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最新专利技术
  • 一种茯苓深耕种植装置
    一种茯苓深耕种植装置_靖州华亿茯苓科技有限公司_202610447483.2
    本发明涉及深耕种植设备技术领域，公开了一种茯苓深耕种植装置，包括牵引架以及转动连接于牵引架后侧的安装架，所述牵引架前侧固定安装有用于监测石块的探地雷达，所述牵引架与安装架两侧之间均设有限位组件，所述安装架上设有多个深耕组件；所述深耕组件包括...
    2026-05-08
  • 复合振动式鼠道犁
    复合振动式鼠道犁_东北农业大学_202610354470.0
    本发明公开了一种复合振动式鼠道犁，属于农用机械领域，包括机架、动力源、悬挂避震组件、犁柄、犁头、软轴和鼠道挤塑器。犁柄上端通过悬挂避震组件与机架弹性连接，下端连接有犁头。犁头内通过轴承支承有带偏心块的转轴，软轴一端与转轴驱动连接，另一端与动...
    2026-05-08
  • 一种电场辅助制备ZIF-8/MXene光催化纳滤膜的方法与应用
    一种电场辅助制备ZIF-8/MXene光催化纳滤膜的方法与应用_井冈山大学_202610250252.2
    本发明涉及纳滤膜技术领域，且公开了一种电场辅助制备ZIF-8/MXene光催化纳滤膜的方法及应用，旨在解决现有技术中存在多元异质复合材料在电场驱动下容易因性质差异导致共沉积界面随机、结构无序的缺点，先将ZIF-8在MXene表面原位生长形成...
    2026-05-08
  • 电路基板的制造方法及电路基板
    电路基板的制造方法及电路基板_株式会社力森诺科_202380097706.1
    本发明提供一种电路基板的制造方法，在该电路基板的制造方法中，首先，准备玻璃层叠体(10)，其作为封装基板的核心基板而具有包括第1表面(10a)的第1外侧玻璃层(11)和在与第1表面(10a)相反的一侧接合于第1外侧玻璃层(11)的第1内侧玻...
    2026-05-08
  • 基于线接合的中介层连接结构
    基于线接合的中介层连接结构_高通股份有限公司_202480062716.6
    在一方面，一种集成电路(IC)封装件包括：基部结构；IC组件，该IC组件设置在基部结构上；多个中介层连接结构，该中介层连接结构设置在基部结构上；以及中介层结构，该中介层结构设置在IC组件和多个中介层连接结构上方。多个中介层连接结构被配置为连...
    2026-05-08
  • 超薄膜、超薄膜形成方法、通过该超薄膜制备的半导体基板及半导体器件
    超薄膜、超薄膜形成方法、通过该超薄膜制备的半导体基板及半导体器件_秀博瑞殷株式公社_202480062565.4
    本发明涉及一种超薄膜、超薄膜形成方法、包括其的半导体基板及半导体器件，本发明具有提供一种超薄膜、超薄膜形成方法、形成剂、包括其的半导体基板及半导体器件的效果，所述超薄膜不仅由阻隔材料和/或高介电率材料制成，而且还对其进行改性以改善沉积初始反...
    2026-05-08
  • 多材料卡盘
    多材料卡盘_东京毅力科创株式会社_202480062796.5
    披露了顺应性的半导体卡盘。半导体卡盘可以包括第一部分，该第一部分包括第一真空吸盘。半导体卡盘可以包括第二部分，该第二部分展现出比第一部分或第三部分中的任一者更大的顺应性。半导体卡盘可以包括第三部分，该第三部分包括第二真空吸盘。
    2026-05-08
  • 基板支承组件、基板处理装置及基板处理方法
    基板支承组件、基板处理装置及基板处理方法_东京毅力科创株式会社_202480061486.1
    本发明公开一种基板支承组件。基板支承组件的基座具有流路。第1气体供给部与第1容器连接。第1气体供给部构成为，为了经由至少一个第1配管向流路供给第1容器内的第1传热介质而向该第1容器供给第1气体。第2气体供给部与第2容器连接。第2气体供给部构...
    2026-05-08
  • 具有定位补偿的销升降器
    具有定位补偿的销升降器_VAT控股公司_202480063810.3
    销升降装置(10)被配置用于在处理气氛区域(P)中移动和定位待处理的基板(1)，销升降装置(10)包括升降单元，其具有被配置为保持至少一个升降销(7a‑7c)的安装件(11)和驱动单元(14)，驱动单元(14)连接到安装件(11)并且与安装...
    2026-05-08
  • 输送装置
    输送装置_雅马哈智能机器株式会社_202480063349.1
    输送装置(10)包括：振动板(20)，以非接触的方式对制品进行保持；基座(12)，对所述振动板(20)进行支撑；以及振动元件(40)，通过对所述振动板(20)施加振动而使所述振动板(20)产生超声波保持力，所述振动板(20)具有：周边部(2...
