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最新专利技术
  • 一种用于玻璃幕墙清洗机器人的清洗头路径规划方法
    一种用于玻璃幕墙清洗机器人的清洗头路径规划方法_山东浩睿智能科技有限公司_202511673253.X
    本发明提供一种用于玻璃幕墙清洗机器人的清洗头路径规划方法，属于玻璃幕墙清洗机器人技术领域，本发明通过多光谱视觉传感器采集幕墙图像并利用概率图结构化预测模型识别污渍分布和预测能耗，根据污渍坐标划分清洗子区域并建立栅格地图，构建以底盘移动能耗最...
    2026-04-20
  • 一种活化过硫酸盐降解多环芳烃的负载腐殖酸生物炭材料的制备方法和应用
    一种活化过硫酸盐降解多环芳烃的负载腐殖酸生物炭材料的制备方法和应用_西北大学_202410118168.6
    一种活化过硫酸盐降解多环芳烃的负载腐殖酸生物炭材料的制备方法和应用，涉及多环芳烃污染修复技术领域。该负载腐殖酸生物炭的制备方法为：将制备的生物炭与一定浓度的腐殖酸混合，反应一定时间后离心冷冻干燥，即得到负载腐殖酸的生物炭。制得的修复剂保持了...
    2026-04-20
  • 堆叠式半导体装置
    堆叠式半导体装置_美光科技公司_202480056982.8
    本公开提供一种半导体装置组合件。所述半导体装置组合件包含：逻辑裸片；第一多个堆叠式存储器裸片，其与所述逻辑裸片电耦合；及第二多个堆叠式存储器裸片，其安装于所述第一多个堆叠式存储器裸片上并与其电耦合。第一介电材料安置于所述第一多个堆叠式存储器...
    2026-04-20
  • 包括将多个半导体裸片连接的垂直电连接的集成电路和包括其的电子装置
    包括将多个半导体裸片连接的垂直电连接的集成电路和包括其的电子装置_三星电子株式会社_202480058544.5
    根据一个实施例的处理芯片组件包括：第一裸片，所述第一裸片包括第一电路、第二电路以及连接到所述第一电路和所述第二电路的第一SERDES电路；第二裸片，所述第二裸片包括第三电路、第四电路以及连接到所述第三电路和所述第四电路的第二SERDES电路...
    2026-04-20
  • 包括具有互连块的基板的封装件
    包括具有互连块的基板的封装件_高通股份有限公司_202480057676.6
    一种基板，该基板包括：芯层；至少一个第一电介质层，该至少一个第一电介质层耦合到芯层的第一表面；至少一个第二电介质层，该至少一个第二电介质层耦合到芯层的第二表面；多个互连件，该多个互连件至少部分地位于至少一个第一电介质层中；区域，该区域包括互...
    2026-04-20
  • 层叠体及层叠体的制造方法
    层叠体及层叠体的制造方法_富士胶片株式会社_202480058512.5
    一种层叠体及层叠体的制造方法，该层叠体具备：第1再配线层，其具有第1绝缘图案和存在于第1绝缘图案的图案之间的第1导电图案，并且包括第1通孔结构作为第1导电图案；及第2再配线层，其具有第2绝缘图案和存在于第2绝缘图案的图案之间的第2导电图案，...
    2026-04-20
  • 半导体装置
    半导体装置_安斯泰莫株式会社_202380102155.3
    半导体装置具备多个上下臂电路体，多个上下臂电路分别具备：通过第1导体和第2导体夹着第1半导体元件而构成的第1电路体；以及通过第3导体和第4导体夹着第2半导体元件而构成的第2电路体，将第1电路体和第2电路体的配置方向设为第1方向，上下臂电路分...
    2026-04-20
  • 竖直取向部件堆叠及组件
    竖直取向部件堆叠及组件_京瓷AVX元器件公司_202480056144.0
    提供竖直取向部件堆叠、组件和方法。例如，竖直取向部件堆叠包括多个部件，该多个部件中的每个部件包括在竖直方向上与第二侧面相对的第一侧面。第一侧面和第二侧面均在纵向方向上从第一端面延伸至第二端面。每个部件具有形成在第一侧面上的第一外部端子和第二...
    2026-04-20
  • 半导体器件的顶层中的气隙
    半导体器件的顶层中的气隙_高通股份有限公司_202480056708.0
    公开了可在基板的正面上的顶部信号层和/或功率层中结合气隙的器件。另选地或作为其补充，气隙也可被结合在基板的背面上的信号层和/或功率层中。以这种方式，可减小器件的金属电容，从而提高诸如CPU的半导体电路的性能。
    2026-04-20
  • 背侧双向互连件
    背侧双向互连件_高通股份有限公司_202480057673.2
    公开了用于半导体结构的技术。在一方面，半导体结构包括栅极堆叠，该栅极堆叠包括在第一方向上偏移的第一栅极结构和第二栅极结构。该半导体结构包括与第一栅极结构相邻的第一源极/漏极(S/D)结构、与第二栅极结构相邻的第二S/D结构、与第一S/D结构...
