Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
最新专利技术
  • 本发明公开了一种基于深度学习的病理图像蛋白质组学分析方法及系统,涉及生物信息学,所述方法包括:利用激光显微切割与质谱分析构建配对图像‑蛋白质数据集;采用预训练VGG16卷积神经网络提取图像深层特征,融合细胞形态学特征构建全蛋白质组回归映射模...
  • 本发明公开了一种基于不完备多视角学习的药物重定位预测方法及系统,包括,S1.获取药物‑疾病关联数据及多种生物学和药理学辅助信息;S2.基于辅助信息分别构建疾病、药物每个单一视角的邻接矩阵,其中包含不完备邻接矩阵;S3.构建预测模型,其目标函...
  • 本发明涉及生态过程模拟与预测技术领域,公开了一种耦合固碳与微生物分解过程预测系统。该系统包括依次连接的生态界面感知单元、双过程互锁解析单元、适应性推演架构构建单元、生态轨迹偏离侦测单元和根因溯源网络生成单元。系统通过同步感知物理化学场与生物...
  • 本发明属于生物医药技术领域,具体涉及一种用于心房颤动患者无创诊断的肠道真菌微生物模型及其应用。本发明提供了一种用于区别心房颤动患者和非房颤者的肠道真菌微生物模型(真菌微生物区别模型),由SEQ ID NO : 1‑15所示的15种真菌微生物...
  • 本发明公开了一种基于大数据的农药毒理效用智能仿真方法及系统,涉及农药毒理效用分析技术领域,本发明首先分析得到目标种植场地下一种植周期内所需的各类农药,并对各类农药进行药效测试,筛选得到各备选农药组,再对各备选农药组进行毒理效用仿真测试,得到...
  • 本发明涉及生物检测技术领域,具体为基于表面张力分析的癌细胞恶性程度定量评估方法,包括以下步骤:剔除异常波动点构建拟合数据,依据曲率变化匹配膜结构与寿命斜率形成张力梯度参数,校准张力方向构建关联参数组,结合时序速率,依据张力演化与参比轨迹偏移...
  • 本公开提供了并行读操作速度测试电路、测试方法及芯片,将nor flash的SPI接口电路与待测eflash连接,基于所述SPI接口电路产生第一信号,对所述待测eflash的存储模块的预设地址执行读取操作;基于所述SPI接口电路产生的第二信号...
  • 本发明属于芯片测试技术领域,具体公开了一种面向多SRAM的分组测试方法及系统,该方法包括,基于数字集成电路的功能数据流路径确定全部SRAM的逻辑顺序,再按同一测试组内SRAM在功能数据流路径上非连续的规则划分多个测试组;通过串行移位寄存器链...
  • 本申请提供了一种提高NOR Flash芯片数据保持力的方法、装置及存储介质,应用于半导体集成电路技术领域,通过在NOR Flash芯片的存储单元执行读取操作并进行校验计算,当检测到数据存在可纠正的单比特错误且错误类型为第一逻辑状态翻转为第二...
  • 本申请涉及一种存储设备纠错方法、系统、设备、介质和程序产品。所述方法包括:响应于多个存储颗粒中的第一存储颗粒存在故障的情况下,存储第一存储颗粒影响的码字中错误符号的目标错误位置;响应于码字中错误符号的数量大于两个,基于第一存储颗粒影响的码字...
  • 本公开涉及一种应用于HBM的VrefDQ确定方法及装置、电子设备、存储介质和计算机程序产品,HBM包括多个物理通道,每个物理通道包括两个逻辑通道;所述方法包括:确定目标物理通道包括的两个逻辑通道,在每个候选VrefDQ值下的指标之差、指标之...
  • 公开存储器装置、存储器控制器和高速缓存锁存器初始化方法。所述存储器装置包括:存储器单元阵列,包括第一平面和第二平面;页缓冲器电路,包括第一高速缓存锁存器和第二高速缓存锁存器,第一高速缓存锁存器用于存储将被存储在第一平面中的数据,第二高速缓存...
  • 本申请提供了一种存储单元擦写方法、装置、电子设备及存储介质,涉及存储技术领域,该方法包括:获取存储单元的擦写操作曲线。根据擦写操作曲线,确定使存储单元的阈值电压变化进入线性区所需的最小操作时间。对存储单元施加初始擦写电压,且初始擦写电压的操...
  • 本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种电可擦除可编程只读存储器控制方法、装置及电子设备,其中,电可擦除可编程只读存储器包括加载状态机、编程状态机、擦除状态机和主控模块,方法包括:通过获取其主控信号、时钟信号与模式切换信号,先基于主控信号激活...
  • 本申请公开了一种铁电晶体管中间节点电势的计算方法。该方法包括:根据铁电晶体管中栅氧层与半导体部分的电荷守恒关系,在对沟道电势做平均化处理的情况下,确定中间节点电势与沟道平均表面势的第一函数关系;再结合铁电层电荷守恒关系,确定沟道平均表面势与...
  • 一种非易失性存储器装置包括并联连接在位线与公共源极线之间的第一单元串至第n单元串。第一单元串至第n单元串中的每一者包括:分别连接到第一接地选择线至第n接地选择线的第一接地选择晶体管至第n接地选择晶体管中的相应的一个接地选择晶体管;以及分别连...
  • 本发明属于三态寻址内容存储器/随机存储器技术领域,特别涉及一种低功耗高可靠MRAM‑TCAM/RAM单元和电路。包括:SOT的磁性隧道结MTJ1~MTJ2和NMOS管NM1~NM7;所述SOT的磁性隧道结MTJ1的第一端接入NMOS管NM1...
  • 本发明公开了一种基于冗余存储单元控制的SRAM抗老化方法,将存储阵列中的存储单元分为处于工作状态的存储单元和处于休息状态的存储单元,控制所有存储单元轮流进入休息状态,包括如下步骤:步骤1、将即将进入休息状态的存储单元的数据读出,并写入即将进...
  • 本公开涉及内容可寻址存储器和半导体装置。一种内容可寻址存储器包括单元阵列、多个有效单元、全无效检测电路、搜索单元和控制单元,单元阵列能够存储多个数据条目,多个有效单元是针对数据条目中的每个数据条目而提供的,并且被配置为存储指示数据条目有效或...
  • 本申请涉及一种存储器的接口电路、重训练方法、存储器控制器、装置和非暂态存储介质,该接口电路包括接收模块、可调延迟模块、采样模块和相位调整模块;接收模块分别与采样模块的第一输入端和可调延迟模块的第一端连接,可调延迟模块的第二端与采样模块的第二...
技术分类