    2026-05-08
  • 具有非周期性有机网状冷却通道图案的冷却板
    具有非周期性有机网状冷却通道图案的冷却板_朗姆研究公司_202480063815.6
    描述了包含非周期性的有机网状冷却通道段图案的冷却板，比起在具有更规则的冷却通道段几何图案的冷却板中，其提供更均匀且更有效的冷却性能。
    2026-05-08
  • 标记装置、标记方法、半导体晶圆以及半导体芯片
    标记装置、标记方法、半导体晶圆以及半导体芯片_琳得科株式会社_202480063424.4
    为了防止以后无法读取对半导体晶圆或半导体芯片赋予的预定标记，对半导体晶圆(WF)或半导体芯片(CP)赋予预定标记(MK)的标记装置(EA)具备：标记单元(10)，其对半导体晶圆(WF)或半导体芯片(CP)赋予预定标记(MK)；以及被覆单元(...
    2026-05-08
  • 基板处理装置以及基板处理方法
    基板处理装置以及基板处理方法_东京毅力科创株式会社_202480063276.6
    本公开的基板处理装置具备：容器；开口部，设置于所述容器，用于供基板通过；闸门，用于对所述开口部进行开闭；基板保持部，在所述容器的内部保持所述基板；排气管道，从所述容器的内部向外部排出气体；排气风门，调整所述排气管道的排气量；开度传感器，检测...
    2026-05-08
  • 板式加热装置及其制造方法
    板式加热装置及其制造方法_KSM元件株式会社_202480062797.X
    本发明提供了一种板式加热装置及其制造方法，该装置包括陶瓷板基板和嵌入在所述陶瓷板基板中的加热线，其中，非烧结陶瓷粉末定位在所述加热线的外周部分与陶瓷板基板之间。非烧结陶瓷粉末是具有比构成所述陶瓷板基板的陶瓷材料高至少50℃的烧结温度、小于或...
    2026-05-08
  • 半导体装置的制造方法和半导体装置的制造系统
    半导体装置的制造方法和半导体装置的制造系统_东京毅力科创株式会社_202580003136.4
    一种半导体装置的制造方法，包括以下处理：针对具有激光吸收层及第一接合层的第一基板和具有第二接合层的第二基板中的所述第一接合层与所述第二接合层进行接合所得到的重合基板的未贴合区域，进行将填充材料填充到与所述第一接合层的第一外周位置相对应地预先...
    2026-05-08
  • 蚀刻方法、半导体器件的制造方法、蚀刻装置、表面处理气体组合物以及含有表面处理材料的蚀刻气体组合物
    蚀刻方法、半导体器件的制造方法、蚀刻装置、表面处理气体组合物以及含有表面处理材料的蚀刻气体组合物_中央硝子株式会社_202480063369.9
    本发明提供一种能够选择性地蚀刻包含Si和O且不包含N的膜的蚀刻方法、应用该蚀刻方法的半导体器件的制造方法、蚀刻装置、表面处理气体组合物以及含有表面处理材料的蚀刻气体组合物。本发明涉及一种蚀刻方法，其中，使(I)包含HF气体的蚀刻气体组合物和...
    2026-05-08
  • 方向性反应离子蚀刻特征的矩形性
    方向性反应离子蚀刻特征的矩形性_应用材料股份有限公司_202480061268.8
    本文所公开的是在半导体结构内形成开口端的方法。在一些实施例中，方法可包括提供在半导体装置的一层中形成的开口，其中该开口包含一组彼此相对的侧壁，以及连接到该组侧壁的第一和第二端壁，其中第一和第二端壁中的每一个界定一尖端，以及在该尖端和该组侧壁...
    2026-05-08
  • 等离子处理方法
    等离子处理方法_株式会社日立高新技术_202480053708.5
    为了提供能不使晶片表面的图案因等离子损伤地除去附着于晶片背面的金属污染物质的晶片处理方法，设为以下的结构。等离子处理方法具有：第一工序，对载置于样品台的样品进行等离子处理；第二工序，在第一工序后，在样品的表面形成沉积膜；和第三工序，在第二工...
    2026-05-08
  • 基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序
    基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序_株式会社国际电气_202480063603.8
    本发明提供一种能够抑制热扩散而进行改性处理的技术。具备：准备至少形成有第1膜的基板的工序；以使电磁波相对于第1膜的吸收率高于电磁波相对于基板的吸收率的方式，供给电磁波而进行改性处理以便使基板的温度成为预定温度以下的工序。
    2026-05-08
  • 用于管理晶圆变形的多重参数植入
    用于管理晶圆变形的多重参数植入_应用材料股份有限公司_202480063072.2
    公开一种基板中的应力管理方法。所述方法可包括：在基板的主表面上设置应力补偿层；以及实行链式植入程序以将一组离子植入至应力补偿层中。链式植入程序可包括：将第一植入程序引导至基板，第一植入程序在应力补偿层内产生第一损坏轮廓；将不同于第一植入的第...
    2026-05-08
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