    2026-04-20
  • 采用背面电源轨的栅极系紧单元
    采用背面电源轨的栅极系紧单元_高通股份有限公司_202480057671.3
    公开了利用背面电源输送方案的栅极系紧(GTD)单元，其中输送功率的金属线设置在管芯的背面上。背面电源可以通过S/D并且通过正面接触件被输送到栅极。因此，可以实现超低高度标准单元。还可以实现更高的面积缩放。此外，可以最大化性能和功率增益。
    2026-04-20
  • 电子部件
    电子部件_TDK株式会社_202480057345.2
    本发明的电子部件包含：基材，其具有主面；绝缘层，其配置于基材的主面，且具有开口部；导电层，其形成于绝缘层的开口部；及阻挡层，其覆盖导电层；其中，至少阻挡层的外表面的形状具有一个向上突出的山部。
    2026-04-20
  • 耦合到包括多孔部分的中介层的集成器件
    耦合到包括多孔部分的中介层的集成器件_高通股份有限公司_202480057085.9
    一种封装件，该封装件包括中介层，该中介层包括：硅基板，该硅基板包括多孔部分；和多个过孔互连件，该多个过孔互连件延伸穿过硅基板的多孔部分。该封装件包括第一集成器件，该第一集成器件通过第一多个焊料互连件耦合到中介层。
    2026-04-20
  • 低导通电阻高功率开关
    低导通电阻高功率开关_威电科技有限公司_202480055609.0
    一种电功率开关，功率开关包括：横向场效应(LFET)晶体管的行和列的阵列，每个晶体管具有源极、漏极和栅极；多个内部互连层，多个内部互连层包括被配置为连接晶体管以并联操作的金属化物；源电极和漏电极，用于分别将晶体管的源极和漏极连接到外部电路；...
    2026-04-20
  • 用于极紫外(EUV)光致抗蚀剂上的区域选择性沉积的方法
    用于极紫外(EUV)光致抗蚀剂上的区域选择性沉积的方法_东京毅力科创株式会社_202480058347.3
    本文披露了工艺和方法的实施例，这些工艺和方法利用极紫外(EUV)光刻和区域选择性沉积(ASD)工艺的组合以在半导体衬底上方形成的至少一个底层上形成EUV光致抗蚀剂图案。在所披露的实施例中，将光致抗蚀剂膜沉积在(多个)底层上并使用EUV光刻对...
    2026-04-20
  • 晶片载放台
    晶片载放台_日本碍子株式会社_202380014424.0
    晶片载放台10具备：陶瓷板20，其上表面具有晶片载放面22；冷却板30，其设置于陶瓷板20的下表面；冷媒流路32，其设置于冷却板30；以及隔热用孔40，其设置于冷却板30中的冷媒流路32的侧方，从冷却板30的下表面38到达顶部47，顶部47...
    2026-04-20
  • 用于支持向前开式晶圆传送盒内部供应氮气的吹扫板的制备方法及使用所述方法的计算设备
    用于支持向前开式晶圆传送盒内部供应氮气的吹扫板的制备方法及使用所述方法的计算设备_赛米提斯股份有限公司_202580001858.6
    公开了一种用于支持向前开式晶圆传送盒内部供应氮气的吹扫板的制备方法及使用所述方法的计算设备，所述制备方法包括以下步骤：(a)在预定平面上的四个部位提供固体材料后使用从预定刺激源供应的预定粘合剂生成第1粘合固体材料，或者将使用从所述预定刺激源...
    2026-04-20
  • 基板收纳容器
    基板收纳容器_未来儿股份有限公司_202380102256.0
    基板收纳容器具备：容器主体，收纳当俯视时具有至少一个角部的板状的基板(W)，在内部形成能够排列收纳基板(W)的基板收纳空间(27)，一端部具有形成有与基板收纳空间(27)连通的容器主体开口部的开口周缘部，另一端部被封闭；盖体，能够相对于容器...
    2026-04-20
  • 基板处理装置及基板处理方法
    基板处理装置及基板处理方法_株式会社斯库林集团_202480058786.4
    基板处理装置(1)具备：水流路，其将水向基板(W)引导；及溶剂流路(33x)，其将作为表面张力较水低的液体的有机溶剂向基板(W)引导。水流路包含具有凹部(72u)与凸部(72h)的凹凸面(72)，该凹部(72u)的至少一部分充满空气，该凸部...
    2026-04-20
  • 基板处理装置以及基板处理方法
    基板处理装置以及基板处理方法_株式会社斯库林集团_202480057984.9
    本申请说明书中公开的技术是在基板处理中抑制对电解池造成损伤的技术。与本申请说明书中公开的技术相关的基板处理装置具有基板处理部、供给罐、生成部、回收部、向供给罐供给由生成部生成的处理液的第一供给路径、以及向回收部供给由生成部生成的处理液的第二...
    2026-04-20
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