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  • 公开了避免侧泵热退偏的激光放大器及方法。根据示例性实施例,一种激光放大器,包括:矢量偏振转化器件,用于将线偏振光转化为单一矢量偏振态的光;以及侧泵模块,用于放大射入侧泵模块的光。本公开提出的技术方案通过偏振转化器件让模块内同时只有一种矢量偏...
  • 一种自适应抑制受激布里渊散射的方法、系统及激光器,该方法包括:基于信号集合中的第一相位调制信号对目标激光进行相位调制得到优化激光;获取当前系统状态下该优化激光的回返光信号,计算第一相位调制信号的第一目标函数的值,第一目标函数的值与第一预设优...
  • 本申请属于激光放大技术领域,提供了一种光路四次复用碟片激光多通放大器,包括:碟片晶体,用于实现激光放大;种子光源,用于提供具有第一偏振态的待放大种子激光;第一变换组件,配置为不改变沿第一方向通过第一变换组件激光的偏振态,改变沿相反的第二方向...
  • 本发明公开了一种基于时间塔尔博特效应的量子点光频梳重频倍增系统和方法,包括量子点光频梳源和Talbot色散调控器;光频梳源产生重复频率为的输入光频梳;色散调控器根据预设的整数倍增因子N,计算并施加满足分数阶时间Talbot相位条件的目标总二...
  • 本说明书公开了一种双路激光器控制系统及双路激光器,涉及激光器控制技术领域。系统包括控制器、温度控制组件及能量控制组件。温度控制组件包括相互独立的泵浦舱温控模块、第一输出舱温控模块、第二输出舱温控模块,能量控制组件包括第一控能模块、第二控能模...
  • 本申请公开一种时域错峰放大的系统及其方法,属于光学放大技术领域。系统首先通过时域错峰模块将输入的单个激光脉冲序列在时域上分解为两个具有预定时间延迟的子脉冲序列;然后使这些子脉冲序列依次通过同一共用放大模块的同一增益区域进行顺序放大,以降低放...
  • 本申请涉及光学测量技术领域,尤其涉及一种超稳腔零膨胀温度的检测方法及系统,通过边带调制技术,将激光束的右边带锁定在目标法布里‑珀罗腔的第m+1个基横模,同时将经预设频率移频的左边带锁定在第m个基横模上,规避了传统方案中TEM00模与TEM0...
  • 本申请涉及超快激光技术领域,公开一种双晶体再生放大系统。包括光学谐振腔,光学谐振腔内采用两块Yb : KGW晶体作为增益介质,种子脉冲在光学谐振腔内往返振荡时每次循环均相继穿过两块Yb : KGW晶体,从两块Yb : KGW晶体共同提供的增...
  • 本发明公开了一种多模块脉冲激光器系统、制备方法、设备和系统,多模块脉冲激光器系统中,光源模块包括n个激光单元,用于输出脉冲激光;n≥2且为整数;控制模块控制n个激光单元对应的n个出光时序;延时补偿模块包括n个无源光纤,各无源光纤的输入端分别...
  • 本发明涉及半导体激光器技术领域,具体公开了一种激光器的波长标定方法,包括:获取训练数据集,所述训练数据集包括第一左栅电流数据集、第一右栅电流数据集和第一波长数据集;建立映射模型,所述映射模型的输入为所述第一左栅电流数据集和所述第一右栅电流数...
  • 本申请公开一种半导体激光设备及光斑能量分布调节方法,半导体激光设备包括激光器、调节透镜、成像透镜、成像件;调节透镜、成像透镜、成像件沿着第一直线方向依次间隔布设。调节透镜具有进光侧和出光侧。进光侧设有第一微透镜阵列,第一微透镜阵列具有阵列布...
  • 本申请提供了一种激光器和激光系统,涉及光电技术领域,该激光器包括衬底、脊波导、第一子部、两个第二子部、两个侧墙和支撑体。其中,第一子部内部开设有通道,且第一子部的朝向衬底的一侧表面开设开窗,开窗与通道相通;第二子部的远离第一子部的表面开设有...
  • 本发明涉及一种半导体芯片直冷结构及其应用。该结构包括壳体和设置在壳体上的流道及热沉,在壳体两端设置有进水口和出水口,所述流道与进水口、出水口相连,在热沉上设置有通孔,热沉通过通孔与流道连通,所述半导体芯片固定在热沉上并将其密封。冷却液从进水...
  • 本发明提供一种高速激光器芯片及其制备方法,涉及激光器技术领域。制备方法包括:在外延片表面生长出掩膜层;将单台脊波导图形转移到掩膜层中;通过干法刻蚀在外延片表面形成单台脊波导图形,对形成有初步单台脊波导图形的外延片进行湿法腐蚀,制备出单台脊波...
  • 本发明公开了一种激光器驱动电路,包括光耦、可编程定时单元、LD驱动芯片、MCU芯片和LD负载,其中MCU芯片向可编程定时单元传输时钟信号和输出信号的脉宽数据信号,光耦的输入端连接外触发信号,光耦输出端连接可编程定时单元,可编程定时单元分别输...
  • 本发明涉及半导体激光器技术领域,具体为一种基于金属光栅PZT薄膜的可调波长外腔激光器,包括激光增益芯片;PZT薄膜光波导,设置在激光增益芯片的左侧且与激光增益芯片的左端面抵接;HR高反射膜,镀设在PZT薄膜光波导的左端面;AR抗反射膜,镀设...
  • 本发明涉及半导体激光器技术领域,具体为一种基于金属光栅PZT薄膜的可调ECL半导体激光器,包括激光增益芯片;PZT薄膜光波导,设置在激光增益芯片的右侧且与激光增益芯片的右端面抵接;HR高反射膜,镀设在激光增益芯片的左端面;AR抗反射膜,镀设...
  • 本发明涉及半导体激光器技术领域,具体为一种360度全景固态圆盘形DFB激光器,包括:衬底;激光量子阱增益层,设置在所述衬底的上端面;环形DFB光栅,刻蚀在所述激光量子阱增益层的上部波导层;上包层,通过半导体二次外延法构建在所述环形DFB光栅...
  • 本发明提供一种VCSEL结构及其制备方法,通过在主氧化层上表面上的较低铝组分的AlGaAs层中引入磷元素形成AlGaAsP层,主动控制主氧化层与AlGaAsP层界面的开裂,提前释放应力,解决了现有技术中氧化层氧化后产生的尖端应力导致可靠性失...
  • 本发明提供一种垂直腔面发射激光器及其制作方法与横向电流控制方法,该制作方法通过在光学有源层四周形成介质膜与侧方电极层,构造了侧方电极层‑介质膜‑光学有源层结构,具有类似于MOS结构的电流控制功能,可大幅抑制VCSEL的横向电流,并使得光学与...
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