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最新专利技术
  • 半导体元件及其形成的方法
    半导体元件及其形成的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202610025999.8
    本揭露提供半导体元件及其形成方法。一种例示性方法包括：在基板上方形成超晶格结构。超晶格结构包含通过绝缘层与下部部分分隔开的上部部分。绝缘层包含结晶金属氧化物。图案化超晶格结构以形成自基板突出的鳍片。在鳍片的第一部分上方形成虚设栅极堆叠。使鳍...
    2026-05-10
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202512011905.X
    提供了半导体结构。半导体结构包括：第一源极/漏极部件，位于第一鳍元件上方；第二源极/漏极部件，位于第二鳍元件上方；以及第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件，横跨第一鳍元件和第二鳍元件。半导体结构还包括：介电层，覆盖第二源极/漏极部件和第一源极/漏...
    2026-05-10
  • 一种SMT工艺的制造方法
    一种SMT工艺的制造方法_重庆芯联微电子有限公司_202511925423.9
    本发明提供了一种SMT工艺的制造方法，包括以下步骤：S1.提供待进行SMT工艺的衬底，衬底包括PMOS区域和NMOS区域，PMOS区域和NMOS区域中均形成有栅极结构和侧墙，以及覆盖栅极结构和侧墙的第一氧化层；S2.在NMOS区域表面形成拉...
    2026-05-10
  • 例如基于氮化镓的单片集成电路的制造方法以及对应的集成电路
    例如基于氮化镓的单片集成电路的制造方法以及对应的集成电路_意法半导体国际公司_202511563252.X
    本公开涉及例如基于氮化镓的单片集成电路的制造方法以及对应的集成电路。提供了一种制造单片集成电路的方法。一种示例性方法包括：在沉积在硅基板上的至少一种宽带隙半导体材料内和其顶部上形成功能块，在功能块的顶部上形成相互分离的互连部分，分离功能块，...
    2026-05-10
  • 半导体元件堆叠结构
    半导体元件堆叠结构_力晶积成电子制造股份有限公司_202411651905.5
    本发明公开一种半导体元件堆叠结构，包括堆叠排列的多个第一半导体元件结构。每个第一半导体元件结构包括基底、多个半导体元件、重布线层、第一基底穿孔与多个第二基底穿孔。基底包括正面与背面。多个半导体元件位于基底的正面上。重布线层位于基底的背面上。...
    2026-05-10
  • 利用辅助基板的大功率SIC MOSFET SSC开关模块
    利用辅助基板的大功率SIC MOSFET SSC开关模块_北一半导体科技(广东)有限公司_202610103143.8
    本发明涉及利用辅助基板的大功率SIC MOSFET SSC功率开关模块，提供一种利用辅助基板的大功率SIC MOSFET SSC功率开关模块的结构，其增大了SSC功率开关模块传输大电流的图案，同时提供高效的散热特性，并通过应用与SSC基板绝...
    2026-05-10
  • 利用人工周期性势场调控能带结构的量子器件及制作方法
    利用人工周期性势场调控能带结构的量子器件及制作方法_上海科技大学_202411486048.8
    本发明公开了一种利用人工周期性势场调控能带结构的量子器件及制作方法，属于半导体技术和量子物理领域。所述量子器件包括：衬底；氧化层，设置在所述衬底上，且所述氧化层表面具有阵列分布的微结构；第一介电层，设置在所述氧化层上；量子材料层，设置在所述...
    2026-05-10
  • 改善金属栅工艺中高阻区可靠性的结构和方法
    改善金属栅工艺中高阻区可靠性的结构和方法_上海华力集成电路制造有限公司_202610121105.5
    本发明公开了一种改善金属栅工艺中高阻区可靠性的结构，高电阻形成于形成有金属栅的浅沟槽隔离的顶部。高电阻和邻近的伪有源区之间具有第一横向间距，第一横向间距用于调节伪有源区的图形密度并使浅沟槽隔离的高度和均匀性满足要求。层间膜具有第一厚度且第一...
    2026-05-10
  • 半导体元件及其形成方法
    半导体元件及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202610182300.9
    一半导体元件的形成方法包含 : 利用图案化光阻层对栅极堆叠进行图案化，其中栅极堆叠包含导电层、位于导电层上的金属层以及位于金属层上方的硬遮罩层；以及利用含氮气体去除图案化光阻层，其中在去除图案化光阻层的过程中，在栅极堆叠的金属层上形成衬垫。...
    2026-05-10
  • 减少LK膜层损耗的嵌入式外延层的形成方法
    减少LK膜层损耗的嵌入式外延层的形成方法_上海华力集成电路制造有限公司_202610139319.5
    本发明公开了一种减少LK膜层损耗的嵌入式外延层的形成方法，包括：步骤一、提供形成有侧面形成有LK膜层栅极结构的半导体衬底。步骤二、进行原子层沉积工艺形成由第一氮化硅层组成硬质掩膜层。原子层沉积工艺不采用等离子体和氢气并通过增加成膜温度来调节...
