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最新专利技术
  • 感应加热装置及其控制方法
    感应加热装置及其控制方法_三星电子株式会社_202480064302.7
    根据所公开的发明的一方面的一种感应加热装置可以包括：第一加热部，包括一个加热线圈；第二加热部，包括内部加热线圈及外部加热线圈；以及控制部，控制所述第一加热部及所述第二加热部的操作，其中，所述一个加热线圈的最大输出频率可以被设定为高于所述内部...
    2026-05-08
  • 加热线圈组件、具有该加热线圈组件的家用电器及其制造方法
    加热线圈组件、具有该加热线圈组件的家用电器及其制造方法_LG电子株式会社_202480059451.4
    本发明涉及一种加热线圈组件、具有该加热线圈组件的家用电器及其制造方法。本发明包括由竖直堆叠的多层导体形成的加热线圈，其中，所述加热线圈的水平外部形状是多边形。因此，抑制了加热线圈的水平尺寸的增加，同时增加了加热线圈的每匝的图案截面面积，并且...
    2026-05-08
  • 用于电介质加热的振荡器单元-测量介电材料的耗减
    用于电介质加热的振荡器单元-测量介电材料的耗减_菲利普莫里斯生产公司_202480063492.0
    本发明涉及一种气溶胶生成装置，并且具体涉及一种用于以电介质方式加热气溶胶形成制品的气溶胶形成基质的气溶胶生成装置。所述气溶胶生成装置包括电源；以及振荡电路，所述振荡电路包括：开关单元；以及谐振振荡反馈电路，所述谐振振荡反馈电路连接在所述开关...
    2026-05-08
  • 点亮电路以及车辆用灯具
    点亮电路以及车辆用灯具_株式会社小糸制作所_202480062830.9
    本发明具备：驱动电路，其对光源供给驱动电流；以及控制电路，其包含存储部，并控制所述驱动电路，在所述存储部存储有与增光模式的所述驱动电流相关的第一信息和与第一减光模式的所述驱动电流相关的第二信息，其中，增光模式使熄灭后的所述光源的明亮度逐渐变...
    2026-05-08
  • 呈现与用户所定义光设置相似的系统所定义光设置
    呈现与用户所定义光设置相似的系统所定义光设置_昕诺飞控股有限公司_202480063517.7
    一种控制一个或多个照明设备以呈现系统所定义光设置的方法，包括：获得(101)系统所定义光设置和用户所定义光设置，所述系统所定义光设置被定义在系统所存储光场景中；确定(103)所述用户所定义光设置与所述系统所定义光设置之间的相似度或者所述用户...
    2026-05-08
  • 导电部件
    导电部件_松下知识产权经营株式会社_202480059753.1
    导电部件包括基板(2)、第一布线部(10)以及第二布线部(20)，基板(2)具有第一层(4)和层叠在第一层(4)之上的第二层(5)，第一布线部(10)设置在第一层(4)，第二布线部(20)设置在第二层(5)。在第一层(4)设置有第一槽部(6...
    2026-05-08
  • 电子器件中的金属-有机界面的经改善的粘附强度
    电子器件中的金属-有机界面的经改善的粘附强度_美商耀德系统股份有限公司_202480063925.2
    改善电子器件中的金属‑有机界面的粘附性的方法，包括提供具有金属结构的基材，处理所述金属结构的表面以在所述表面上形成所选择的化学成分的单层涂覆物，以及，用有机材料涂覆经处理的表面。
    2026-05-08
  • 通气部件
    通气部件_日东电工株式会社_202480063973.1
    本发明提供适于提高将插入部向壳体的开口部插入时的插入部的弹性变形的容易度的通气部件。本发明的通气部件(10)具备支承体(4a)及通气膜(2)。支承体(4a)包括支承通气膜(2)的基座部(11)及腿部(12)。腿部(12)具有多个插入部(21...
    2026-05-08
  • 浸没式冷却设备
    浸没式冷却设备_美国陶氏有机硅公司_202380102955.5
    一种浸没式冷却设备，其包括1)热交换器(50)，2)容纳浸没式冷却剂和发热装置的罐(10)，和3)用于使浸没式冷却剂在罐(10)和热交换器(50)之间再循环的部件，其中浸没式冷却剂(30)的特征在于式(1)的化合物：其中每个R和x在本文中定...
    2026-05-08
  • 吸嘴管理装置
    吸嘴管理装置_株式会社富士_202380102810.5
    吸嘴管理装置具备：检查部，对元件安装机中使用的吸嘴进行检查；不良品收容部，能够将由所述检查部判定为不良的多个吸嘴收容于内部的收容空间；以及通知部，根据收容状况而向外部进行通知，所述收容状况表示所收容的多个吸嘴在收容空间中所占的比例。
    2026-05-08
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社半导体能源研究所_202480063630.5
    提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置、可靠性高的半导体装置、功耗低的半导体装置或工作速度快的半导体装置。该半导体装置包括：包括第一导电层至第三导电层、第一氧化物半导体层以及电荷存储层的第一晶体管；包括第四导电层、第五导电层以及第二氧...
