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最新专利技术
  • 电池单元和加工设备
    电池单元和加工设备_一道新能源科技股份有限公司_202610407417.2
    一种电池单元和加工设备，涉及电池领域，电池单元包括多个背接触电池串和汇流组件，多个背接触电池串在第一方向上排布，每个背接触电池串具有电池片和沿第一方向延伸的焊带，焊带具有主体段和连接段，主体段设置在电池片上，连接段与主体段连接，汇流组件包括...
    2026-05-10
  • 光伏组件、光伏组件的制造方法和光伏组件的制造设备
    光伏组件、光伏组件的制造方法和光伏组件的制造设备_晶科能源(海宁)有限公司_202610400448.5
    本申请涉及一种光伏组件、光伏组件的制造方法和光伏组件的制造设备。光伏组件包括多个电池串，电池串包括沿第一方向布设的多个电池片；多个电池片包括第一电池片和第二电池片；第一电池片具有相对设置的第一直角边和倒角边；第二电池片具有相对设置的两个第二...
    2026-05-10
  • 电池组件及光伏系统
    电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202610194888.X
    本申请适用于光伏技术领域，提供了一种电池组件及光伏系统，包括多个电池串，多个所述电池串在第一方向上依次排列，多个所述电池串在所述第一方向上的设置宽度为第一宽度，每个所述电池串包括沿第二方向依次排列的多个电池片，每个所述电池片具有第一厚度，本...
    2026-05-10
  • 一种网格皮肤膜、制膜设备
    一种网格皮肤膜、制膜设备_正泰新能科技股份有限公司_202610162469.8
    本发明公开一种网格皮肤膜、制膜设备，应用于光伏技术领域，用于实现焊带与电池片的电连接，包括：多条纵向胶膜，沿所述焊带的长度方向间隔排布，相邻所述纵向胶膜之间形成镂空区；横向胶膜，连接于各所述纵向胶膜的端部；贴合时，所述纵向胶膜的中间区域压覆...
    2026-05-10
  • 光伏组件及光伏组件的制备方法
    光伏组件及光伏组件的制备方法_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202512015199.6
    本申请公开了一种光伏组件及光伏组件的制备方法，属于光伏组件技术领域。所述光伏组件包括电池片，所述电池片的表面设置有电极，所述电极包括第一浆料固化层；所述第一浆料固化层至少位于所述电极与所述电连接件的连接处；电连接件，所述电连接件与所述电极电...
    2026-05-10
  • 柔性汇流条及其制作方法和光伏组件
    柔性汇流条及其制作方法和光伏组件_深圳市华宝新能源股份有限公司_202411522285.5
    本发明提供了柔性汇流条及其制作方法和光伏组件，涉及光伏技术领域，在于解决已有的金属汇流条连接强度低，容易损坏的问题，柔性汇流条，包括：透光绝缘基体；透光导电层，透光导电层通过丝网印刷的方式印刷于透光绝缘基体上。本发明提供的柔性汇流条：基体和...
    2026-05-10
  • 曲面光伏瓦及其制造方法
    曲面光伏瓦及其制造方法_深圳市华宝新能源股份有限公司_202411543525.X
    本发明公开了一种曲面光伏瓦及其制造方法。方法包括：对至少一个完整电池片进行切割，得到多个平面电池片；将多个平面电池片电连接以形成平面电池整体；将平面电池整体布置在平面背板上以得到平面组件；将平面组件塑形得到曲面组件；将曲面组件与曲面面板层叠...
    2026-05-10
  • 光伏组件及光伏系统
    光伏组件及光伏系统_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202511935300.3
    本发明公开了一种光伏组件及光伏系统，光伏组件包括层压件，层压件包括汇流件、第二封装胶膜和背板，第二封装胶膜、背板上开设有引出孔，汇流件包括折弯部，折弯部贯穿引出孔；贯穿同一引出孔的折弯部套设有阻水结构，阻水结构包括层叠设置的第一金属阻水层和...
    2026-05-10
  • 一种具有CuSbSe2插层的硒化锑薄膜太阳能电池及其制备方法
    一种具有CuSbSe2插层的硒化锑薄膜太阳能电池及其制备方法_南京邮电大学_202610178134.5
    本发明公开一种具有CuSbSe2插层的硒化锑薄膜太阳能电池及其制备方法，属于薄膜太阳能电池制备技术领域；薄膜太阳能电池由下至上依次包括相互堆叠的：玻璃衬底、Mo金属电极层、CuSbSe2层、Sb2Se3层、CdS层、ITO层以及顶电极。通过...
    2026-05-10
  • 一种多结太阳电池及其制备方法
    一种多结太阳电池及其制备方法_扬州乾照光电有限公司_202610193119.8
    本申请提供了一种多结太阳电池及其制备方法，涉及太阳电池技术领域，该多结太阳电池包括第一结子电池和至少一个第二结子电池，第一结子电池包括Ge衬底、形核层、复合功能缓冲层。复合功能缓冲层包括第一功能层和第二功能层，第一功能层为InGaAs层，第...