    2026-05-10
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_重庆芯联微电子有限公司_202512010556.X
    本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，应用于半导体技术领域。在本申请中，通过在氧化物层和高k介质层之间形成复合缓冲层，所述复合缓冲层为第一缓冲层和第二缓冲层交替生长形成的周期性结构，以在所述氧化物层和所述高k介质层之间形成化学键合优化，减...
    2026-05-10
  • 半导体层叠物、半导体层叠物的制造方法及氢化物气相生长装置
    半导体层叠物、半导体层叠物的制造方法及氢化物气相生长装置_住友化学株式会社_202511380617.5
    得到具有包括n型层和p型层的PN接合构造或包括i型层和p型层的PI接合构造的高品质的半导体层叠物、半导体层叠物的制造方法及氢化物气相生长装置。具备：衬底基板；PN接合构造或PI接合构造，PN接合构造具有衬底基板上的由包含n型杂质的III族氮...
    2026-05-10
  • 一种In2Se3纤锌矿铁电半导体材料及其制备方法
    一种In2Se3纤锌矿铁电半导体材料及其制备方法_华东师范大学_202610181300.7
    本发明公开了一种In2Se3纤锌矿铁电半导体材料及其制备方法，包括：以二维范德华层状In2Se3半导体为前驱体，采用电子束辐照、激光辐照或加热方式调控二维层状In2Se3到非层状6H型或3R型In2Se3的相变，进而通过电场调控获取具有纤锌...
    2026-05-10
  • 超级结半导体器件及其制造方法
    超级结半导体器件及其制造方法_无锡商甲半导体有限公司_202610163660.4
    本发明提供一种超级结半导体器件及其制造方法；超级结半导体器件包括第一导电类型衬底和第一导电类型外延层；在第一导电类型外延层中设有第一沟槽；在第一沟槽的内壁设有第二导电类型外延层；第一沟槽中设有第一介质层；各第一沟槽的顶部同一侧的部分第二导电...
    2026-05-10
  • 超结功率器件及制备方法
    超结功率器件及制备方法_北京智芯微电子科技有限公司_202511901252.6
    本申请公开了一种超结功率器件及制备方法，属于半导体技术领域。超结功率器件包括：衬底；外延层；超结结构，包括沿第一方向交替分布的第一外延柱和第二外延柱，第一外延柱掺杂第一离子，第二外延柱掺杂第二离子，第一离子和第二离子的掺杂类型相反；第一外延...
    2026-05-10
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置以及半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202511487135.X
    本发明提高半导体装置的可靠性。半导体装置具备：第1导电型的半导体层，设置于活性区域和终端区域；和沟道截断部，设置于比终端区域的外侧端部靠内侧的位置，沟道截断部具备：第1沟道截断槽部，形成为从半导体层的上表面到达内部；第1导电型的第1杂质部，...
    2026-05-10
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_中芯国际集成电路制造(天津)有限公司_202411529065.5
    本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括基底；嵌设于基底中且一侧表面暴露于基底表面的基底隔离层；覆盖基底隔离层的暴露面的器件衬底层，包括叠层设置于基底表面的至少两层衬底子层；隔离阱区层，隔离阱区层位于衬底...
    2026-05-10
  • 用于多功能存储和逻辑计算的双栅二维晶体管
    用于多功能存储和逻辑计算的双栅二维晶体管_贵州大学_202610090519.6
    本发明涉及半导体技术领域，公开了用于多功能存储和逻辑计算的双栅二维晶体管，包括衬底、浮栅层、隧穿层、沟道层、顶栅绝缘层、底栅电极、顶栅电极、源电极和漏电极；所述衬底为N型单抛氧化硅片，所述浮栅层为石墨烯层，所述隧穿层为六方氮化硼层，所述沟道...
    2026-05-10
  • 半导体器件及电子设备
    半导体器件及电子设备_深圳平湖实验室_202610121626.0
    本公开实施例提供一种半导体器件及电子设备，涉及功率半导体器件技术领域，用于抑制辐射效应对半导体器件的影响。该半导体器件包括衬底、第一、第二外延层、两个第一阱区、掺杂结构、屏蔽层、电流扩展层、两个栅极、两个介质层、源极层、漏极层。第一、第二外...
    2026-05-10
  • 屏蔽栅沟槽型晶体管、其制造方法及版图
    屏蔽栅沟槽型晶体管、其制造方法及版图_无锡华润华晶微电子有限公司_202411548406.3
    本发明提供了一种屏蔽栅沟槽型晶体管、其制造方法及版图，在第一沟槽中形成控制栅结构，在第二沟槽中形成屏蔽栅结构，第一沟槽围绕对应的第二沟槽，在半导体衬底的延伸方向上，第一沟槽呈正六边形并且第二沟槽位于第一沟槽的中心。即，形成了正六边形的控制栅...
    2026-05-10
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