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最新专利技术
  • 半导体封装件
    半导体封装件_三星电子株式会社_202511237148.1
    实施例提供了一种半导体封装件，该半导体封装件包括：包括基板焊盘的封装基板以及包括堆叠在封装基板上的多个半导体芯片的芯片堆叠件，其中，多个半导体芯片包括具有相同尺寸和形状的器件区域的第一半导体芯片和第二半导体芯片，第一半导体芯片和第二半导体芯...
    2026-04-29
  • 一种散热增强型半导体封装结构及方法
    一种散热增强型半导体封装结构及方法_华天科技(江苏)有限公司_202610081737.3
    本发明公开了一种散热增强型半导体封装结构及方法，该方法包括以下步骤：提供至少一个其有源面上设有电连接结构的芯片；提供一散热支撑基板，并在所述散热支撑基板的键合面以及所述芯片的与有源面相对的背面制备共晶焊料层；将所述芯片与所述散热支撑基板通过...
    2026-04-29
  • 一种散热增强型板级封装结构及方法
    一种散热增强型板级封装结构及方法_江苏盘古半导体科技股份有限公司_202610081525.5
    本发明公开了一种散热增强型板级封装结构及方法，该方法包括以下步骤：提供至少一个设有电连接结构的芯片；将所述芯片以其设有电连接结构的有源面朝向一载板的方式固定，并进行塑封，形成塑封体；研磨塑封体至暴露出芯片的与有源面相对的背面；移除载板，在塑...
    2026-04-29
  • 系统级封装方法及封装结构
    系统级封装方法及封装结构_长电科技(江阴)有限公司_202610080127.1
    本发明提供一种系统级封装方法及封装结构，其形成预成型的具有平坦表面的封装中间层，所述封装中间层通过所述中间塑封层以及所述第一导电柱的设置来修正所述封装中间层的平整度，弥补了封装中间层受到贴装工艺或者中间芯片厚度不同而导致的共面性差的缺陷，使...
    2026-04-29
  • 制造半导体装置结构的方法及沉积设备
    制造半导体装置结构的方法及沉积设备_台湾积体电路制造股份有限公司_202511970097.3
    本发明实施例的半导体装置结构可以通过以下方式制造：将半导体封装配置在封装托盘上，其中所述封装托盘包括托盘基座部分、托盘台面部分和支架形支撑部分，所述托盘基座部分在所述半导体封装下方横向延伸，所述托盘台面部分从所述托盘基座部分向上突出并包括连...
    2026-04-29
  • 一种海鸥脚双芯片叠层封装方法
    一种海鸥脚双芯片叠层封装方法_常州星海电子股份有限公司_202511737527.7
    本发明公开了一种海鸥脚双芯片叠层封装方法，该方法通过底引线与上引线分别形成平头焊盘与凸点焊盘，将第一芯粒和第二芯粒沿垂直方向依次叠放，并在受控温度与压力条件下完成双芯粒的上下焊接连接。叠层焊接后的组件置入模压模具内，采用转移模塑形成封装主体...
    2026-04-29
  • 半导体封装及其形成方法
    半导体封装及其形成方法_联发科技股份有限公司_202511488240.5
    本发明公开一种半导体封装，包括：第一基板，包括彼此相对的第一表面和第二表面；天线，位于该第一基板的该第一表面附近；第一集成电路，安装于该第一基板的该第二表面并与该天线耦接；模塑化合物，封装该第一集成电路；屏蔽层，覆盖该模塑化合物；以及第一屏...
    2026-04-29
  • 无引脚封装结构
    无引脚封装结构_长电科技汽车电子(上海)有限公司_202511906884.1
    本发明提供一种无引脚封装结构，包括：塑封体；焊盘，嵌设在所述塑封体内，且所述焊盘的一端面暴露于所述塑封体侧面，所述焊盘的底面暴露于所述塑封体背面，所述焊盘具有一自所述端面向所述塑封体背面中心延伸的凹槽，所述凹槽具有位于所述焊盘端面的开口，所...
    2026-04-29
  • 一种双面水冷且全CLIP连接的塑封功率模块
    一种双面水冷且全CLIP连接的塑封功率模块_浙江翠展微电子有限公司_202511939096.2
    本发明公开一种双面水冷且全CLIP连接的塑封功率模块，其包括上桥模块组件，下桥模块组件，塑封体，以及双面散热组件。所述上桥模块组件包含第一DBC板、多个并联的上桥芯片、第一连接铜排，以及第一信号铜排：所述第一连接铜排为一体成型结构，通过垂直...
    2026-04-29
  • 包括半导体晶体管管芯和用于连接半导体晶体管管芯的焊盘的夹具的半导体器件
    包括半导体晶体管管芯和用于连接半导体晶体管管芯的焊盘的夹具的半导体器件_英飞凌科技奥地利有限公司_202511431744.3
    提供一种半导体器件(10)。所述半导体器件(10)包括：引线框架(11)，所述引线框架(11)包括管芯焊盘(11.1)、第一引线(11.2)和第二引线(11.3)，其中第二引线(11.3)与引线柱(11.3A)连接；第一横向晶体管管芯(12...
