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最新专利技术
  • 薄膜晶体管及其制备方法和显示面板
    薄膜晶体管及其制备方法和显示面板_武汉华星光电半导体显示技术有限公司_202511949016.1
    本申请公开了一种薄膜晶体管及其制备方法和显示面板，该薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极，其中，有源层的材料包括金属氧化物纳米颗粒，其尺寸接近纳米尺寸，可以表现出量子限域效应，使得电子能级从连续变为离散，从而导致其光学带隙和电学性质发生尺...
    2026-04-23
  • 一种多介质层SGT MOSFET器件及制备方法
    一种多介质层SGT MOSFET器件及制备方法_无锡中微爱芯电子有限公司_202610269834.5
    本发明属于半导体器件技术领域，特别涉及一种多介质层SGT MOSFET器件及制备方法。包括：元胞沟槽和终端沟槽，所述元胞沟槽的前后端与所述终端沟槽相连；屏蔽栅多晶硅和多介质层结构；所述元胞沟槽和所述终端沟槽内设有所述屏蔽栅多晶硅，且所述屏蔽...
    2026-04-23
  • 一种超结柱间距可调节的高可靠性超结结构
    一种超结柱间距可调节的高可靠性超结结构_西安电子科技大学_202511868480.8
    本发明公开了一种超结柱间距可调节的高可靠性超结结构，包括：外延层、第一超结柱组合结构、两个第二超结柱组合结构。第一超结柱组合结构包括M个沿中心轴线对称的第二掺杂类型的第一超结柱，M个第一超结柱相互平行的设置在外延层内，沿第一方向每个第一超结...
    2026-04-23
  • 一种动态电离抑制型的高可靠性超结器件及其制备方法
    一种动态电离抑制型的高可靠性超结器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511868479.5
    本发明公开了一种动态电离抑制型的高可靠性超结器件及其制备方法，超结器件包括从下至上层叠设置的衬底层、第一外延层、超结耐压结构、第三外延层和第四外延层，超结耐压结构包括从下至上依次层叠设置的第一掺杂类型的第1层第二外延层至第一掺杂类型的第K层...
    2026-04-23
  • 半导体装置
    半导体装置_新唐科技股份有限公司_202510750297.1
    本发明提供一种半导体装置。半导体装置包括基板、埋置层、外延层、深阱、高压阱及栅极导电层。基板具有第一导电型态。埋置层具有第一导电型态，且设置在基板上。外延层具有不同于第一导电型态的第二导电型态，且设置在埋置层上。深阱具有第二导电型态且设置于...
    2026-04-23
  • 半导体组件及其制造方法
    半导体组件及其制造方法_新唐科技股份有限公司_202510649080.1
    本发明提出一种半导体组件及其制造方法。所述半导体组件包含衬底，具有第一导电型；阱区，具有第二导电型，以及位于所述衬底中；基体，具有所述第一导电型，以及位于所述阱区中；源极区，位于所述基体中；漏极区，位于所述阱区中；隔离结构，位于所述阱区上；...
    2026-04-23
  • 基于多栅极竖直场效应晶体管的单元架构
    基于多栅极竖直场效应晶体管的单元架构_三星电子株式会社_202610001122.5
    提供了一种单元架构。可以提供一种单元架构，其包括竖直场效应晶体管，竖直场效应晶体管具有：用作竖直沟道的至少两个鳍；栅极，其包括围绕第一鳍的第一栅极部分、围绕第二鳍的第二栅极部分、以及提供其间的连接的第三栅极部分；以及顶部源极/漏极，其包括第...
    2026-04-23
  • 半导体装置结构及其制造方法
    半导体装置结构及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511875888.8
    本揭露的实施例提供一种半导体装置结构及其制造方法。此结构包括一个或多个半导体层设置于基板部分上；源极/漏极区设置为相邻于基板部分和一个或多个半导体层之间；以及第一应力层设置于源极/漏极区下方，其中气隙形成于第一应力层与源极/漏极区之间。
    2026-04-23
  • 一种水平纳米空气沟道半导体器件及制备方法
    一种水平纳米空气沟道半导体器件及制备方法_电子科技大学_202610033583.0
    本发明公开了一种水平纳米空气沟道半导体器件及制备方法，该器件包括衬底，衬底包括第一衬底层、第二衬底层和第三衬底层；还包括：第一电极，形成于第一衬底层上方，作为器件的源极；第一介质层，形成于第一衬底层上方未被第一电极覆盖处，作为器件的电子传输...
    2026-04-23
  • 半导体结构、制备方法及互补金属氧化物半导体器件
    半导体结构、制备方法及互补金属氧化物半导体器件_无锡沧海云帆电子科技有限公司_202512059452.8
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体结构、制备方法及互补金属氧化物半导体器件，半导体结构包括：自下而上层叠设置的第一衬底、第一介质层、器件层和第二介质层，第一介质层覆盖栅极接触层，器件层包括多个浅沟槽隔离结构和位于浅沟槽隔离结构之间的...
