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最新专利技术
  • 一种双原子催化剂复合的氢化镁储氢材料及其制备方法
    一种双原子催化剂复合的氢化镁储氢材料及其制备方法_北京航空航天大学_202511872779.0
    本发明公开了一种双原子催化剂复合的氢化镁储氢材料及其制备方法，所述储氢材料由作为主体材料的氢化镁和催化剂复合而成，所述催化剂为异核双金属原子负载于载体材料上所形成的双原子催化剂。所述制备方法包括：步骤1，制备所述双原子催化剂；步骤2，将所述...
    2026-05-11
  • 一种提升甲基环己烷催化剂脱氢性能的方法
    一种提升甲基环己烷催化剂脱氢性能的方法_中国石油大学(华东)_202610026241.6
    一种通过改变加热方式以提升甲基环己烷催化剂脱氢性能的方法。该方法利用电流通过具有一定电阻的蜂窝状碳化硅，使其直接发热，以此取代传统马弗炉通过空气和反应管壁进行间接传导的加热模式。这种加热方式的改变不仅提高了传热速率，而且因热传导路径的不同引...
    2026-05-11
  • 一种基于聚甲基硅氧烷孤立式凸起的大尺度超滑岛无损转移处理方法、装置和超滑微机电系统
    一种基于聚甲基硅氧烷孤立式凸起的大尺度超滑岛无损转移处理方法、装置和超滑微机电系统_深圳清力技术有限公司_202610146187.9
    本发明公开了一种基于聚甲基硅氧烷孤立式凸起的大尺度超滑岛无损转移处理方法、装置和超滑微机电系统，通过提供一种百微米级以上大尺度超滑岛的无损，无污染转移组装方法以及相应转移装置；所述超滑岛(采用单晶石墨/二硫化钼等二维材料制备)由微纳加工工艺...
    2026-05-11
  • 一种基于石墨烯PTFE复合材料的热致变形转移装置及方法
    一种基于石墨烯PTFE复合材料的热致变形转移装置及方法_南京迈塔光电科技有限公司_202512020475.8
    本发明涉及微纳制造技术领域，具体涉及一种基于石墨烯PTFE复合材料的热致变形转移装置及方法，基于石墨烯PTFE复合材料的热致变形转移装置包括基座、第一精密位移台、热沉、TEC模块、样品台、第二精密位移台和夹具；样品台顶部具有圆形凸台；将一个...
    2026-05-11
  • 一种面外电容式微机电加速度计的工艺加工方法
    一种面外电容式微机电加速度计的工艺加工方法_中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所_202511996854.4
    本发明提供一种面外电容式微机电加速度计的工艺加工方法，方法包括：S1、在TSV层的上表面键合硅电极层，对硅电极层进行干法刻蚀，得到独立的硅电极和密封环；在硅电极层上表面制备键合介质层；S2、在盖板层下表面键合结构层，在结构层下表面湿法刻蚀加...
    2026-05-11
  • 基于激光辅助的MCED电化学沉积方法及倾斜悬臂梁制备方法
    基于激光辅助的MCED电化学沉积方法及倾斜悬臂梁制备方法_西南科技大学_202610151853.8
    本发明公开了一种基于激光辅助的MCED电化学沉积方法及倾斜悬臂梁制备方法，包括：S1、通过COMSOL软件对MCED系统中玻璃微探针尖端进行激光辅助实验仿真，以获取不同激光参数下玻璃微探针尖端温度场变化与沉积速率的关联特性；S2、当MCED...
    2026-05-11
  • 一种MEMS陀螺仪键合方法及真空压力烧结炉
    一种MEMS陀螺仪键合方法及真空压力烧结炉_北京中科同志科技股份有限公司_202610090664.4
    本发明涉及芯片封装技术领域，提供一种MEMS陀螺仪键合方法，MEMS陀螺仪基材进入正压甲酸清洗腔体内，MEMS陀螺仪基材执行正压甲酸清洗步骤；MEMS陀螺仪基材进入等离子清洗机的真空腔体内，MEMS陀螺仪基材执行等离子活化步骤；MEMS陀螺...
    2026-05-11
  • 具有手性超结构的微机械测试器件、制备方法及应用
    具有手性超结构的微机械测试器件、制备方法及应用_钻晶圆有限公司_202610049282.7
    本发明公开了一种具有手性超结构的微机械测试器件的制备方法，涉及低维材料原位力学表征技术领域，对标准硅片正面进行光刻和深硅刻蚀，形成手性超结构的初始结构；低压化学气相沉积氮化硅层；对准关键结构区域，采用反应离子刻蚀去除对应位置的氮化硅层；再将...
    2026-05-11
  • 机电耦合微纳器件的制备方法及机电耦合微纳器件
    机电耦合微纳器件的制备方法及机电耦合微纳器件_中国科学院半导体研究所_202610033909.X
    本公开提供了一种机电耦合微纳器件的制备方法及机电耦合微纳器件，应用于微纳制造技术领域。该制备方法包括：在衬底的第一侧上形成器件结构层，器件结构层包括或预设有可动结构区域和固定结构区域；在器件结构层上固定与衬底对准的图形化的掩模，掩模的图形具...
    2026-05-11
  • MEMS芯片制造方法、芯片组、封装结构及电子设备
    MEMS芯片制造方法、芯片组、封装结构及电子设备_瑞声科技(新加坡)有限公司_202610032350.9
    一种MEMS芯片制造方法，包括：S1.提供基底，基底正面形成多个电容式MEMS结构，一个或者部分电容式MEMS结构的振膜上开设有连通振膜两侧的第一间隙和第二间隙的通气孔；S2.蚀刻基底的背面，形成与电容式MEMS结构一一对应的多个第一凹槽、...