    2026-04-29
  • 大功率半导体封装器件及其键合工艺
    大功率半导体封装器件及其键合工艺_常州九天新能源科技股份有限公司_202610354566.7
    本发明公开了一种大功率半导体封装器件及其键合工艺，封装器件包括引脚、半导体芯片和多根键合线，多根键合线被配置为：部分键合线沿基准方向直行，第一焊点位置在直行方向键合线左侧的部分键合线相对基准方向向左弧形偏置，第一焊点位置在直行方向键合线右侧...
    2026-04-29
  • 半导体键合设备操作控制方法及芯片对齐虚仿控制方法
    半导体键合设备操作控制方法及芯片对齐虚仿控制方法_香港科技大学(广州)_202610352913.2
    本发明提供半导体键合设备操作控制方法及芯片对齐虚仿控制方法，结合用户权限、待处理键合芯片参数和键合设备当前运行状态确定键合参数范围并输出最优键合工艺参数，对输入的键合工艺参数进行限定和调整，结合流程自动化模型将用户反馈的键合参数点击对应的操...
    2026-04-29
  • 便于装卸模具的模架、半导体烧结设备及模具装卸方法
    便于装卸模具的模架、半导体烧结设备及模具装卸方法_苏州宝士曼半导体设备有限公司_202610338163.3
    本发明提供一种便于装卸模具的模架、半导体烧结设备及模具装卸方法，该模架包括基板、托板、模具锁定座、提升组件和激活组件，托板可升降地设于基板上，模具锁定座设于托板上，模具锁定座的两侧设有限位块，提升组件包括提升杆、托架和滚轮，提升杆穿过限位块...
    2026-04-29
  • 双冷却通路的加热顶升装置、固晶设备及冷却方法
    双冷却通路的加热顶升装置、固晶设备及冷却方法_东莞触点智能装备有限公司_202610124016.6
    本发明公开了一种双冷却通路的加热顶升装置、固晶设备及冷却方法，该顶升装置固定在顶升基座上，其包括顶帽、顶推模组和套筒，顶推模组包括：顶升块和与顶升块连动的顶杆；顶升块通过一加热装置产生的热量实现加热；所述顶升装置包括两条独立的冷却通路：第一...
    2026-04-29
  • 尾线自动穿线方法、系统和键合设备
    尾线自动穿线方法、系统和键合设备_深圳市德沃先进自动化有限公司_202511897465.6
    本发明涉及引线键合技术领域，尤其是一种尾线自动穿线方法、系统和键合设备。当所述尾线的预留长度小于第一长度时，生成第一信号；根据所述第一信号，驱动所述劈刀移动到第一区域，在所述第一区域设置自动穿线装置，由所述自动穿线装置对所述尾线施加牵引力从...
    2026-04-29
  • 一种烧结模具
    一种烧结模具_诚联恺达(河北)科技股份有限公司_202511776005.8
    本发明属于芯片封装技术领域，涉及一种烧结模具。本发明提供的烧结模具包括传动组件、上模组件和下模组件；待焊接件放置在下模组件的承载面；自传动组件至上模组件，烧结压力的传导面面积以逐级递减的规律传递，通过上模组件向待焊接件施加烧结压力；烧结压力...
    2026-04-29
  • 复合基底及其形成方法和形成倒装芯片封装件的方法
    复合基底及其形成方法和形成倒装芯片封装件的方法_三星半导体(中国)研究开发有限公司_202610078524.5
    公开了复合基底及其形成方法和形成倒装芯片封装件的方法。所述复合基底包括：基底层；变形层，在基底层下方；以及粘结层，在基底层与变形层之间，其中，变形层包括具有不同的热膨胀系数的多种材料，使得在回流工艺的不同温度下，所述复合基底产生与将以倒装芯...
    2026-04-29
  • 功率半导体结构及其制备方法、电子设备
    功率半导体结构及其制备方法、电子设备_甬江实验室_202511874978.5
    本申请公开了一种功率半导体结构及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域。其中，功率半导体结构包括电路板、功率芯片和平面电容器。电路板包括层叠设置的多层导电层。功率芯片嵌设在电路板中。平面电容器嵌设在电路板中，且与多层导电层层叠设置；平面电...
    2026-04-29
  • 封装基板、条状基板、拼接基板以及对应的制备方法
    封装基板、条状基板、拼接基板以及对应的制备方法_浙江创豪半导体有限公司_202610336933.0
    本公开提供一种封装基板、条状基板、拼接基板以及对应的制备方法。所述封装基板，包括：第一电路区域和围绕所述第一电路区域的第一周边区域；所述第一电路区域包括：层叠设置的第一阻焊层、第一线路层、第一介电绝缘层、第二线路层、第二介电绝缘层、第三线路...
    2026-04-29
  • 扇出型晶圆级封装单元
    扇出型晶圆级封装单元_华东科技股份有限公司_202411418510.0
    本发明公开一种扇出型晶圆级封装单元，包括一载板、一第一介电层、多条第一导接线路、至少一第一裸晶(Die)、一第二介电层、至少一导电柱、多条第二导接线路、一第三介电层、多条第三导接线路及至少一第二裸晶；其中各第一裸晶及各第二裸晶能经由各第一裸...
    2026-04-29
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