    2026-04-23
  • 一种金刚石器件及其制备方法
    一种金刚石器件及其制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511898931.2
    本发明提供一种金刚石器件及其制备方法，涉及金刚石器件技术领域。该器件包括金刚石衬底；金刚石衬底上设有导电沟道；导电沟道的一侧设有源极，另一侧设有漏极；导电沟道的正下方、金刚石衬底的内部埋设有石墨栅极；在垂直于源漏连线方向的截面，金刚石衬底全...
    2026-04-23
  • 一种超结MOSFET器件及其制备方法
    一种超结MOSFET器件及其制备方法_上海功成半导体科技有限公司_202511777283.5
    本发明提供一种超结MOSFET器件及其制备方法，超结MOSFET器件包括衬底层、第一外延层、多个第一P型柱、第二外延层、多个第二P型柱、沟槽栅、体区、源区、绝缘层、源极金属层和多个接触部，其中，第二外延层的掺杂浓度大于第一外延层的掺杂浓度；...
    2026-04-23
  • 一种具有有源钳位吸收电路的GaN HEMT结构
    一种具有有源钳位吸收电路的GaN HEMT结构_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202610282029.6
    本发明涉及半导体技术领域，且公开了一种具有有源钳位吸收电路的GaN HEMT结构，所述GaN HEMT结构包括有基层衬底、基层缓冲层、基层GaN层、基层AlGaN层，所述GaN HEMT结构还包括：基层源极、漏极金属、基层栅极、基层介质层、...
    2026-04-23
  • 具有特殊高阻层的GaN HEMT外延结构及其制备方法
    具有特殊高阻层的GaN HEMT外延结构及其制备方法_广西云芯半导体科技有限公司_202610026717.6
    本发明公开了一种具有特殊高阻层的GaN HEMT外延结构，外延结构在过渡层和势垒层之间设置有特殊高阻层，特殊高阻层包括依次交替层叠布置的至少一高阻层与至少一δ掺杂层，δ掺杂层的碳掺杂浓度高于高阻层的碳掺杂浓度，δ掺杂层能够优化电场分布，以有...
    2026-04-23
  • 一种具有氧化镓背势垒结构的GaN基HEMT射频器件
    一种具有氧化镓背势垒结构的GaN基HEMT射频器件_南京邮电大学_202610020175.1
    本发明公开了一种具有氧化镓背势垒结构的GaN基HEMT射频器件，属于半导体射频功率器件制造技术领域。所述射频器件的外延结构包括衬底，所述衬底上依次生长有β‑Ga2O3缓冲层和GaN沟道层；远离β‑Ga2O3缓冲层的GaN沟道层表面两端分别沉...
    2026-04-23
  • 半导体结构及半导体结构的制备方法
    半导体结构及半导体结构的制备方法_上海新微半导体有限公司_202511945337.4
    本发明提供一种半导体结构及半导体结构的制备方法，包括：基底包括衬底和依次层叠于衬底上的沟道层和势垒层；帽层位于部分势垒层上；钝化层位于帽层、势垒层上；栅电极贯穿位于帽层上方的钝化层，直至与帽层接触；源电极位于帽层的一侧，源电极贯穿钝化层与势...
    2026-04-23
  • 半导体结构及半导体结构的制备方法
    半导体结构及半导体结构的制备方法_上海新微半导体有限公司_202511945327.0
    本发明提供一种半导体结构及半导体结构的制备方法，包括：衬底；缓冲层位于衬底上，用于促进P型阻挡层、沟道层的晶体生长，优化晶体形态，P型阻挡层位于缓冲层上，沟道层位于P型阻挡层上，势垒层位于沟道层上，其中，沟道层中具备二维电子气，P型阻挡层于...
    2026-04-23
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511159736.8
    一种半导体器件可以包括：沟道层；阻挡层，位于沟道层上并且包括具有与沟道层不同的能带隙的材料；位于阻挡层上的栅电极；位于阻挡层和栅电极之间的栅极半导体层；保护层，位于阻挡层上并且覆盖栅电极；以及源电极和漏电极，位于栅电极的相反侧上并且电连接到...
    2026-04-23
  • 金属氧化物薄膜晶体管制备方法及金属氧化物薄膜晶体管
    金属氧化物薄膜晶体管制备方法及金属氧化物薄膜晶体管_苏州大学_202610293761.3
    本发明属于半导体器件技术领域，涉及金属氧化物薄膜晶体管制备方法及金属氧化物薄膜晶体管，提供绝缘衬底，在绝缘衬底表面形成金属氧化物半导体薄膜后，先在大于350℃的非氧化气氛下退火处理，然后在大于等于350℃的氧化气氛下退火处理，从而制备得到退...
    2026-04-23
  • 一种集成肖特基的SiC MOSFET器件及其制作方法
    一种集成肖特基的SiC MOSFET器件及其制作方法_南京第三代半导体技术创新中心有限公司_202610281919.5
    本发明公开一种集成肖特基的SiC MOSFET器件及其制作方法，在制备好包含第二导电类型阱区、第一导电类型源区及重掺杂区以及位于相邻阱区之间的轻掺杂JFET区的SiC外延结构后，经过栅介质与栅电极的形成与图形化，并制作隔离介质侧墙，随后一次...
    2026-04-23
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