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最新专利技术
  • 半导体装置的制造方法、热固性树脂组合物及切晶粘晶一体型膜
    半导体装置的制造方法、热固性树脂组合物及切晶粘晶一体型膜_株式会社力森诺科_202610134298.8
    本发明涉及半导体装置的制造方法、热固性树脂组合物及切晶粘晶一体型膜。本发明的一方面所涉及的半导体装置的制造方法包括：准备切晶粘晶一体型膜的工序，所述切晶粘晶一体型膜具备黏合层、压敏胶黏层及基材膜，所述黏合层由120℃下的熔融粘度为3100P...
    2026-05-10
  • 半导体装置的制造方法、热固性树脂组合物及切晶粘晶一体型膜
    半导体装置的制造方法、热固性树脂组合物及切晶粘晶一体型膜_株式会社力森诺科_202610134296.9
    本发明涉及半导体装置的制造方法、热固性树脂组合物及切晶粘晶一体型膜。本发明的一方面所涉及的半导体装置的制造方法包括：准备切晶粘晶一体型膜的工序，所述切晶粘晶一体型膜具备黏合层、压敏胶黏层及基材膜，所述黏合层由120℃下的熔融粘度为3100P...
    2026-05-10
  • 用于形成翘曲减少的电子器件的方法
    用于形成翘曲减少的电子器件的方法_JCET星科金朋韩国有限公司_202411521986.7
    本申请提供一种用于形成电子器件的方法。所述方法包括：将衬底放置于模制模具的模制空腔内，所述衬底上安装有至少一个电子元件；将模制材料放置于所述模制模具内；通过微波辐射熔融所述模制材料且向所述模制材料施加压强，从而用所述熔融模制材料填充所述模制...
    2026-05-10
  • 半导体结构的制作方法
    半导体结构的制作方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202610149763.5
    本发明提供一种半导体结构的制作方法。所述半导体结构的制作方法中，提供的中间结构的顶面具有沟槽，在中间结构上生成隔离材料层，隔离材料层覆盖中间结构的顶面且填满沟槽，隔离材料层包括位于沟槽正上方的第一部分以及位于沟槽侧边的第二部分；对第一部分进...
    2026-05-10
  • 改善气泡缺陷的膜层图形化方法
    改善气泡缺陷的膜层图形化方法_上海华力集成电路制造有限公司_202610077701.8
    本发明公开了一种改善气泡缺陷的膜层图形化方法，包括：在底层结构上生长第一膜层，第一膜层中具有水汽。对第一膜层进行表面处理并形成一层水汽阻挡层。依次形成SOC层、硅基抗反射层和光刻胶；在形成SOC层的过程中，水汽阻挡层防止水汽传递到SOC层中...
    2026-05-10
  • 一种实现图形化的方法及装置
    一种实现图形化的方法及装置_帝尔激光科技(无锡)有限公司_202411979810.6
    本申请提出一种实现图形化的方法及装置，待加工产品包括图形区域和非图形区域，图形区域和非图形区域均包括图形化层和在图形化层表面形成的掩膜保护层，图形化步骤包括：通过摩擦机构或者轰击机构破坏非图形区域的掩膜保护层，在非图形区域的掩膜保护层上形成...
    2026-05-10
  • 半导体器件的形成方法
    半导体器件的形成方法_重庆芯联微电子有限公司_202511993094.1
    本发明提供一种半导体器件的形成方法，先获取半导体衬底与栅介质层之间的界面态禁带宽度；然后，根据界面态禁带宽度预设入射光的波长；根据预设的入射光的波长对MOS器件进行紫外光照射处理，使入射光穿透金属栅极和栅介质层，以调整MOS器件的阈值电压。...
    2026-05-10
  • 一种用于半导体局部改性的辐照处理系统
    一种用于半导体局部改性的辐照处理系统_成都中核高通同位素股份有限公司_202610445532.9
    本申请涉及一种用于半导体局部改性的辐照处理系统，属于半导体加工技术领域。用于半导体局部改性的辐照处理系统包括承载台、遮挡机构、定位检测组件和控制模块，承载台用于承载并固定半导体晶圆；遮挡机构包括遮挡板及驱动组件，遮挡板上设有辐射口；晶圆朝向...
    2026-05-10
  • 场氧结构及其形成方法
    场氧结构及其形成方法_重庆芯联微电子有限公司_202511929828.X
    本发明公开了一种场氧结构及其形成方法，属于半导体技术领域，该场氧结构的形成方法，用于制备LDMOS器件，包括：提供衬底，所述衬底中形成有第一导电类型漂移区；在所述衬底的表面涂覆光阻，图案化所述光阻，在所述第一导电类型漂移区上形成开口；通过所...
    2026-05-10
  • 一种离子注入角度校准方法及系统
    一种离子注入角度校准方法及系统_重庆芯联微电子有限公司_202511996293.8
    本发明公开了一种离子注入角度校准方法及系统，包括以下步骤：S1：通过五点法对参考机台进行校准，得到标准二次函数曲线，获取标准系数a0；S2：在待校准机台选取三个测试角度对晶圆进行离子注入，测量对应的热波值，拟合得到初始二次函数曲线；S3：在...
