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最新专利技术
  • 具有降低空间电荷效应的金属屏蔽的电子器件及其制造方法
    具有降低空间电荷效应的金属屏蔽的电子器件及其制造方法_意法半导体国际公司_202511485703.2
    本发明涉及具有降低空间电荷效应的金属屏蔽的电子器件及其制造方法。一种半导体裸片包括半导体衬底和在半导体衬底上延伸的介电层。高压模块在半导体衬底上延伸。金属保护环延伸到介电层中并且完全环绕高压模块。裸片进一步包括延伸到保护环的外部的至少一个电...
    2026-05-01
  • 一种用于芯片表面构建电磁屏蔽铜薄膜的方法
    一种用于芯片表面构建电磁屏蔽铜薄膜的方法_广东工业大学_202511878797.X
    一种用于芯片表面构建电磁屏蔽铜薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：S100、将铜盐与还原剂按一定质量比混合并进行匀质处理，制得铜前驱体油墨；S200、将所述铜前驱体油墨沉积于芯片表面形成油墨层；S300、对所述油墨层进行烧结处理，形成致密...
    2026-05-01
  • 一种抗辐照大电流SiC器件封装结构
    一种抗辐照大电流SiC器件封装结构_重庆大学_202610060709.3
    本发明公开了一种抗辐照大电流SiC器件封装结构，属于功率半导体封装技术领域。其包括至少两个子单元模块、微型共模电感、互连铜柱及环形流道散热器；子单元模块含上下半桥臂与并联SiC MOSFET芯片，微型共模电感集成于驱动回路，互连铜柱连接子单...
    2026-05-01
  • 一种抗电磁干扰的多芯片堆叠封装结构及其制备方法
    一种抗电磁干扰的多芯片堆叠封装结构及其制备方法_广东长兴半导体科技有限公司_202610326671.X
    为克服现有3D堆叠封装芯片存在芯片间电磁干扰和散热不良的问题，本发明提供了一种抗电磁干扰的多芯片堆叠封装结构及其制备方法，多芯片堆叠封装结构包括芯片载板、第一芯片、第二芯片、封装胶层和复合磁屏蔽片，所述第一芯片位于所述芯片载板上，所述复合磁...
    2026-05-01
  • 一种通过静电屏蔽提升铁电存储器读写操作可靠性的方法
    一种通过静电屏蔽提升铁电存储器读写操作可靠性的方法_复旦大学_202511949391.6
    本发明属于铁电存储器件技术领域，具体为一种通过静电屏蔽提升铁电存储器读写操作可靠性的方法。本发明是在铁电存储器的铁电材料与电极界面区域引入静电屏蔽导电结构，以加快界面层电荷注入速度，降低铁电退极化场，实现铁电存储器在快速操作过程中正负写电压...
    2026-05-01
  • 用于芯片的过流保护开关和芯片
    用于芯片的过流保护开关和芯片_深圳奥简科技有限公司_202511913411.4
    本申请提供了一种用于芯片的过流保护开关和芯片，该过流保护开关包括：第一加热件、限流件和第二加热件，第一加热件用于连接输送电流的第一电极；限流件上设置第一加热件，限流件的有效宽度的范围为0.5μm‑10μm，限流件的有效长度的范围为：1μm‑...
    2026-05-01
  • 一种带铜引脚陶瓷基板的制作方法
    一种带铜引脚陶瓷基板的制作方法_江苏瀚思瑞半导体科技有限公司_202511954494.1
    本发明公开了一种带铜引脚陶瓷基板的制作方法，包括如下步骤：S1，无氧铜箔超声清洗，后续进行粗化处理；S2，通过蚀刻、冲压或者激光切割的方式，去除无氧铜箔表面的对应区域，形成多个窄铜条作为铜引脚的图形化结构；S3，在陶瓷基片上预先形成镂空区域...
    2026-05-01
  • 一种嵌入式异质芯片混合系统级封装的制作方法
    一种嵌入式异质芯片混合系统级封装的制作方法_苏州亿麦矽半导体技术有限公司_202511999477.X
    本发明公开了一种嵌入式异质芯片混合系统级封装的制作方法，包括以下步骤：S1，制备基板，利用介电材料制备多层封装基板结构，且多层封装基板内部和表面设有金属线路，多层封装基板中嵌设有有铜柱；S2，设置金属罩，在多层封装基板表面设置金属罩；S3，...
    2026-05-01
  • 磁控式防倾斜铜针结构及其封装工艺
    磁控式防倾斜铜针结构及其封装工艺_北京紫亦芯集成电路有限公司_202610005016.4
    本发明公开了一种磁控式防倾斜铜针结构及其封装工艺，包括以下步骤：S1、提供多个铜针，每一所述铜针的一端形成有一铁磁性金属层；S2、在基板上的焊点处形成锡膏层；S3、在施加一第一磁场的环境中，将所述铜针转移至所述基板上，使所述铜针以其设有所述...
    2026-05-01
  • 封装器件及其形成方法
    封装器件及其形成方法_江阴长电先进封装有限公司_202610010407.5
    本发明涉及一种封装器件及其形成方法。所述封装器件的形成方法，包括如下步骤：形成封装体，所述封装体包括相对分布的第一主面和第二主面，且所述封装体包括芯片以及塑封所述芯片的主塑封层，且所述芯片暴露于所述封装体的所述第一主面；于所述封装体的所述第...
