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最新专利技术
  • 二阶梯度微亨利输入线圈型SQUID电流传感器
    二阶梯度微亨利输入线圈型SQUID电流传感器_中国计量科学研究院_202610081319.4
    本公开涉及一种二阶梯度微亨利输入线圈型SQUID电流传感器，包括：输入线圈，所述输入线圈包括四个第一超导垫片，所述四个第一超导垫片并联且呈中心对称排布；反馈线圈，所述反馈线圈包括四个第二超导垫片，每个第二超导垫片分别对应的一个第一超导垫片连...
    2026-05-01
  • 二级SQUID的片上滤波器及其制备方法
    二级SQUID的片上滤波器及其制备方法_中国计量科学研究院_202610081776.3
    本公开涉及一种二级SQUID的片上滤波器及其制备方法，包括：沿垂直衬底方向依次层叠的第一超导薄膜层、绝缘层、第二超导薄膜层、电阻层；其中，所述第一超导薄膜层、绝缘层、第二超导薄膜层和电阻层，用于形成电容、多个电阻和多个电感，所述电容、多个电...
    2026-05-01
  • 具有滑动铁电性的二维层状材料及其极化强度调控方法
    具有滑动铁电性的二维层状材料及其极化强度调控方法_南京林业大学_202610081345.7
    本发明公开具有滑动铁电性的二维层状材料及其极化强度调控方法，属于二维半导体材料领域；材料包括两层具有P6m2点群对称性的单层材料，两层所述单层材料以BA或AB滑移堆叠的构型组合；所述滑移堆叠产生垂直于平面的铁电极化，两层单层材料之间存在由电...
    2026-05-01
  • 一种BNT-ST/PSCO铁电阻变薄膜材料及其制备方法和应用
    一种BNT-ST/PSCO铁电阻变薄膜材料及其制备方法和应用_陕西科技大学_202610220780.3
    本发明公开了一种BNT‑ST/PSCO铁电阻变薄膜材料及其制备方法和应用，方法包括：基于C4H6O4Sr、Bi(NO3)3·5H2O、C2H3NaO2、C16H36O4Ti、C4H6MnO4·4H2O构造第一前驱液；基于Pr(NO3)3·6...
    2026-05-01
  • 基于低导热率插层的忆阻器以及多模态EGC检测系统
    基于低导热率插层的忆阻器以及多模态EGC检测系统_安徽大学_202511791311.9
    本发明公开基于低导热率插层的忆阻器以及多模态EGC检测系统，属于集成电路设计领域；包括：位于中间的阈值开关层，阈值开关层的上下两端分别设置有一个插层，两个插层背对阈值开关层一侧的分别设置有一个电极；所述阈值开关层的材料为NbOx、TaOx或...
    2026-05-01
  • 一种氧化镁忆阻器及存储器件
    一种氧化镁忆阻器及存储器件_上海集成电路制造创新中心有限公司_202610084782.4
    本发明提供一种氧化镁忆阻器及存储器件，包括自下而上依次设置的衬底、底电极、第一氧化镁层、稳定层、第二氧化镁层和顶电极；所述稳定层用于稳定所述第一氧化镁层和所述第二氧化镁层中的氧空位的产生与湮灭。通过在氧化镁层中间插入稳定层，利用稳定层稳定氧...
    2026-05-01
  • 基于超分子组装的单分子忆阻-整流器件及其制备方法
    基于超分子组装的单分子忆阻-整流器件及其制备方法_南开大学_202610352435.5
    本发明涉及微电子器件技术领域，尤其涉及基于超分子组装的单分子忆阻‑整流器件及其制备方法。该制备方法使客体分子B与石墨烯电极对的末端之间共价连接，能够保证超分子功能分子与电极之间稳定、紧密的界面结合；随后将连接了客体分子B的石墨烯电极对浸置于...
    2026-05-01
  • 低温选区生长p型二维半导体薄膜的方法及晶体管的制备
    低温选区生长p型二维半导体薄膜的方法及晶体管的制备_中国科学技术大学_202610331066.1
    本发明公开了一种低温选区生长p型二维半导体薄膜的方法及晶体管的制备，属于半导体器件技术领域。本发明提供的低温选区生长p型二维半导体薄膜的方法，包括以下步骤：在具有电介质层的衬底表面图形化沉积形成1‑4 nm厚的Pt金属层，得到具有Pt金属层...
    2026-05-01
  • 二氧化硅薄膜的沉积工艺及microwave -ICP等离子体装置
    二氧化硅薄膜的沉积工艺及microwave -ICP等离子体装置_上海稷以科技有限公司_202610001253.3
    本发明提出了一种二氧化硅薄膜的沉积工艺及microwave ‑ICP等离子体装置，该工艺包括：步骤1、首先将SOD前驱体涂覆于硅衬底上的沟槽并形成SOD涂覆层，之后根据SOD涂覆层厚度H选择表面处理工艺；其中，表面处理工艺包括：微波等离子体...
    2026-05-01
  • 形成包含氮化硅的结构的方法
    形成包含氮化硅的结构的方法_ASMIP私人控股有限公司_202511461448.8
    公开了形成包括覆盖特征的非保形氮化硅的结构的方法。示例性方法包括使用等离子体沉积过程，将氮化硅沉积到特征的顶部、底部和侧壁上，并且可选地处理沉积的氮化硅。沉积过程和/或处理过程可影响沉积的氮化硅，使得在蚀刻过程之后，优先从特征的底部去除氮化...
