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最新专利技术
  • 一种功率半导体器件及其金属焊盘改性提升方法
    一种功率半导体器件及其金属焊盘改性提升方法_嘉兴斯达微电子有限公司_202511830336.5
    本发明涉及功率器件封装技术领域，具体涉及一种功率半导体器件及其金属焊盘改性提升方法。一种功率半导体器件，包括：芯片半导体材料层；介质层，形成于所述芯片半导体材料层的上方；金属层，形成于所述介质层的上方，部分所述金属层的底部抵达所述芯片半导体...
    2026-05-01
  • 基于焊点对位的键合机龙门机构定位校准方法
    基于焊点对位的键合机龙门机构定位校准方法_江苏圣创半导体科技有限公司_202610371056.0
    本发明涉及电机控制领域，尤其涉及基于焊点对位的键合机龙门机构定位校准方法，包括：监测龙门机构中两侧独立控制的两台伺服电机的速度差和实时位移偏差；基于速度差和实时位移偏差计算龙门机构两侧的预测位移偏差；根据预测位移偏差计算龙门机构的横梁相对于...
    2026-05-01
  • 一种超高真空常温键合设备
    一种超高真空常温键合设备_天津中科晶禾电子科技有限责任公司_202610267350.7
    本发明提供一种超高真空常温键合设备，属于半导体器件键合技术领域，适用于常温下芯片与基板的金属键合互联。设备包括键合腔，其内设芯片传输模组以移送芯片，晶圆载台模组承载固定晶圆，与晶圆载台模组对置的压头模组拾取芯片并常温键合至晶圆表面，还配有视...
    2026-05-01
  • 半导体封装结构及其制备方法
    半导体封装结构及其制备方法_颀中科技(苏州)有限公司_202610118465.X
    本申请公开了一种半导体封装结构及其制备方法。半导体封装结构包括含铜凸块，含铜凸块包括层叠设置的铜层和金属层，制备方法包括：在半导体封装结构的含铜凸块表面形成保护膜层，保护膜层为Cu‑N复合物膜层。本申请通过在含铜凸块表面形成Cu‑N复合物膜...
    2026-05-01
  • 芯片及其芯片制备方法、芯片封装结构
    芯片及其芯片制备方法、芯片封装结构_通富超威(苏州)微电子有限公司_202610057698.3
    本公开实施例提供一种芯片及其芯片制备方法、芯片封装结构，该芯片制备方法包括：提供芯片本体，并在芯片本体背面的中央区域形成沟槽；在沟槽的底壁沉积形成阻挡层；在阻挡层上形成间隔分布的多个碳纳米管位点；在碳纳米管位点上垂直生长致密均匀的碳纳米管；...
    2026-05-01
  • 芯片封装结构及其制备方法
    芯片封装结构及其制备方法_海光信息技术股份有限公司_202610062862.X
    本发明提供一种芯片封装结构及其制备方法，所述芯片封装结构包括：基板和加固片；所述加固片包括：采用多个碳纤维布或多个碳纤维复合布堆叠并加固成型的加固主体；所述碳纤维复合布由碳纤维和金属纤维加工而成；所述基板上固定设置有金属垫，所述加固主体与所...
    2026-05-01
  • 电子装置及制造电子装置的方法
    电子装置及制造电子装置的方法_安靠科技新加坡控股私人有限公司_202511492682.7
    电子装置及制造电子装置的方法。在一个范例中，一种电子装置包含衬底和安置在所述衬底上方的第一电介质。所述第一电介质界定第一迹线开口。第一导电图案可安置在所述迹线开口中且从所述第一电介质的上部侧凹陷。所述第一导电图案包含第一迹线。第二导电图案可...
    2026-05-01
  • 金刚石通孔金属化互连基底及其制备方法
    金刚石通孔金属化互连基底及其制备方法_北京大学_202511829248.3
    本发明属于半导体先进封装与三维集成互联技术领域，具体涉及一种金刚石通孔金属化互连基底及其制备方法。一种金刚石通孔金属化互连基底，包括金刚石基底和填充于金刚石基底通孔中的金属化互连层；金属化互连层包括Fe、Ni，以及Cr、Co、Mo、Mn、C...
    2026-05-01
  • 一种新型低成本高隔离度多通道TR SiP封装结构
    一种新型低成本高隔离度多通道TR SiP封装结构_成都华兴大地科技有限公司_202610297202.X
    本申请的实施例提供了一种新型低成本高隔离度多通道TR SiP封装结构，涉及无线通信设备领域，所述结构包括：依次叠层设置的上层陶瓷介质板、中层陶瓷介质板和下层陶瓷介质板；所述上层陶瓷介质板的下表面设置有射频控制组件；所述中层陶瓷介质板的上表面...
    2026-05-01
  • 芯片封装结构、芯片封装结构的制造方法和电子设备
    芯片封装结构、芯片封装结构的制造方法和电子设备_上海艾为电子技术股份有限公司_202610116094.1
    本申请公开一种芯片封装结构、芯片封装结构的制作方法和电子设备，芯片封装结构包括：至少一个子封装结构，子封装结构包括：至少一个芯片、第一互连层、第一填充层和封装层；封装层上开设有至少一个凹槽，每个凹槽用于容纳至少一个芯片；芯片的背面与封装层通...