    2026-05-01
  • 封装结构及其封装方法
    封装结构及其封装方法_长电科技(江阴)有限公司_202610020402.0
    本发明提供一种封装结构及其封装方法，所述封装方法包括如下步骤：提供基板，所述基板包括绝缘边筋区域以及被所述绝缘边筋区域包围的导电功能区域；于所述导电功能区域正面形成封装组件；于所述绝缘边筋区域背面形成背面导电层，所述背面导电层与所述导电功能...
    2026-05-01
  • 一种封装基板及其制备方法
    一种封装基板及其制备方法_上海美维科技有限公司_202610067499.0
    本发明提供一种封装基板及其制备方法，封装基板的制备方法包括步骤：提供一合金芯板层，合金芯板层包括相对设置的第一面及第二面，合金芯板层在20 ℃~300 ℃温度范围内的热膨胀系数小于5.6 ppm/℃，弯曲强度范围是400 MPa~700 M...
    2026-05-01
  • 一种提升COF载带线路铜厚的生产方法
    一种提升COF载带线路铜厚的生产方法_合肥颀材科技有限公司_202610115098.8
    本发明公开了一种提升COF载带线路铜厚的生产方法，包括：提供铜箔，依次进行的涂布、曝光、显影、蚀刻、Ni/Cr刻蚀、PI刻蚀、微蚀、除胶和镀锡和阻焊印刷步骤；其中，所述微蚀的步骤包括：对铜线路进行微蚀，使得Ni/Cr层线路的宽度大于铜线路的...
    2026-05-01
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_上海先封科技有限公司_202511857447.5
    一种封装结构及其形成方法，其中方法包括：提供临时载板；在所述临时载板上形成临时键合层；在所述临时键合层上形成重布线层；在所述重布线层的切割道区域形成切割开口，所述切割开口的侧壁呈阶梯形貌；基于所述切割开口对所述临时键合层和所述临时载板进行切...
    2026-05-01
  • 一种芯片封装基座结构及成型方法
    一种芯片封装基座结构及成型方法_东莞市佑普精密五金有限公司_202512026004.8
    本发明属于芯片封装技术领域，尤其涉及芯片封装基座结构及成型方法，包括包括第一连接组件、第二连接组件和第三连接组件；第一连接组件包括多个第一导电板，第一导电板的一端形成第一连接端，第一连接板包括有第一竖直部，第一翻折部和第一基板；第二连接组件...
    2026-05-01
  • 一种微电子组件的低空洞封装方法及微电子组件
    一种微电子组件的低空洞封装方法及微电子组件_上海快贴电子有限公司_202512051979.6
    本申请涉及封装技术领域，公开了一种微电子组件的低空洞封装方法及微电子组件，方法包括步骤：S1、提供封装基板；S2、制备具有第一活性等级的锡膏；S3、将制备的锡膏均匀涂覆在封装基板互联焊盘上；S4、将电子元件贴装于封装基板的内部互联焊盘上；S...
    2026-05-01
  • 一种具有支撑筋结构的引线框架、集成电路和电子设备
    一种具有支撑筋结构的引线框架、集成电路和电子设备_天水华天科技股份有限公司_202610012727.4
    本发明公开了一种具有支撑筋结构的引线框架、集成电路和电子设备，本发明涉及IC制造半导体封装技术领域，是一种高压隔离电路封装件，一种引线框架包括：至少一个基岛，每一个所述基岛布置一个芯片；多条第一引线；多个内引脚，其通过所述第一引线与所述芯片...
    2026-05-01
  • 一种氮化镓功率器件封装结构与电子设备
    一种氮化镓功率器件封装结构与电子设备_嘉盛半导体(苏州)有限公司_202610082544.X
    本发明提出一种氮化镓功率器件封装结构与电子设备，包括主体结构，主体结构包括：基板，基板包括中央焊盘区及其对应的多个互连外引脚，基板还包括相对于中央焊盘区独立设置的第一独立外引脚、第二独立外引脚；并排粘贴于中央焊盘区的DBC陶瓷基板和氮化镓芯...
    2026-05-01
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_长电科技(江阴)有限公司_202610100453.4
    本发明涉及一种封装结构及其形成方法。所述封装结构包括：引线框架，包括基岛以及位于所述基岛的外侧的引脚，所述基岛包括相对分布的正面和背面，所述引脚沿垂直于所述基岛的正面的方向延伸；第一芯片，贴装于所述基岛的正面上，且所述第一芯片与所述引脚电连...
    2026-05-01
  • 一种QFN半导体器件的引脚结构、加工方法以及应用
    一种QFN半导体器件的引脚结构、加工方法以及应用_南京矽邦半导体有限公司_202610102244.3
    本申请涉及一种QFN半导体器件的引脚结构、加工方法以及应用，其涉及半导体器件领域，其包括QFN半导体器件的引脚，引脚上开设有贯穿底面和侧端面的导料槽，使得锡料能够填充至导料槽；加工方法为在引线框架的引脚部位的底面加工出连接槽，引线框架的切割...
    2026-05-01
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