    2026-05-01
  • 一种降低硅抛光片体镍含量的方法
    一种降低硅抛光片体镍含量的方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202511938463.7
    本发明涉及半导体生产技术领域，尤其是一种降低硅抛光片体镍含量的方法，包括 : S1.硅片加工阶段，体镍吸杂层构建背封多孔硅吸杂层：在硅片背面通过电化学腐蚀形成多孔硅层，孔隙率40%‑60%，退火后成为镍陷阱位点；低温氧沉淀预处理：抛光前在氮...
    2026-05-01
  • 一种提高金属氧化物薄膜晶体管性能及稳定性的低温制备方法
    一种提高金属氧化物薄膜晶体管性能及稳定性的低温制备方法_郑州大学_202610087755.2
    本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种提高金属氧化物薄膜晶体管性能及稳定性的低温制备方法。本发明所述制备方法，通过先对薄膜晶体管首先进行氟等离子体处理，再进行低温退火处理，有效提高了薄膜晶体管的电学性能和稳定性，相较于传统的高温退火技术...
    2026-05-01
  • 一种降低两寸硅晶圆表面粗糙度的方法
    一种降低两寸硅晶圆表面粗糙度的方法_西南技术物理研究所_202511782772.X
    本发明属于光电探测器制造技术领域，公开了一种降低两寸硅晶圆表面粗糙度的方法，包括以下步骤：步骤001：配置粗腐蚀液及精腐蚀液，配置好后做静置处理；将两种腐蚀溶液放入超声设备中待用；步骤002：将两寸硅片与两寸蓝宝石载片进行键合，保护非腐蚀面...
    2026-05-01
  • 用于消除化学刻蚀印的方法及装置
    用于消除化学刻蚀印的方法及装置_深圳市大族微电子科技有限公司_202512007097.X
    本发明涉及化学刻蚀技术领域，提供一种用于消除化学刻蚀印的方法及装置，该方法包括将待刻蚀基材浸没于刻蚀液中，通过夹持机构对待刻蚀基材进行非固定夹持；对待刻蚀基材施加作用力，使待刻蚀基材上的夹持点处于动态变化状态。本发明提供的用于消除化学刻蚀印...
    2026-05-01
  • 一种8吋硅片酸腐蚀加工工艺
    一种8吋硅片酸腐蚀加工工艺_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202512037300.8
    本发明涉及半导体硅片制造技术领域，尤其是一种8吋硅片酸腐蚀加工工艺，包含以下步骤：S1、清洗待腐蚀的8吋硅片，去除表面的氧化层和杂质，之后干燥处理；S2、对硅片表面进行扫描，根据获取的硅片表面初始形貌数据建立初始形貌三维模型；S3、腐蚀槽内...
    2026-05-01
  • 一种应用于半导体键合片解除封装后的分离装置
    一种应用于半导体键合片解除封装后的分离装置_北京锐洁机器人科技有限公司_202610047879.8
    本发明公开了一种应用于半导体键合片解除封装后的分离装置，涉及半导体键合片技术领域。具体公开了一种应用于半导体键合片解除封装后的分离装置，半导体键合片解封装后的晶圆、石墨环、石墨盘和石墨托片；分离装置包括壳体、旋转机构、定位机构、顶升机构和清...
    2026-05-01
  • 一种半导体器件解键合设备及解键合方法
    一种半导体器件解键合设备及解键合方法_吾拾微电子(苏州)有限公司_202610337547.3
    本申请涉及一种半导体器件解键合设备及解键合方法，设备包括：转盘组件，沿周向设置有多个载置台，转盘组件能够在外力作用下带动多个载置台转动；移载组件，能够将半导体器件移入或移出载置台；解键合组件，包括激光发生器和位于半导体器件上方的环形吸风件，...
    2026-05-01
  • 一种单片清洗装置及方法
    一种单片清洗装置及方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511840630.4
    本公开提供了一种单片清洗装置及方法，属于半导体制造装备与工艺领域。该装置包括旋转承载单元、中心与边缘流体输送系统及控制单元，通过中心喷嘴供给第一处理液实现晶圆表面疏水化后，立即停止供液并禁止中心供液，边缘摇臂将喷嘴精准定位至晶圆边缘特定径向...
    2026-05-01
  • 一种IC载板图形转移清洗工艺优化方法
    一种IC载板图形转移清洗工艺优化方法_武汉新创元半导体有限公司_202512009979.X
    本发明公开了一种IC载板图形转移清洗工艺优化方法，包括：对已完成显影处理的IC载板进行离子功能化水洗处理；其中所述离子功能化水洗处理采用含有Ca2+和SO42‑的水洗液；所述水洗液中Ca2+与SO42‑浓度为4‑6 ppm，pH值为6‑8，...
    2026-05-01
  • 用于清洁碳化硅晶圆表面金属残留的方法、以及测量碳化硅晶圆表面金属残留的方法
    用于清洁碳化硅晶圆表面金属残留的方法、以及测量碳化硅晶圆表面金属残留的方法_无锡华瑛微电子技术有限公司_202512058695.X
    本发明涉及一种用于清洁碳化硅晶圆表面金属残留、以及测量碳化硅晶圆表面金属残留的方法。该方法由处理装置执行，处理装置至少包括晶圆容纳空间、与晶圆容纳空间连通的导流通道和排出通道，包括：将酸性蒸汽输送至位于晶圆容纳空间内的碳化硅晶圆表面，以便蒸...
    2026-05-01
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