    2026-05-10
  • 一种低动态电阻高浪涌能力的双向瞬态电压抑制器
    一种低动态电阻高浪涌能力的双向瞬态电压抑制器_江苏应能微电子股份有限公司_202610461489.5
    本发明提供一种低动态电阻高浪涌能力的双向瞬态电压抑制器，包括：重掺杂第一导电类型半导体衬底；设置于衬底上的第一外延层；设置于所述第一外延层上的导通调制埋层；设置于所述导通调制埋层上的第二外延层；设置于所述第二外延层上的重掺杂第一导电类型区；...
    2026-05-10
  • ESD保护器件及其制备方法
    ESD保护器件及其制备方法_上海芯导电子科技股份有限公司_202512005172.9
    本发明提供了一种ESD保护器件以及ESD保护器件的制备方法，通过位于衬底内的两个静电保护结构，静电保护结构包括：沿第一方向依次分布的N型阱区、P型阱区及N型阱区，N型阱区内具有沿第一方向邻接的第一N型重掺杂区和第一P型重掺杂区，P型阱区内具...
    2026-05-10
  • 一种新型高维持电压SCR结构及其制造方法
    一种新型高维持电压SCR结构及其制造方法_杰平方半导体(上海)有限公司_202411530077.X
    本发明公开了一种新型高维持电压SCR结构及其制造方法，属于半导体集成电路技术领域，该新型高维持电压SCR结构，包括第一导电类型衬底；第一导电类型阱区，设置在第一导电类型衬底中，第一导电类型阱区的一侧边缘设置有第二导电类型阱区；沟槽，横跨第一...
    2026-05-10
  • 一种芯片表面热应力分布更均匀的半导体器件
    一种芯片表面热应力分布更均匀的半导体器件_赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司_202610456902.9
    本发明提供一种芯片表面热应力分布更均匀的半导体器件，包括第一导电类型的衬底，衬底上沿纵向设有多排单元，每排沿横向设有多个单元，单元为活性单元、虚拟单元或虚拟栅极单元；活性单元、虚拟单元、虚拟栅极单元在横向和纵向上以任意比例排列；通过调整不同...
    2026-05-10
  • 显示面板和显示装置
    显示面板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202411547060.5
    本申请公开了一种显示面板和显示装置，显示面板包括衬底基板、薄膜晶体管层和屏蔽层；衬底基板具有显示区和非显示区；薄膜晶体管层位于衬底基板上，用于在非显示区形成栅极驱动电路；栅极驱动电路包括多个移位寄存器，移位寄存器包括多个薄膜晶体管，多个薄膜...
    2026-05-10
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202610156982.6
    一种半导体结构及其制备方法，所述制备方法包括：提供基底，包括第一外延层，所述基底包括用于形成二极管的二极管区和用于形成晶体管的晶体管区，所述二极管包括第一体区，所述晶体管包括第二体区；形成第一光刻胶层覆盖所述第一外延层，所述第一光刻胶层的图...
    2026-05-10
  • 堆叠晶体管及其制备方法、器件和电子设备
    堆叠晶体管及其制备方法、器件和电子设备_北京大学_202610036082.8
    本申请提供一种堆叠晶体管及其制备方法、器件和电子设备，该方法包括：在衬底上形成有源结构；在衬底上形成伪栅堆叠结构；伪栅堆叠结构包括环绕第一有源结构的第一伪栅结构、栅隔离层和环绕第二有源结构的第二伪栅结构；形成第一晶体管的第一源漏外延和第二晶...
    2026-05-10
  • 半导体元件及其形成的方法
    半导体元件及其形成的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202610025999.8
    本揭露提供半导体元件及其形成方法。一种例示性方法包括：在基板上方形成超晶格结构。超晶格结构包含通过绝缘层与下部部分分隔开的上部部分。绝缘层包含结晶金属氧化物。图案化超晶格结构以形成自基板突出的鳍片。在鳍片的第一部分上方形成虚设栅极堆叠。使鳍...
    2026-05-10
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202512011905.X
    提供了半导体结构。半导体结构包括：第一源极/漏极部件，位于第一鳍元件上方；第二源极/漏极部件，位于第二鳍元件上方；以及第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件，横跨第一鳍元件和第二鳍元件。半导体结构还包括：介电层，覆盖第二源极/漏极部件和第一源极/漏...
    2026-05-10
  • 一种SMT工艺的制造方法
    一种SMT工艺的制造方法_重庆芯联微电子有限公司_202511925423.9
    本发明提供了一种SMT工艺的制造方法，包括以下步骤：S1.提供待进行SMT工艺的衬底，衬底包括PMOS区域和NMOS区域，PMOS区域和NMOS区域中均形成有栅极结构和侧墙，以及覆盖栅极结构和侧墙的第一氧化层；S2.在NMOS区域表面形成拉...
    2026-05-10
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