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  • 半导体存储器装置包括:包含有源区的衬底;在衬底上的位线结构,位线结构包括单元导电线和单元线盖膜;存储接触,设置在位线结构的相对侧,并连接到有源区;存储焊盘,在存储接触中的一个存储接触上并且连接到存储接触中的所述一个存储接触;以及数据存储图案...
  • 一种三维半导体装置,包括:位线,其与衬底间隔开并且在垂直于衬底的下表面的方向上延伸;第一半导体图案,其在位线的第一侧表面上,第一半导体图案包括作为第一半导体图案中的最上面的第一半导体图案的第一最上图案;以及字线,其围绕第一半导体图案。第一最...
  • 半导体器件包括包括NMOS区域和PMOS区域的衬底、第一栅极堆叠和与第一栅极堆叠相邻的第一源极/漏极区以及PMOS区域中的晶体管,晶体管包括第二栅极堆叠和与第二栅极堆叠相邻的第二源极/漏极区,其中, 第一栅极堆叠包括顺序堆叠的第一高介电常数...
  • 一种半导体装置包括:第一结构,其包括衬底;以及第二结构,其与第一结构重叠并且包括外围电路。第一结构包括:器件隔离结构,其位于衬底中;彼此间隔开的沟道结构;绝缘图案,其位于沟道结构之间;位线,其在竖直方向上延伸并且接触沟道结构;栅电极,其围绕...
  • 本申请提供了一种存储器及存储器的制备方法,其中,该存储器包括:堆叠设置的多个存储阵列晶圆,所述多个存储阵列晶圆中相邻的两个存储阵列晶圆键合设置,每个存储阵列晶圆包括存储阵列和感测放大器电路,所述存储阵列包括多个存储单元,每个存储单元包括第一...
  • 本申请提供一种半导体结构、半导体结构的制备方法及电子设备,该半导体结构包括衬底、多层存储阵列、多条字线和多条位线,多层存储阵列沿垂直于衬底的方向堆叠;各层存储阵列均包括多个存储单元,多个存储单元沿行方向和列方向阵列排布;各存储单元均包括晶体...
  • 本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。半导体器件包括外围电路结构、第一半导体结构和第二半导体结构,第一半导体结构在第一方向上位于外围电路结构的一侧并与外围电路结构耦接,第二半导体结构在第一方向上位于外围电路结构背离第一半导体结构...
  • 一种半导体结构及其制造方法、电子设备。半导体结构包括:有源柱,沿垂直方向延伸;字线,沿第一水平方向延伸,且与有源柱耦合以形成晶体管;位线,沿第二水平方向延伸,且与有源柱耦接,其中,第二水平方向与第一水平方向相交;其中,字线包括覆盖有源柱的侧...
  • 一种半导体器件及其制作方法和电子装置。在所述半导体器件中,位线沿与衬底垂直的第一方向延伸;字线沿与衬底平行的第二方向延伸;各存储结构层包括至少一个存储结构,各存储结构包括沿第二方向依次设置的多个存储单元,各存储单元包括电容器和晶体管,晶体管...
  • 本公开实施例涉及半导体领域,提供一种半导体结构及其形成方法,至少可以包括:基底;位线结构,位于基底上,多条位线结构沿第一方向延伸且沿第二方向间隔设置,第一方向与第二方向垂直;第一介质层,位于相邻位线结构之间且沿第一方向间隔设置;接触结构,位...
  • 本申请实施例提供了一种存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备,涉及电子设备技术领域。存储阵列包括堆叠结构、多个沟道层、间隔部和支撑部。堆叠结构包括层叠的多层第一电极层;堆叠结构设有开槽,开槽包括开孔和多个子槽,开孔贯穿多层第一电极层,多个子...
  • 本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。半导体器件包括第一半导体结构,第一半导体结构包括半导体主体、电容结构和连接结构,半导体主体沿第一方向延伸,电容结构在第一方向上位于半导体主体的一侧并包括第一电极层,连接结构在第一方向上的一端...
  • 本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。半导体器件包括半导体主体和位线,半导体主体沿第一方向延伸,位线在第一方向上位于半导体主体的一侧,位线包括金属硅化物层和位线金属层,金属硅化物层与半导体主体接触,金属硅化物层在第一方向上背离半...
  • 一种半导体器件及其制备方法、电子设备。半导体器件包括多条位线、多个存储单元列和第一导电层;第一电极通过第一导电层连接位线,和/或第二电极通过第一导电层连接所述电容器;所述有源层和所述第一导电层之间的接触电阻设置为小于所述有源层和所述电容器之...
  • 本公开提供了一种半导体器件及其制造方法、存储器件,该半导体器件包括:字线;字线沿第一方向延伸;位线;位线沿第二方向延伸;第二方向与所述第一方向相交;第一导电连接结构;第一导电连接结构位于第一表面和字线之间;第一导电连接结构的一端与字线连接;...
  • 本发明涉及DIP元器件安装技术领域,具体涉及一种SMT兼容的DIP元器件安装焊接方法,包括采用引脚成型模具对DIP元器件引脚进行处理,使DIP元器件引脚向外弯折,然后对DIP元器件引脚的弯折段进行裁剪;在印制电路板焊盘表面涂覆焊锡膏,并将D...
  • 本发明公开了一种提高VCM底座生产良率的立体电路集成制造工艺及系统,包括:S1、对VCM底座的塑件本体表面清洗;S2、在预处理后的塑件本体表面上贴装IC器件、电容器件及空心线圈;S3、构建有效训练数据集;S4、采用DE‑SVR模型优化贴装参...
  • 本申请实施例公开了一种工件吸取方法及装置,该工件吸取方法应用于贴片设备,包括:获取目标托盘对应的目标地图数据,目标托盘包括单板托盘或至少两个托盘组成的拼板托盘,目标地图数据包括各个托盘对应的至少一个地址矩阵,各个地址矩阵中元素的取值是根据待...
  • 本发明公开了一种无线充组装用贴纸抓取机构,包括机架,机架的顶板的后壁面中部成型有向前延伸的下料通槽,机架的顶板的后部的左部顶面安装有底部粘纸放置板,机架的顶板的后部的右部顶面安装有上部粘纸放置板,所述机架的顶板的中部顶面固定有放置安装板,放...
  • 本发明涉及片料飞达技术领域,公开了一种分体式片料飞达,包括机架,所述机架的外壁上设置有用于供料的料仓供料机构,所述料仓供料机构的上方设置有送料机构,所述机架上设置有传动机构、压紧机构及支撑机构,所述机架上安装有剥料板,所述料仓供料机构包括料...
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