    2026-05-01
  • 半导体封装器件及其制造方法、电子设备
    半导体封装器件及其制造方法、电子设备_深圳市万里眼技术有限公司_202610109284.0
    本申请涉及半导体领域，提供了半导体封装器件及其制造方法、电子设备，器件包括：电子元件，固定在基板的表面；第一电路结构件和第二电路结构件，固定在表面；用于电连接电子元件的输入端和第一电路结构件的第一互连线，用于电连接电子元件的输出端和第二电路...
    2026-05-01
  • 芯片封装结构和电子设备
    芯片封装结构和电子设备_上海艾为电子技术股份有限公司_202610116125.3
    本申请公开一种芯片封装结构和电子设备，芯片封装结构包括：芯片、引线框架和封装层；芯片的第一表面与引线框架的上表面贴合，且芯片与引线框架电连接；封装层与引线框架的上表面贴合，且芯片被封装层包覆；引线框架包括的多个引脚中的至少部分目标引脚伸出封...
    2026-05-01
  • 芯片封装结构、芯片封装结构的制造方法和电子设备
    芯片封装结构、芯片封装结构的制造方法和电子设备_上海艾为电子技术股份有限公司_202610116082.9
    本申请公开一种芯片封装结构、芯片封装结构的制作方法和电子设备，芯片封装结构包括：芯片、引线框架和封装层；芯片的背面与引线框架的上表面贴合；封装层与引线框架的上表面贴合，且芯片被封装层包覆；芯片的正面设置有第一焊盘，引线框架上设置有电气焊盘，...
    2026-05-01
  • 一种功率芯片封装方法、塑封芯片单元及功率模块
    一种功率芯片封装方法、塑封芯片单元及功率模块_深圳明阳电路科技股份有限公司_202610097370.4
    本申请提供一种功率芯片封装方法、塑封芯片单元及功率模块，涉及芯片封装技术领域。功率芯片封装方法包括：获取功率芯片，对功率芯片的各个空旷区进行填充塑封处理，形成塑封体。对塑封体的表面进行处理，使其表面平整, 以形成塑封芯片单元。将塑封芯片单元...
    2026-05-01
  • 一种基于无定形氮化硼的重布线层传输线及其制备方法
    一种基于无定形氮化硼的重布线层传输线及其制备方法_深圳大学_202610361570.6
    本发明公开了一种基于无定形氮化硼的重布线层传输线及其制备方法，该制备方法包括准备清洗、沉积无定形氮化硼的第一介质层、形成光刻胶掩膜、沉积导电材料制传输线导体、去除掩膜、沉积无定形氮化硼的第二介质层，获得无定形氮化硼介质包覆的重布线层传输线结...
    2026-05-01
  • 异构集成基板及其加工方法
    异构集成基板及其加工方法_江苏普诺威电子股份有限公司_202511905496.1
    本发明公开了一种异构集成基板及其加工方法，包括：将第一基板的超薄铜层电镀增厚、形成阻挡层，在阻挡层上制作出内层线路图形雏形和焊盘雏形；对焊盘雏形及其旁边预设范围内的阻挡层覆膜保护，选择性闪蚀，制得内层线路图形；去膜得中间板A；将设有通槽的第...
    2026-05-01
  • 一种高可靠性SOP引线框架及其制作方法
    一种高可靠性SOP引线框架及其制作方法_江苏凯嘉电子科技有限公司_202610126711.6
    本发明属于半导体封装技术领域，公开了一种高可靠性SOP(Small Outline Package，小外形封装)引线框架及其制作方法。该方法包括：S1预处理；S2底层沉积；S3应力调节层沉积；S4功能顶层沉积；优选的，还包括S5化学气相沉积...
    2026-05-01
  • 太阳能电池及其制备方法、光伏组件、追溯方法及系统
    太阳能电池及其制备方法、光伏组件、追溯方法及系统_铜川隆基光伏科技有限公司_202511821434.2
    本公开提供了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件、追溯方法及系统，可以应用于半导体技术领域。该太阳能电池包括：具有至少一组图形化标记，每组图形化标记均包括多个图形化子标记，图形化标记具有第一特征，第一特征用于区分多个图形化子标记，不同图形化...
    2026-05-01
  • 芯片、温度测量方法、电子设备
    芯片、温度测量方法、电子设备_华为技术有限公司_202411464440.2
    本申请提供一种芯片、温度测量方法、电子设备，涉及半导体技术领域，通过电压端和电流端测得的值，可以计算得到导通晶体管中栅极的实际电阻值，从而得到导通晶体管的实际温度。该芯片包括多个电压端、多个电流端、以及相同的多个晶体管。相邻两个晶体管在行方...
    2026-05-01
  • 双向静电放电检测器
    双向静电放电检测器_美光科技公司_202511054835.X
    本公开涉及一种双向静电放电检测器。一种设备可包含：熔丝，其耦合在双向静电放电ESD元件与第一接合触点之间，所述熔丝经配置以接收在所述第一接合触点与第二接合触点之间产生的ESD放电电流，且所述熔丝经配置以响应于所述ESD放电电流超过阈值电流量...
    2026-05-01
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