公司_202610212176.6
    本发明涉及技术领域，具体为一种基于氧碳含量反馈的晶转与埚转协同调控系统，属于单晶生长技术领域。针对现有技术缺乏多参数联动、调控无阶段针对性及无效果校验的缺陷，系统包括氧碳时序数据采集、氧碳特征提取、转向协同调控、转速参数修正及调控效果校验五...
    2026-05-12
  • 一种液相法碳化硅单晶生长系统及生长方法
    一种液相法碳化硅单晶生长系统及生长方法_粤港澳大湾区(广东)量子科学中心_202610224386.7
    本发明公开一种液相法碳化硅单晶生长系统及生长方法，包括：炉体；保温桶，位于炉体内；坩埚，位于保温桶内；发热体，位于炉体内并环绕在保温桶周围；可升降的籽晶杆，上端穿出炉体，下端与籽晶盘连接并可伸入坩埚中；雷达液位计，位于炉体顶部，其发出的微波...
    2026-05-12
  • 一种用于液相外延水平式碳化硅外延炉的基座传动装置
    一种用于液相外延水平式碳化硅外延炉的基座传动装置_诸暨晶氢新材料科技有限公司_202512023135.0
    本发明涉及一种用于液相外延水平式碳化硅外延炉的基座传动装置，包括传动组件，包括第一连杆、第二连杆和连接件，第二连杆的一端和第一连杆的一端均通过连接件可拆卸连接，连接件可带动第一连杆、第二连杆实现多角度偏转；旋转组件，包括第一轴、第一轴套、第...
    2026-05-12
  • 晶体生长装置及方法
    晶体生长装置及方法_江苏集芯先进材料有限公司_202610102424.1
    一种晶体生长装置及方法，装置：碳化硅热场体系设置在保温室中；支撑套筒下开口端搭接在坩埚体上开口端，且连接处的气体泄漏率位于设定泄漏范围一内；籽晶盖盖设在支撑套筒的上开口端，其上开设有过气孔；石墨帽和保温套上下分布；石墨帽罩设于支撑套筒的外部...
    2026-05-12
  • 一种制备8英寸低缺陷碳化硅单晶的PVT生长系统及工艺
    一种制备8英寸低缺陷碳化硅单晶的PVT生长系统及工艺_嘉兴南湖学院_202610237613.X
    本发明公开了一种制备8英寸低缺陷碳化硅单晶的PVT生长系统及工艺，涉及碳化硅单晶材料的制备与生长工艺技术领域，包括以下步骤：构建生长装置的三维模型，对加热单元、隔热组件和气流导向装置进行空间结构设计与参数设定，使热场结构在径向方向上呈环向对...
    2026-05-12
  • 一种基于脉冲电压放电制备Ag单原子修饰的In2O3单晶薄膜及其方法、气敏传感器
    一种基于脉冲电压放电制备Ag单原子修饰的In2O3单晶薄膜及其方法、气敏传感器_浙江大学温州研究院_202610197912.5
    本发明公开了一种基于脉冲电压放电制备Ag单原子修饰的In2O3单晶薄膜及其方法、气敏传感器，包括以下步骤：1)将衬底置于磁控溅射设备的真空腔体中，氧化铟靶材作为In源，通过磁控溅射工艺在衬底上生长得到氧化铟单晶薄膜；所述的衬底为氧化钇稳定氧...
    2026-05-12
  • 一种用于氢气检测的铝酸镧/钛酸锶纳米结构的制备方法
    一种用于氢气检测的铝酸镧/钛酸锶纳米结构的制备方法_德清县浙工大莫干山研究院_202610459484.9
    本发明属于薄膜传感器领域，公开了一种用于氢气检测的铝酸镧/钛酸锶纳米结构的制备方法，包括：先准备钛酸锶单晶衬底，在钛酸锶单晶衬底上脉冲激光沉积单晶外延铝酸镧薄膜，得到单晶外延铝酸镧/钛酸锶材料，再利用飞秒激光诱导单晶外延铝酸镧薄膜的表面形成...
    2026-05-12
  • 一种氧化镓外延的石英装置及其外延设备
    一种氧化镓外延的石英装置及其外延设备_中国电子科技集团公司第四十六研究所_202512049101.9
    本发明提供一种氧化镓外延的石英装置及其外延设备，涉及氧化镓外延技术领域。本发明能够通过将第一石英腔、第二石英腔及混气管道集成并设置于外延腔内部，利用通入的气态氯气与第一石英腔内碳族单质在腔体内直接反应生成碳族氯化物。外延腔内为高温环境，外延...
    2026-05-12
  • 一种常压生长的MOCVD反应器及薄膜生长方法
    一种常压生长的MOCVD反应器及薄膜生长方法_苏州中科重仪半导体材料有限公司_202610052466.9
    本发明涉及一种常压生长的MOCVD反应器及薄膜生长方法，属于半导体材料制备技术领域，解决了现有技术中水平进气的MOCVD反应器成型的薄膜前厚后薄、均匀性差、局部累积的问题。本发明包括反应室、进气组件和反应组件；反应组件设置于反应室的中心，进...
    2026-05-12
  • 一种通过调控温度梯度生长氮化物晶体的装置及方法
    一种通过调控温度梯度生长氮化物晶体的装置及方法_济南大学_202512050416.5
    本发明提供一种通过调控温度梯度生长氮化物晶体的装置及方法，属于半导体合成技术领域，包括低温反应区和高温结晶区，所述低温反应区和高温结晶区的外侧设有加热器，所述高温结晶区中构建有温度场，所述低温反应区设有第一进气管、第二进气管和反应舟，所述第...
    2026-05-12
  • 晶圆薄膜沉积机台及晶圆薄膜沉积系统
    晶圆薄膜沉积机台及晶圆薄膜沉积系统_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202411578491.8
    本发明提供了一种晶圆薄膜沉积机台及晶圆薄膜沉积系统，其中，所述晶圆薄膜沉积机台包括：反应腔，侧壁开设有第一传送口，第一传送口将反应腔的内部与外部导通；所述晶圆通过第一传送口进出所述反应腔；基座，设于所述反应腔内，用于承载晶圆；可移动的遮挡件...
    2026-05-12
  • 一种大尺寸单晶金刚石制备方法及其生长基台
    一种大尺寸单晶金刚石制备方法及其生长基台_浙江先导微电子科技有限公司_202512043289.6
    本发明公开了一种用于大尺寸单晶金刚石制备的生长基台及其制备方法。所述生长基台包括基座、主凹槽及位于主凹槽底部的副凹槽，其深度关系满足：副凹槽深度<籽晶厚度≤副凹槽深度+主凹槽深度。制备方法包括：S1.筛选籽晶；S2.进行籽晶克隆、分离与加工...
    2026-05-12
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_浜松光子学株式会社_202511616257.4
    本发明的技术问题在于，提供一种能够在由InP或InGaAsP构成的基板或半导体层和在其上生长的另外的半导体层的界面降低或去除Si原子的半导体器件的制造方法。本发明的制造方法是制造具备由InP或InGaAsP构成的第一半导体(2)、和设置于第...
    2026-05-12
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