    2026-05-10
  • 增强材料结构的处置
    增强材料结构的处置_应用材料公司_202512032231.1
    一种形成半导体结构的方法包括以下步骤：预清洁衬底的表面；在所述衬底的预清洁后的表面上形成界面层；在所述界面层上沉积高κ介电层；执行等离子体氮化工艺以在所沉积的高κ介电层中插入氮原子；和执行氮化后退火工艺以钝化等离子体氮化后的高κ介电层中的化...
    2026-05-10
  • 形成半导体装置的方法
    形成半导体装置的方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202411720434.9
    本公开内容提供一种形成半导体装置的方法，其包括以下步骤：将半导体基底放置于处理槽中；于处理槽中注入处理液至处理槽的第一水平高度处，使得半导体基底完全浸泡在处理液中；半导体基底以静置在处理液中的方式进行氧化处理，以于半导体基底上形成氧化层；在...
    2026-05-10
  • 一种介质膜柱状图形的制作方法
    一种介质膜柱状图形的制作方法_杭州美迪凯光电科技股份有限公司_202610149495.7
    本发明公开了一种介质膜柱状图形的制作方法，涉及半导体制造工艺技术领域。本发明采用光敏胶作为牺牲层来制作第一种介质膜的柱状图形，同时结合原子层沉积的高填充能力和化学机械抛光的全局平坦化特性，实现了两种介质膜高精度的交替错落的柱状图形的加工，在...
    2026-05-10
  • 一种提高方片电压以及性能的SIPOS工艺
    一种提高方片电压以及性能的SIPOS工艺_江苏东晨电子科技有限公司_202511940038.1
    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种提高方片电压以及性能的SIPOS工艺，其包括依次淀积第一掺氧多晶硅层、多晶硅层、第二掺氧多晶硅层、二氧化硅层及氮化硅层；本发明通过五层复合钝化结构优化电场分布，有效抑制边缘电场集中，消除“双线”击...
    2026-05-10
  • 一种等离子体增强化学气相沉积的方法
    一种等离子体增强化学气相沉积的方法_SPTS科技有限公司_202510832225.1
    本发明提供一种等离子体增强型化学气相沉积的方法，其包含以下步骤：将晶片在反应器腔室内支撑在晶片支撑件上；使用高频RF电源从乙炔气、氢气和氩气产生等离子体；以及将无定形氢化碳膜沉积在所述晶片上；其中在所述沉积期间，反应器腔室压力在1‑6托范围...
    2026-05-10
  • 一种锗硅外延硅帽层及堆叠结构的制备方法
    一种锗硅外延硅帽层及堆叠结构的制备方法_重庆芯联微电子有限公司_202511964896.X
    本发明提供了一种锗硅外延硅帽层及堆叠结构的制备方法，包括以下步骤：S1.提供衬底，衬底上形成有凹槽，凹槽内生长有锗硅层；S2.以SiH2Cl2为硅源，通过脉冲原子层沉积工艺在锗硅层上形成第一硅层，第一硅层厚度不大于5nm；S3.以SiH4为...
    2026-05-10
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511831908.1
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法。制备方法包括：将多个沉积单元并排布置在低压化学气相沉积设备的反应腔中，每个沉积单元包括多个基片，多个基片中的一部分为晶圆，另一部分为陪片，晶圆用于制作晶体管，相邻的沉积单元中相邻两个基片之间的距离大于...
    2026-05-10
  • 一种金属卤化物薄膜忆阻器及其制备方法和应用
    一种金属卤化物薄膜忆阻器及其制备方法和应用_南京邮电大学_202610092417.8
    本发明属于半导体技术和神经形态硬件技术领域，公开了一种金属卤化物薄膜忆阻器及其制备方法和应用，本发明提供的金属卤化物薄膜忆阻器从下至上依次包括底电极、无机阻变层、顶电极；所述无机阻变层为金属卤化物薄膜，所述金属卤化物薄膜为碘化亚铜薄膜；所述...
    2026-05-10
  • 一种沟槽型忆阻器件的工艺集成方法
    一种沟槽型忆阻器件的工艺集成方法_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202610184547.4
    本发明公开一种沟槽型忆阻器件的工艺集成方法，提供硅衬底，在其表面制备惰性电极；在惰性电极的表面沉积一层氮化硅；对氮化硅进行光刻和刻蚀形成沟槽型SiN结构，并进行过刻蚀停止到惰性电极；在氮化硅表面和沟槽型SiN结构中制备电解质材料；制备沟槽型...
    2026-05-10
  • 一种可控晶向SnS2阻变存储器及其制备方法
    一种可控晶向SnS2阻变存储器及其制备方法_西安工业大学_202610168141.7
    本发明属于电子零件制作技术领域，具体涉及一种可控晶向SnS2阻变存储器及其制备方法。制备方法包括如下步骤：采用真空蒸镀法在SiO2/Si衬底表面蒸镀300 nm厚度的Au底电极；采用封管硫化法制备SnS2阻变层：采用硬掩模技术，利用真空热蒸...
    2026-05-10
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