    2026-05-08
  • 半导体装置及存储装置
    半导体装置及存储装置_株式会社半导体能源研究所_202480063695.X
    提供一种新颖的半导体装置。该半导体装置包括第一至第三晶体管、第一电容器以及第二电容器，第一至第三晶体管都包括栅极、第一端子以及第二端子，第一晶体管的第一端子与第一电容器的第一电极、第三晶体管的栅极电连接，第二晶体管的第一端子与第一晶体管的第...
    2026-05-08
  • 包括波状漏极选择层级隔离结构的存储器设备及其形成方法
    包括波状漏极选择层级隔离结构的存储器设备及其形成方法_桑迪士克科技股份有限公司_202580005065.1
    一种三维存储器设备包括：绝缘层与导电层的交替堆叠；存储器开口，该存储器开口竖直延伸穿过交替堆叠；存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构位于存储器开口中；和漏极选择层级隔离结构，该漏极选择层级隔离结构竖直延伸穿过交替堆叠内的层的子集，并且大...
    2026-05-08
  • 三维存储器件及三维存储器件的制造方法
    三维存储器件及三维存储器件的制造方法_长江存储科技有限责任公司_202480003304.5
    公开了一种三维(3D)存储器件以及该3D存储器件的制造方法。在某些方面中，所公开的3D存储器件可以包括：存储区域；位于两个相邻的存储区域之间的间隔区域，其中，所述间隔区域包括：电介质堆叠体；以及沿垂直方向延伸穿过电介质堆叠体的导电结构；以及...
    2026-05-08
  • 集成三维电荷耦合器件存储器中的字线接触方案
    集成三维电荷耦合器件存储器中的字线接触方案_IMEC非营利协会_202480062585.1
    本公开涉及电荷耦合器件(CCD)存储器。具体地，本公开提供了用于三维(3D)集成CCD存储器的设计和接触方案，该三维集成CCD存储器可以是多相CCD存储器。该3D CCD存储器包括堆叠，该堆叠包括沿着第一方向以一个在另一个之上的方式交替布置...
    2026-05-08
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480063473.8
    提供一种能够实现微型化的晶体管。半导体装置包括晶体管以及第一绝缘层。晶体管包括第一导电层、第二导电层、第三导电层、半导体层及第二绝缘层。第一绝缘层具有到达第一导电层且其上部很窄的第一开口。第二导电层位于第一绝缘层上。半导体层具有与第一导电层...
    2026-05-08
  • 柱状沟槽型功率MOSFET及其形成方法
    柱状沟槽型功率MOSFET及其形成方法_华为技术有限公司_202380102841.0
    MOSFET(100)包括：有源区(101)，其中，所述有源区(101)形成在漂移区(102)上；栅极沟槽(105)，其中，所述栅极沟槽(105)形成在所述有源区(101)中并延伸到所述漂移区(102)中，所述栅极沟槽(105)填充有栅电极...
    2026-05-08
  • 激光照射装置、激光照射方法和用于制造化合物半导体器件的方法
    激光照射装置、激光照射方法和用于制造化合物半导体器件的方法_JSW阿克迪纳系统有限公司_202380102687.7
    根据本实施方式的激光照射装置(1)是如下激光照射装置，其构造成能够进行激光照射以形成在由化合物半导体形成的晶圆上形成的半导体器件的背电极，所述激光照射装置(1)包括：准分子激光光源，其构造成能够产生激光；光学系统(20)，其构造成能够用所述...
    2026-05-08
  • 半导体装置及电子设备
    半导体装置及电子设备_索尼集团公司_202480063878.1
    [问题]为了实现微小型化和耐压性。[解决方案]该半导体装置包括：半导体基板，具有第一扩散区；第一晶体管，具有设置在半导体基板上方的第一栅极；第二晶体管，具有设置在半导体基板上方的第二栅极，并且该第二晶体管与第一晶体管共用第一扩散区；以及硅化...
    2026-05-08
  • 半导体装置
    半导体装置_富士电机株式会社_202580004908.6
    提供一种能够用1个芯片实现电阻和电容的半导体装置。具备：半导体基板(1)；下层绝缘膜(2)，其设置在半导体基板(1)的上表面侧；电阻层(3)，其设置在下层绝缘膜(2)的上表面侧；层间绝缘膜(4)，其设置在下层绝缘膜(2)及电阻层(3)的上表...
    2026-05-08
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