    2026-05-11
  • 基于颗粒填充复合材料选择性去除的微结构表面制备方法
    基于颗粒填充复合材料选择性去除的微结构表面制备方法_浙江工业大学_202610020994.6
    本发明提供了一种基于颗粒填充复合材料选择性去除的微结构表面制备方法，该方法先根据基体的材料特性，选择并科学配比不同种类与粒径的固体颗粒，与结合剂一起均匀混合，再通过激光熔覆工艺在金属材料基体表面形成金属基复合层，通过热熔或光固化工艺在高分子...
    2026-05-11
  • 一种自支撑石墨烯阵列及其制备方法、应用和装置
    一种自支撑石墨烯阵列及其制备方法、应用和装置_松山湖材料实验室_202511899752.0
    本发明涉及悬空石墨烯薄膜材料技术领域，具体涉及一种自支撑石墨烯阵列及其制备方法、应用和装置。本申请提供一种自支撑石墨烯阵列的制备方法，包括如下步骤：S1，将带生长衬底的石墨烯薄膜置于刻蚀液中，刻蚀除去生长衬底，得到浮于刻蚀液表面的石墨烯薄膜...
    2026-05-11
  • 一种基于冰刻的纳米多孔结构加工方法
    一种基于冰刻的纳米多孔结构加工方法_西湖大学_202511899180.6
    本发明公开了一种基于冰刻的纳米多孔结构加工方法，包括：(1)在混合腔体按比例进行至少两种气态物质的混合，得到混合气体；(2)低温环境中在一表面上形成所述混合气体的冰膜；(3)在混合气体冰膜上进行电子束曝光；升温去除未曝光部分的混合冰膜，得到...
    2026-05-11
  • 一种对接触部位的接触表面平整化的方法、具有接触部位的器件
    一种对接触部位的接触表面平整化的方法、具有接触部位的器件_深圳清力技术有限公司_202411527757.6
    本申请涉及表面处理领域，公开了一种对接触部位的接触表面平整化的方法、具有接触部位的器件，方法包括：准备压块；压块的屈服极限大于接触部位上待平整接触表面的屈服极限，压块的目标表面的粗糙度小于目标粗糙度；利用压块拍打并按压待平整接触表面，压平待...
    2026-05-11
  • 一种微沟槽阵列的制备方法
    一种微沟槽阵列的制备方法_上海新微技术研发中心有限公司_202411526275.9
    本发明提供了一种微沟槽阵列的制备方法。该制备方法包括如下步骤：在硅基底的表面生长掩膜层；对所述掩膜层进行图案化处理；对所述硅基底进行腐蚀，以得到第一沟槽；在所述第一沟槽的表面形成保护层；去除所述掩膜层，并对未被所述保护层覆盖的硅基底表面进行...
    2026-05-11
  • 一种MEMS光学探头薄膜及其制备方法
    一种MEMS光学探头薄膜及其制备方法_上海工程技术大学_202610160257.6
    本发明公开了一种MEMS光学探头薄膜及其制备方法，薄膜包括：从上至下依次堆叠的金属铝功能层、SiN光学介电层、SiO2氧化隔离层、单晶硅衬底层、背面镍过渡层和银保护顶层。金属铝功能层的厚度为10‑30nm，SiN光学介电层的厚度为100‑5...
    2026-05-11
  • 具有等离子蚀刻圆齿纹的半导体封装
    具有等离子蚀刻圆齿纹的半导体封装_德州仪器公司_202511488513.6
    本申请涉及具有等离子蚀刻圆齿纹的半导体封装。在实例中，半导体封装(100)包含：衬底(102)，其包含第一开口(118)；第一半导体管芯(120)，其耦合到所述衬底且包含微机电系统MEMS膜(128)，所述第一半导体管芯包含具有多个凹口(1...
    2026-05-11
  • 微机电系统及其制备方法
    微机电系统及其制备方法_北京京东方传感技术有限公司_202411546320.7
    本公开是关于微机电系统及其制备方法，涉及微电子机械技术领域；该微机电系统包括衬底、支撑结构和第一密封结构，支撑结构设置在衬底的一侧，支撑结构与衬底之间具有多个第一腔室，支撑结构上具有导通孔，导通孔通过通道与各个第一腔室连通，导通孔在衬底上的...
    2026-05-11
  • 芯片封装结构和电子设备
    芯片封装结构和电子设备_广东奥迪威传感科技股份有限公司_202610117971.7
    本申请涉及一种芯片封装结构和电子设备，所述芯片封装结构，包括盖板、基板、框架板以及芯片组件；所述盖板、所述基板和所述框架板形成容置腔，所述芯片组件设置于所述容置腔内；所述芯片组件包括MEMS传感器、微控制器单元和信号放大单元；其中：所述盖板...
    2026-05-11
  • 一种可编程柔性热响应驱动器及其制备方法
    一种可编程柔性热响应驱动器及其制备方法_厦门理工学院_202610117968.5
    本发明公开了一种可编程柔性热响应驱动器及其制备方法。该驱动器包括层叠设置的柔性基底、变形约束层和电热驱动层。柔性基底具有较高的热膨胀系数；变形约束层具有较小的热膨胀系数，用于约束基底的热膨胀方向；电热驱动层能够通过焦耳热效应产生热能。关键在...
    2026-05-11
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